一种单分散钴镍复合的MOF-74的制备方法

    公开(公告)号:CN106674290B

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201611021525.9

    申请日:2016-11-21

    Abstract: 一种单分散钴镍复合的MOF‑74的制备方法,它涉及一种MOF的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备MOF的粒子不均匀,而引起的MOF在催化以及气体分离中的稳定性差的问题。方法:一、制备MOF‑74Ni;二、MOF‑74Ni的后处理;三、制备钴镍复合MOF,得到单分散钴镍复合的MOF‑74。本发明制备的单分散MOF的尺寸可控,尺寸分散极窄,便于制备具有特殊用途的样品;本发明制备的单分散MOF的尺寸为0.5μm~20μm。本发明适用于制备单分散钴镍复合的MOF‑74。

    一种宽波段超黑漆的制备方法

    公开(公告)号:CN109880502A

    公开(公告)日:2019-06-14

    申请号:CN201910172448.4

    申请日:2019-03-07

    Abstract: 一种宽波段超黑漆的制备方法,本发明属于吸光材料技术领域。解决现有黑色涂层反射率无法满足高灵敏度光学设备的要求,吸收率偏低,对基底类型、施工条件无法满足,无法实现宽波段的广泛吸收,由于成本昂贵及制备工艺复杂无法大量生产的问题。制备方法:一、制备碳包覆的二氧化硅微球;二、制备空心碳球;三、制备黑漆,得到宽波段超黑漆。本发明用于宽波段超黑漆的制备。

    一种ZIF-8光子晶体传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN109696420A

    公开(公告)日:2019-04-30

    申请号:CN201910012088.1

    申请日:2019-01-07

    Abstract: 一种ZIF-8光子晶体传感器的制备方法,它涉及一种光子晶体传感器的制备方法。本发明是要解决现有的光子晶体传感器难以实现分子尺寸的选择性检测的技术问题。本发明:一、制备单分散的ZIF-8颗粒;二、制备基底;三、组装光子晶体传感器。本发明设计了一种高灵敏、具有尺寸选择性的ZIF-8光子晶体传感器的制备方法,能够实现结构相似,但是分子尺寸不同的物质的区分。在制备该光子晶体传感器时,首先在水相中利用CTAB调节ZIF-8金属有机框架材料的形貌和粒径,获得单分散的ZIF-8纳米颗粒,再将样品组装成光子晶体传感器,该传感器具有尺寸选择性,能够实现正己烷与环己烷的检测。

    一种多色低辐射玻璃的制备方法

    公开(公告)号:CN107151808B

    公开(公告)日:2019-04-09

    申请号:CN201710415070.7

    申请日:2017-06-05

    Abstract: 一种多色低辐射玻璃的制备方法,本发明涉及低辐射玻璃的制备方法。本发明要解决现有制备多色低辐射玻璃方法需要添加重金属离子作着色剂,造成环境污染的技术问题。方法:一、基底ITO玻璃的清洗;二、金属膜层的制备;三、介质层的制备。Low‑E玻璃市场发展前景广阔,整个工艺过程简单,无需特殊设备和工艺。本发明在原有Low‑E玻璃的制备工艺基础上进行改进,无需增添特殊的设备。本发明制备的具有多种颜色的Low‑E玻璃将为建筑装饰等领域提供更为广阔的应用范围。

    中空介孔二氧化硅光子晶体的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN107059125B

    公开(公告)日:2019-03-26

    申请号:CN201710330927.5

    申请日:2017-05-11

    Abstract: 中空介孔二氧化硅光子晶体的制备方法及其应用,它涉及一种二氧化硅光子晶体的制备方法及其应用。本发明是要解决现有检测同系物或者同分异构体的方法测量误差大、设备昂贵、操作复杂的技术问题。制备方法:将中空介孔二氧化硅分散于5mL溶剂中,得到分散液;将洗净的玻璃片垂直插入到分散液中,并且在45℃~65℃恒温培养箱中垂直沉积72h,即得中空介孔二氧化硅光子晶体。本发明制备出了中空介孔二氧化硅光子晶体,同时提供了一种快速、方便、便宜和痕量检测同系物或者同分异构体的方法。

