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公开(公告)号:CN108025982B
公开(公告)日:2020-11-17
申请号:CN201780002583.3
申请日:2017-06-15
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK电子器件株式会社
IPC: C04B35/119
Abstract: 一种陶瓷基体,结晶相以Al2O3和ZrO2为主晶相,含有MgAl2O4和BaAl2Si2O8。X射线衍射图案中,相对于ZrO2的单斜晶相和正方晶相各自的峰强度之和,前述单斜晶相峰强度的比例低于0.1%。
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公开(公告)号:CN108025982A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201780002583.3
申请日:2017-06-15
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK电子器件株式会社
IPC: C04B35/119
CPC classification number: C04B35/119
Abstract: 一种陶瓷基体,结晶相以Al2O3和ZrO2为主晶相,含有MgAl2O4和BaAl2Si2O8。X射线衍射图案中,相对于ZrO2的单斜晶相和正方晶相各自的峰强度之和,前述单斜晶相峰强度的比例低于0.1%。
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公开(公告)号:CN119256629A
公开(公告)日:2025-01-03
申请号:CN202380031657.1
申请日:2023-03-31
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
Abstract: 陶瓷布线构件(1)具备:陶瓷制的主体部(10),其具有板状部(11、12);以及导电部(20),其与板状部(11、12)接触地配置。导电部(20)的组织包括:导电相(31),其具有金属成分,且具有相互分离地分散的多个空隙(31A),所述金属成分包括W和Mo中的至少一者;以及玻璃相(32),其填充多个空隙(31A),以板状部(11、12)的厚度方向的剖面中的面积率计为3%以上且20%以下。在板状部(11、12)的厚度方向的剖面中,玻璃相32的总个数中的纵横尺寸比为1.5以下的玻璃相32的个数的比例为40%以上。
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公开(公告)号:CN114072912B
公开(公告)日:2024-12-24
申请号:CN201980097998.2
申请日:2019-10-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK电子器件株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 封装体(800)具有:安设面(SM),其供安装电子部件(902);腔室(CV),其位于安设面(SM)上;及安装面(SF),其供安装用于密封腔室(CV)的盖体(907)。封装体(800)包括:基部(810),由陶瓷构成且具有腔室(CV);及布线部(820),从基部(810)的腔室(CV)延伸并贯通基部(810)。基部(810)包括底部(811)和框部(812)。底部(811)具有安设面(SM),该安设面(SM)具有将具有10mm以上的长边的长方形包含在内的大小。框部(812)在底部(811)上以包围腔室(CV)的方式设置于安设面(SM)的外侧,并具有陶瓷的烧成面作为安装面(SF)。
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公开(公告)号:CN119156359A
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202380038439.0
申请日:2023-06-08
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/117 , H01L23/08 , H05K1/03
Abstract: 一种包含Al2O3、SiO2和MnO的烧结体,所述烧结体包含由Al2O3构成的主结晶相、第一玻璃相、以及组成与所述第一玻璃相不同的第二玻璃相。所述第一玻璃相和所述第二玻璃相分别为包含SiO2和MnO的相。所述第一玻璃相中的SiO2相对于SiO2和MnO合计的含有比例,比所述第二玻璃相中的SiO2相对于SiO2和MnO合计含有比例多。
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公开(公告)号:CN114554678B
公开(公告)日:2024-11-22
申请号:CN202111010145.6
申请日:2021-08-31
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社 , 富士通光器件株式会社
