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公开(公告)号：CN1254175A
公开(公告)日：2000-05-24
申请号：CN99124865.1
申请日：1999-11-18
Applicant: 松下电子工业株式会社
Inventor： 伊藤猛
CPC classification number: H01J23/15 , H01J23/005
Abstract: 本发明的一种磁电管装置及其制造方法,磁电管装置包括它包括:一具有一管状阳极和一阴极的磁电管;一磁路,它具有分别设置在管状阳极的上开口端部和下开口端部周围的第一和第二磁铁以及一设置成包围管状阳极和第一及第二磁铁的磁轭;以及,一具有滤波器外壳和设置在该滤波器外壳内的IC滤波器线路元件的无线电波泄漏防护器,其中,至少该滤波器外壳装有一种绝缘冷却液体。
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公开(公告)号：CN1249426A
公开(公告)日：2000-04-05
申请号：CN99105394.X
申请日：1995-02-24
Applicant: 松下电子工业株式会社
IPC: G01N21/35
CPC classification number: B01D11/0288 , B01D11/0492
Abstract: 本发明涉及测定物料中有机物质的含量的方法,它包括以下步骤:将所述有机物质溶于混合溶剂中,所述混合溶剂包括至少一种极性溶剂和至少一种非极性溶剂,并具有低于任何所述极性和非极性溶剂的沸点的共沸点;除去所述混合溶剂,留下所述有机物质以选择性地收集所述有机物质;和测定红外光谱中的2920cm－1左右的C－H键的特征吸收的强度。
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公开(公告)号：CN1244730A
公开(公告)日：2000-02-16
申请号：CN99111976.2
申请日：1999-08-03
Applicant: 松下电子工业株式会社
CPC classification number: H01L28/55 , H01L27/10852 , H01L28/60
Abstract: 一种具有利用铁电薄膜的电容器的可靠性高的半导体器件及其制造方法,在半导体衬底1上形成存取晶体管2、位线6和第一层间绝缘薄膜4后,在第一层间绝缘薄膜4的指定区域处形成的接触孔内设置插头8使存取晶体管2与铁电电容器9电气连接。然后依次形成底部电极10、铁电薄膜11和第一顶部电极14,并加工成所需的形状。在整个晶片表面上形成绝缘薄膜16并各向异性蚀刻形成侧壁16S。最后形成并加工第二顶部电极17从而完成铁电电容器9。
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公开(公告)号：CN1236180A
公开(公告)日：1999-11-24
申请号：CN99106702.9
申请日：1999-05-14
Applicant: 松下电子工业株式会社
Inventor： 木村正通
CPC classification number: H01J29/701
Abstract: 本发明的彩色阴极射线管装置包括玻璃外壳(8),玻璃外壳(8)由面板部分(3)、锥体部分(4)以及管颈部分(7)构成,带有多个开孔(9)的荫罩(10),设置在所述锥体部分(4)和所述管颈部分(7)外周上的偏转系统(13),和电子束移动装置(15)。由于按印刷方法形成荧光体(2),所以可以低成本化。此外,通过配置电子束移动装置(15),可保证彩色再现。
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公开(公告)号：CN1234639A
公开(公告)日：1999-11-10
申请号：CN99105847.X
申请日：1999-04-21
Applicant: 松下电子工业株式会社
IPC: H01S3/18
CPC classification number: H01S5/042 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01S5/02248 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体激光装置,包括具有阳极和阴极的半导体激光器片及场效应晶体管。半导体激光器片的阳极连接场效应晶体管的漏极。场效应晶体管的栅极连接场效应晶体管的漏极。半导体激光器片的阴极连接场效应晶体管的源极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1229179A
公开(公告)日：1999-09-22
申请号：CN98105478.1
申请日：1998-03-12
Applicant: 松下电子工业株式会社
IPC: F21S1/00
Abstract: 一种用于卤素灯(单管高强度放电灯、具有由石英等形成的外壳的双管高强度放电灯等)的灯,其特征在于,在它每个密封部分的表面上形成具有合乎需要的导热率和辐射率的薄膜,从而当灯点燃时,在远离灯泡中心的密封部分中的钼箔的远端处的温度保持在大约350℃或更低。
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公开(公告)号：CN1223470A
公开(公告)日：1999-07-21
申请号：CN98124908.6
申请日：1998-11-13
Applicant: 松下电子工业株式会社
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L21/76895 , H01L27/11507
Abstract: 半导体器件含有:一硅基底;其中的一MOS半导体器件,该器件最外层表面上有一硅化物区;一覆盖该器件的第一绝缘膜;一在第一绝缘膜上的电容器元件,该元件包含一下电极、一上电极和一设置在下电极和上电极间的电容膜,该膜包含铁电材料;一覆盖了第一绝缘膜和电容器元件的第二绝缘膜;一在第一绝缘膜和第二绝缘膜中的接触孔;一第二绝缘膜上的互连层,该层使MOS器件与电容器元件电连接,互连层的底部包含除了钛以外的一种导电材料。
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公开(公告)号：CN1216393A
公开(公告)日：1999-05-12
申请号：CN98121430.4
申请日：1998-10-30
Applicant: 松下电子工业株式会社
Inventor： 若园弘美
CPC classification number: H01J29/861 , H01J2229/862
Abstract: 提供不增加偏转功率和装置的价格,能抑制有效画面的中间枕形失真的阴极射线管装置。将屏盘4内侧的有效画面A形成为:使用以屏盘4的内侧有效画面A的中心为原点O,穿过原点O与有效画面A的长边Xa平行的线为x轴,穿过原点O与有效画面A的短边Ya平行的线为y轴,穿过原点O与管轴平行的线为z轴的垂直坐标系统,在屏盘4内表面的任意点(x、y、z)的,从原点O向管轴方向的落差Z满足Z=a1x2+a2x4+a3y2+a4x2y2+a5x4y2+a6y4+a7x2y4的关系,呈无拐点的曲面形状。
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公开(公告)号：CN1215222A
公开(公告)日：1999-04-28
申请号：CN98102876.4
申请日：1998-07-16
Applicant: 松下电子工业株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: C09K13/08
Abstract: 一种用于腐蚀钛材料和氧化硅中至少一种的腐蚀剂包括HCl、NH4F和H2O的混合液体。当该腐蚀剂具有小于1的NH4F/HCl克分子比时,只有钛材料被腐蚀。当该腐蚀剂具有大于1的NH4F/HCl克分子比时,只有氧化硅被腐蚀。当该腐蚀剂具有为1的NH4F/HCl克分子比时,钛材料和氧化硅被以相同的速率腐蚀。
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公开(公告)号：CN1207585A
公开(公告)日：1999-02-10
申请号：CN98117109.5
申请日：1998-07-31
Applicant: 松下电子工业株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/50 , H01L23/28
CPC classification number: H01L23/544 , H01L23/49503 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/54473 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01039 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H05K1/0237 , H05K3/341 , H05K3/3421 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
Abstract: 一种半导体装置及其引线框架具有用银糊等固定半导体芯片的方形芯片底座和内侧各端部与芯片底座短边侧端部连接而形成整体的第一引线及内侧各端部以夹持芯片底座的方式分别向外伸出的第二引线。第二引线内侧端部具有沿芯片底座长边一侧端部宽幅形成的宽幅部,同时第二引线在与宽幅部相连接的部分设贯穿孔。半导体芯片通过引线分别与第二引线和芯片底座电连接。该装置可从直流到高频范围使高频半导体装置稳定地工作并使其安装面积缩小。
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