    基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN109437303A

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201811503365.0

    申请日:2018-12-10

    CPC classification number: C01G31/02

    Abstract: 基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件及其制备方法,它属于智能材料微纳结构器件制备领域。本发明要解决现有VO2薄膜高温的反射较高,导致基于VO2的智能热控器件的高温发射率较低的问题。基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件自下而上依次由高反射金属基底层、微纳结构VO2层和保护层组成;或基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件自下而上依次由半导体基底层、红外高反射层、微纳结构VO2层和保护层组成。制备方法:一、清洗基片;二、VO2薄膜制备;三、微纳结构加工;四、保护层沉积。本发明用于基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件及其制备。

    一种高度均一的微锥阵列结构的制备方法

    公开(公告)号:CN109365995A

    公开(公告)日:2019-02-22

    申请号:CN201811489271.2

    申请日:2018-12-06

    Abstract: 一种高度均一的微锥阵列结构的制备方法,本发明涉及微锥阵列结构的制备方法领域。本发明要解决现有方法制备的微锥阵列结构存在的均匀性差,制备工艺繁琐,无法大面积加工,材料普适性差的问题。方法:一、将激光焦点中心聚焦在样品上表面;二、设置激光单脉冲能量;三、设置平面网格路径,然后采用激光扫描样品上表面;四、利用去离子水超声清洗处理后的样品。本发明可以通过调节激光脉冲能量、脉冲速率和振镜扫描参数,实现微锥的尺寸及形貌结构的精确调谐,有利于功能微结构的最优设计。本发明用于制备高度均一的微锥阵列结构。

    一种多孔聚醚醚酮电解质膜的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN109283765A

    公开(公告)日:2019-01-29

    申请号:CN201811495241.2

    申请日:2018-12-07

    Abstract: 一种多孔聚醚醚酮电解质膜的制备方法及应用,它涉及一种电解质膜的制备方法及应用。本发明的目的是要解决使用现有电解质制备的电致变发射率器件存在变色响应速率慢、发射率调节幅度低和循环稳定性差的问题。方法:一、制备PEEK多孔膜;二、吸附电解液,得到多孔聚醚醚酮电解质膜。多孔聚醚醚酮电解质膜作为电致变发射率器件的电解质使用。以本发明制备的多孔聚醚醚酮电解质膜作为电解质制备的聚苯胺电致变发射率器件在2.5~25μm红外波段内的发射率调节幅度为0.3~0.5。本发明可获得一种多孔聚醚醚酮电解质膜。

    一种反射率可调节的low-E玻璃的制备方法

    公开(公告)号:CN107225836B

    公开(公告)日:2018-12-11

    申请号:CN201710413903.6

    申请日:2017-06-05

    Abstract: 一种反射率可调节的low‑E玻璃的制备方法,它涉及一种反射率可调节玻璃。本发明的目的是为了解决现有Low‑E玻璃不能满足不同温带区域和气候需求的技术问题。方法:一、基底ITO玻璃的清洗;二、制备金属膜层;三、玻璃封装;四、调节反射率。本发明所得low‑E玻璃的近红外段(0.9‑2.5μm)反射率可在5%‑60%任意调节。本发明通过控制金属颗粒的生长/溶解过程,动态调控其近红外波段的反射率,可以调控太阳光的大部分能量进入室内或被隔绝于室外,即满足不同温度环境下对Low‑E玻璃反射率的特殊要求。本发明属于玻璃制备领域。

    一种低温制备五氧化二钒纳米薄膜的方法

    公开(公告)号:CN105198233B

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201510570859.0

    申请日:2015-09-09

    Abstract: 本发明涉及一种低温制备五氧化二钒纳米薄膜的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:清洗基片、溶胶制备、成膜和薄膜后处理等步骤。本发明还涉及由所述方法制得的五氧化二钒纳米薄膜以及所述五氧化二钒纳米薄膜在热致相变装置、电致变色装置或气敏装置等中的应用。本发明所述方法具有成膜简单,成本低,可大面积制备等优点,并且该方法通过在密闭环境下进行热处理,显著地降低制备温度,极大降低了制造需要的能耗和成本,并减少环境污染,而且所制得的五氧化二钒薄膜为纳米薄膜,具有较好的结晶度。

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