-
公开(公告)号：CN118016705A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410329602.5
申请日：2024-03-21
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种逆导型绝缘栅双极晶体管，该绝缘栅双极晶体管通过重掺杂第一导电类型逆导区域、重掺杂第二导电类型集电极区域和轻掺杂第二导电类型底部区域形成集电极侧注入结构，当绝缘栅双极晶体管逆向导通时，从发射极注入的空穴不仅直接流到重掺杂第二导电类型集电极区域，且在高电阻的轻掺杂第二导电类型底部区域上大量横向流动，在轻掺杂第二导电类型底部区域产生横向压降，使得重掺杂第一导电类型逆导区域注入的电子随横向流动的空穴而增强，从而实现集电极侧注入的增强效果，降低逆导型绝缘栅双极晶体管的反向导通电压。
-
公开(公告)号：CN117995907A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410329604.4
申请日：2024-03-21
Applicant: 重庆大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L23/552
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术领域，特别是涉及一种增强抗单粒子栅穿性能的功率半导体器件，包括漏极金属层以及堆叠在所述漏极金属层上的重掺杂第一导电类型衬底层和轻掺杂第一导电类型漂移区，所述轻掺杂第一导电类型漂移区上设置有第一导电类型传导区域，所述第一导电类型传导区域上设置有逆行第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域，所述第一导电类型传导区域位于所述逆行第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域之间。本发明通过引入厚氧化层结构和第二导电类型阳极区域改善抗单粒子栅穿性能。相比于现有技术，本发明具有低的氧化层峰值电场，改善了抗单粒子栅穿性能。
-
公开(公告)号：CN117790569A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311738402.7
申请日：2023-12-15
Applicant: 重庆大学 , 重庆溢哲渝科技有限公司 , 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本申请涉及功率半导体电力电子器件技术领域，提供了一种具有栅氧介质层的鳍型异质结场效应晶体管，包括：漏极金属层；衬底层设置于漏极金属层上方；鳍型漂移层设置于衬底层背离漏极金属层的一侧，且鳍型漂移层的凸出部远离衬底层；第一导电层的第一部分设置于鳍型漂移层上，第一导电层的第二部分覆盖凸出部的两个侧壁；屏蔽层设置于第一导电层的第一部分上，并与第一导电层的第二部分接触；栅氧介质层的第一部分设置于屏蔽层上，栅氧介质层的第二部分覆盖第一导电层的第二部分；栅金属层设置于栅氧介质层上；钝化层覆盖栅金属层，且部分与凸出部的两个侧壁接触；第二导电层设置于凸出部的顶部；源极金属层设置于第二导电层上。
-
公开(公告)号：CN117773346A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410040897.4
申请日：2024-01-08
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 博世华域转向系统有限公司
IPC: B23K26/36 , B23K26/142 , B23K26/16 , B23K26/70 , B23K37/04
Abstract: 本发明属于封装生产技术领域，具体公开了一种双面散热封装散热片外漏装置及方法，其中，一种双面散热封装散热片外漏装置包括机架，机架的上料端设有上料机构，下料端设有下料机构；传送机构，传送机构设置在机架上，传送机构包括线轨，线轨上设有多个工位，机架上设有用于封装减薄的激光减薄机构；固定机构，固定机构设置在机架上且背离线轨，固定机构包括泵机和设置在泵机输出端的定位块，定位块上设有多个与泵机输出端连通的定位孔；控制单元，控制单元设置在机架上，用于控制传送机构和激光减薄机构。本发明采用非接触式的减薄方法，降低了机械应力对芯片的影响，同时降低了设备的使用成本和维护成本，且使用时效更长，有利于企业降本增效。
-
公开(公告)号：CN117476633A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311391319.7
申请日：2023-10-24
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/495 , H01L21/60 , H02M7/00 , H02M1/42
Abstract: 本申请提供一种功率芯片、功率芯片制作方法及功率因数校正电路，该功率芯片包括：晶体管和二极管；框架，其包括相互独立的第一基岛和第二基岛，所述晶体管设置于所述第一基岛上，且所述晶体管的源极与所述第一基岛电性连接，所述二极管设置于所述第二基岛上，所述二极管的正端分别连接所述第二基岛和所述晶体管的漏极，所述二极管的负端作为输出端；金属引脚，设置于所述框架的侧方，以引出所述晶体管的栅极和所述输出端；封装体，用于覆盖所述第一基岛、所述第二基岛、所述晶体管以及所述二极管。本申请可有效减少PFC电路中器件的占板面积，提高器件的稳定性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117081024A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311280218.2
申请日：2023-09-28
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种直流过压浪涌抑制电路及方法，该电路包括：直流供电回路，包括第一直流电源，开关及负载，第一直流电源通过开关对负载提供电源电压，采样模块接电源电压并对电源电压进行采样，得到采样电压；通过反馈模块对采样电压进行电压‑电流转换，得到反馈电流，控制模块接反馈模块和开关，根据反馈电流调节开关的控制电压，当电源电压发生浪涌并超过预设电源阈值时，反馈电流增大以提升控制电压，将开关的工作状态由饱和区切换为线性区，以抑制浪涌输出。本申请通过采样模块对电源电压进行实时监控，提高对浪涌的抑制效率，通过切换开关的工作状态控制电源电压对负载的浪涌冲击，不仅降低电路设计的成本，也使得电路的体积得到优化。
-
公开(公告)号：CN116845112A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310826403.0
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种混合导通机制二极管，包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；锗硅区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述锗硅区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；阳极结构，分别接触所述第二导电类型体区、所述第一导电类型漂移区和所述锗硅区；其中，在正向导通时，所述锗硅区与所述阳极结构的接触处形成空穴导通通道。本申请可通过混合导通机制提高器件大电流导通性能以及抗单粒子辐照性能。
-
公开(公告)号：CN107275274B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201710626741.4
申请日：2017-07-27
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种二极管自动送料机构，包括导料槽、送料拨杆、拨杆驱动电机和拨料传动机构，导料槽用于叠放二极管料带，送料拨杆为水平杆，且水平杆的顶部前后间隔设置有能卡入二极管料带相邻二极管单元之间的拨齿，送料拨杆向后运动时，拨齿向上伸入导轨内并卡入二极管料带的相邻单元之间带动二极管料带向后运动，送料拨杆向前运动时，拨齿向下退出导轨并脱离二极管料带的上一个卡接点，如此往复实现接力方式推送二极管料带。该机构与打扁、切筋整形集成到一台设备上，只需要一个人把未打扁的产品放到设备的导料槽后，无需人员看守，设备自动进料、打扁、切筋整形，节约了人力成本，减少了能耗，大大提高了生产效率。
-
-
公开(公告)号：CN109847811A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910142010.1
申请日：2019-02-26
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种利用液氮气化流程冷量的半导体器件低温试验装置，液氮供应装置通过主液氮管与液氮气化装置连接，液氮气化装置通过主氮气管与氮气储存装置连接，支液氮管的一端与主液氮管相通连接，支液氮管的另一端与液氮气化盘管的一端相通连接，液氮气化盘管的另一端与支氮气管的一端相通连接，支氮气管的另一端与主氮气管相通连接，液氮气化盘管置于密闭的低温试验箱内，低温试验箱的箱壁上设有多个测试孔，测试端子穿过所述测试孔。本发明低温试验箱并联连接在液氮气化主干通路上，对半导体行业的液氮气化环节的能源进行充分利用，突破传统低温制冷模式的限制，能够实现试验件在更低温环境进行筛选和测试的目的，并降低了传统能源的消耗。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
256
records
(took 0.035 seconds)
