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公开(公告)号：CN117594374A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311002468.X
申请日：2023-08-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： F·韦尔切西 , G·加特瑞 , G·阿勒加托 , M·阿兹佩蒂亚·尤尔奎亚 , A·达内伊
Abstract: 一种微机电按钮器件设置有检测结构，检测结构具有：具有前表面和后表面的半导体材料的衬底；被布置在衬底上的掩埋电极；被布置在结构层中的移动电极，移动电极覆盖在衬底上并且以分离距离弹性地悬置在掩埋电极上方以形成检测电容器；以及帽，帽耦合在结构层之上并且具有面对结构层的第一主表面和第二主表面，帽被设计为机械耦合到便携式或可佩戴型电子装置的外壳的可变形部分。帽在其第一主表面上具有致动部分，致动部分被布置在移动电极上并且被配置为在施加在第二主表面上的压力存在的情况下引起移动电极向掩埋电极的偏转和接近，从而引起检测电容器的电容变化，电容变化指示微机电按钮器件的致动。
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公开(公告)号：CN117519803A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310978745.4
申请日：2023-08-04
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G06F9/4401
Abstract: 本公开的实施例涉及设备拾取检测。本公开涉及诸如笔记本计算机的电子设备的拾取状态检测。在拾取状态下，设备从诸如桌子的表面拾取或抬起。设备的功率状态响应于检测到拾取状态而被调整。例如，设备在被设置在桌子上时处于休眠状态，并且响应于检测到拾取状态而切换到工作状态。
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公开(公告)号：CN117476471A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310930085.2
申请日：2023-07-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法和对应半导体器件。当前称为封装级系统(SiP)类型并且其中嵌入有变压器的半导体器件是通过在其第一部分处将至少一个半导体芯片嵌入在绝缘包封件中来产生的。在与所述第一部分至少部分地不重叠的其第二部分之上，形成堆叠结构，该堆叠结构包括导电材料的相应图案以及多层电绝缘材料。导电材料的相应图案：具有平面线圈几何形状，以用于提供导电线圈(诸如变压器的所述绕组)；并且具有提供到一个或多个半导体芯片的导电连接件的几何分布。
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公开(公告)号：CN109384190B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201810885372.5
申请日：2018-08-06
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请涉及包括膜和致动器的MEMS器件。MEMS器件包括具有第一腔体的半导体支撑体，包括固定到支撑体的周边部分和悬置部分的膜。第一可变形结构与膜的悬置部分的中心部分相隔一段距离，并且第二可变形结构朝向膜的周边部分而相对于第一可变形结构横向偏移。将突出区域固定在膜下方。第二可变形结构是可变形的，以便沿第一方向平移膜的悬置部分的中心部分，并且第一可变形结构是可变形的，以便沿第二方向平移膜的悬置部分的中心部分。
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公开(公告)号：CN117330042A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202310794367.4
申请日：2023-06-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/5712
Abstract: 本公开的实施例涉及具有增强的抗振鲁棒性和减小的尺寸的MEMS陀螺仪。MEMS陀螺仪，具有：第一可移动质量块，被配置为相对于固定结构移动；第一驱动组件，被耦合至第一可移动质量块，并且被配置为生成第一交替驱动移动；第一驱动弹性结构，被耦合至第一可移动质量块，并且被耦合至第一驱动组件，在第一驱动方向上是刚性的，并且在第一感测方向上是顺应性的；第二可移动质量块，被配置为相对于固定结构移动；第二驱动组件，被耦合至第二可移动质量块，并且被配置为在第二驱动方向上生成第二交替驱动移动；第二驱动弹性结构，被耦合至第二可移动质量块，并且被耦合至第二驱动组件，在第二驱动方向上是刚性的，并且在第二感测方向上是顺应性的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117277466A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310725058.1
申请日：2023-06-19
Applicant: 意法半导体(中国)投资有限公司 , 意法半导体股份有限公司
IPC: H02J7/00
Abstract: 一种用于反向电池保护的电路，包括隔离电路和控制电路。隔离电路是被耦接在电子熔断器(E‑fuse)的栅极输出与至少一个外部金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)之间的电路。电子熔断器被耦接在电池电压引脚与外部接地引脚之间，并且还被耦接到微控制器。隔离电路被配置为在电池以反向极性被安装时将栅极输出与至少一个外部MOSFET断开。控制电路被耦接在外部接地引脚与至少一个外部MOSFET之间。控制电路被配置为在电池以反向极性被安装时导通至少一个外部MOSFET。
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公开(公告)号：CN117240056A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310701574.0
申请日：2023-06-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及切换电路、对应设备及方法。切换电路包括经由滤波器网络为电负载供电的第一半桥和第二半桥。在交替切换序列期间，第一晶体管对(一个半桥中的高侧和另一个半桥中的低侧)被切换到不导通状态，并且第二晶体管对(该另一个半桥中的高侧和该一个半桥中的低侧)被切换到导通状态。电流流动线路由半桥的输出之间的电感、第一开关和第二开关提供。在中‑高功率模式中，第一开关和第二开关在将第一对晶体管切换到不导通状态和将第二对晶体管切换到导通状态之间处于导通状态。在低功率或静态功率模式下，由于应用了较长延迟，所以禁止将第一开关和第二开关切换到导通状态。
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公开(公告)号：CN117234624A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310701833.X
申请日：2023-06-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种操作微处理器的方法、相关处理系统和计算机程序产品。将第一组合、算术、或组合和算术操作应用于数据和期望值，以生成结果位序列。当数据的值对应于期望值时，结果位序列彼此不同并且对应于结果位序列的期望值。将第二操作应用于第一存储器地址、第二存储器地址和结果位序列，以生成存储器地址。当所生成的结果位序列的值对应于结果位序列的期望值时，所生成的存储器地址对应于第一存储器地址。当所生成的多个结果位序列的值不对应于结果位序列的期望值时，所生成的存储器地址对应于第二存储器地址。执行在所生成的存储器地址开始的软件例程。
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公开(公告)号：CN117178858A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310667186.5
申请日：2023-06-07
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: A01G25/16
Abstract: 本公开涉及用于智能灌溉的能量自主无电池系统。一种灌溉系统包括流体耦合在入口管和出口管之间的第一阀，以及流体耦合在入口管和功率采集器之间的第二阀。响应于流体流过功率采集器，功率采集器在功率输出处生成电功率。能量存储单元耦合到该功率输出以存储所生成的电压。比较电路将所生成的电压与阈值进行比较。当所生成的电压小于阈值时，控制电路使第二阀允许流体流过第二阀，从而当所生成的电压小于阈值时引起由功率采集器生成电功率。当所生成的电压至少等于阈值时，比较电路使第二阀阻止流体流，从而当所生成的电压至少等于阈值时终止由功率采集器生成电功率。
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公开(公告)号：CN117055669A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310514621.0
申请日：2023-05-09
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 公开了调节器的动态电流缩放。提供了一种用于执行电压调节器的输入电流的动态电流缩放的方法和装置。该方法和装置允许在各种应用中调节电流消耗，计算其中执行各种算法的活动阶段的持续时间，并且如果活动持续时间短于可编程阈值，则激活调节器的动态电流缩放。控制器接收活动持续时间的阈值和用于评估活动持续时间的窗口大小。
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