Abstract: 提供能稳定地使挠性基板所具有的信号路径宽频带化的复合布线基板。端子基板(100)包括配置于绝缘性陶瓷层(110)的端子面(ST)的信号端子(121)。挠性基板(200)的绝缘性树脂层(210)具有面向端子面(ST)的第一面(S1)、与第一面(S1)相反的第二面(S2)。配置于第一面(S1)的第一信号焊盘(231)与信号端子(121)接合。第一贯通导体部(241)从第一信号焊盘(231)贯通绝缘性树脂层(210)。第一信号线(251)配置于第二面(S2)。第二贯通导体部(242)从第一信号线(251)贯通绝缘性树脂层(210)。第二信号线(252)配置于第一面(S1)。第三贯通导体部(243)从第二信号线(252)贯通绝缘性树脂层(210)。第二信号焊盘(232)配置于第二面(S2)。
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公开(公告)号:CN113056092B
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202011551560.8
申请日:2020-12-24
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种在高频下也能够得到良好的传输特性的布线基板。层叠体(LM)具有由陶瓷构成的绝缘层(LD)和层间接地导体(LG)。第一~第N绝缘层(LD1)~(LDN)(N≥3)与第一~第(N-1)层间接地导体(LG1)~(LG(N-1))在厚度方向(Z)交替地层叠。层叠体(LM)具有第一绝缘层(LD1)所形成的电极安装面(SB)、第一侧面(SO)以及第二侧面(SI)。第j1~第k1层间接地导体(LGj1)~(LGk1)(1≤j1<k1≤N-1)到达第一侧面(SO)。第一贯通接地导体(MO)在第一侧面(SO)在与厚度方向Z交叉的方向(Y)隔开间隔地排列。第j1~第k1层间接地导体(LGj1)~(LGk1)在第一侧面(SO)通过第一贯通接地导体(MO)分别互相电连接。
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公开(公告)号:CN112119489B
公开(公告)日:2024-03-12
申请号:CN201980032015.7
申请日:2019-08-19
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
Abstract: 第二布线路径(52)通过第一布线路径(51)与第一接地图案(41)隔开,并与第一布线路径(51)并排延伸。第二接地图案(42)通过第二布线路径(52)与第一布线路径(51)隔开。电容器安装用的第一焊盘对(61)设置于第一布线路径(51)的中途,并具有比第一布线路径(51)的宽度大的宽度。电容器安装用的第二焊盘对(62)设置于第二布线路径(52)的中途,并具有比第二布线路径(52)的宽度大的宽度。陶瓷基体(10)具有:第一凹部(RC1),设置在第一接地图案(41)与第一焊盘对(61)之间;以及第二凹部(RC2),设置在第二接地图案(42)与第二焊盘对(62)之间。
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公开(公告)号:CN117595822A
公开(公告)日:2024-02-23
申请号:CN202310974062.1
申请日:2023-08-04
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
Inventor: 绪方孝友
Abstract: 本发明提供一种封装体。第一过孔电极(511)沿第一中心轴(AX1)延伸,并具有位于框部(120)的第一面(SF1)且远离腔室(CV)的第一端面(SFA)和位于框部(120)内的第一底面(SFJ)。第二过孔电极(512)沿第二中心轴(AX2)延伸,并具有在框部(120)内与第一过孔电极(511)的第一底面(SFJ)电连接的第二端面(SFK)和在框部(120)的第二面(SF2)与基板电极层(200)相接的第二底面(SFB)。在俯视下第二过孔电极(512)的第二底面(SFB)具有距框部(120)的第二面(SF2)的内缘(EI)的最小尺寸LI和距框部(120)的第二面(SF2)的外缘(EO)的最小尺寸LO,并满足LO>LI。第一中心轴(AX1)相比于第二中心轴(AX2),更远离框部(120)的内缘(EI)。
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公开(公告)号:CN116917255A
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN202180094868.0
申请日:2021-04-12
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
Inventor: 绪方孝友
IPC: C04B37/02
Abstract: 本发明所涉及的陶瓷烧结体包括:氧化铝;及玻璃成分,含有二氧化硅和锰,所述陶瓷烧结体在表面侧具有结合层,该结合层具有Mn的浓度的峰值,所述结合层的深度方向上的Mn的峰值相对于Si的峰值的比例为1.0~7.0。
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