公开(公告)号：CN100474530C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200680005022.0

申请日：2006-02-15

Applicant: 株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤井宣年 ,  高村一夫 ,  三好秀典 ,  田中博文 ,  大池俊辅 ,  村上雅美 ,  窪田武司 ,  藏野义人

IPC: H01L21/316 ,  C01B33/12 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76826 ,  C01B33/12 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249994

Abstract: 本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜，其对多孔质二氧化硅膜，在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1～6的烷基或C6H5基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成疏水性聚合薄膜，由此得到该改性多孔质二氧化硅膜。该多孔质二氧化硅膜具有低介电常数及低折射率，且机械强度及疏水性得到改良。本发明还提供一种使用该多孔质二氧化硅膜的半导体装置。