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公开(公告)号：CN103063876A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310002407.3
申请日：2013-01-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125 , B81C3/00 , B81B7/02
CPC classification number: G01P15/125 , B81C1/00341 , G01P15/0802 , G01P2015/0814 , G01P2015/0871 , Y10T29/417
Abstract: 本发明提供一种变面积型电容式横向加速度传感器及制备方法。该加速度传感器至少包括：由相互电性隔离的第一基底、第二基底及第三基底键合成的三层层叠结构，其中，第二基底包括可动质量块、围绕可动质量块的边框、连接可动质量块及边框的弹性梁、处于可动质量块两表面的多个第二栅状电极、设于所述可动质量块的防过载结构等；第一基底的多个第一栅状电极与第二基底的多个第二栅状电极分别对应成电容结构，第三基底的多个第三栅状电极与第二基底的多个第二栅状电极分别对应成电容结构，并且此两组电容形成差分电容结构。本发明的优点包括灵敏度高、线性度好，且可基于需要来设计不同梁形状，故能制备不同灵敏度的电容式加速度传感器，灵活性大。
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公开(公告)号：CN101565162B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200910052443.4
申请日：2009-06-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及利用阶梯形电极实现纳米梁驱动与压阻检测结构及方法。其特征在于纳米梁上部的金属电极为阶梯形，电极两端与纳米梁间的间隙小于100纳米，而中间部分的电极间隙在1-2微米。所述的阶梯形电极两端与纳米梁形成MIS电容结构。当阶梯形电极与纳米梁间的电压超过MIS电容的阈值电压时，MIS电容下的空间电荷区达到最大值，空间电荷区下的电阻仅为应力的函数，可以用于纳米梁的压阻检测。阶梯形电极的中心部分由于间隙大，对纳米梁的电阻值影响小，中心部分对纳米梁的驱动效率高，用于对纳米梁实现静电驱动。
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公开(公告)号：CN102928793A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210470215.0
申请日：2012-11-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01R33/0286 , G01R33/028
Abstract: 本发明提供一种微机械磁场传感器及其应用，所述微机械磁场传感器至少包括：谐振振子对和依次形成于其表面上的绝缘层及金属线圈。本发明利用差分电容激励和电磁感应来测量磁场大小，其中，构成谐振振子对的两个谐振振子结构工作在反相位模式，各该谐振振子结构上的金属感应线圈环绕方向相同，两个谐振振子结构上的金属感应线圈产生的感应电动势相互串联；由于驱动信号是差分信号，消除输出信号中的容性耦合信号，以获得单纯的磁场输出信号；同时，本发明利用耦合结构将两个谐振振子结构耦合起来使两个谐振振子结构连接为一体运动；进一步，本发明结构简单，受温度影响小，输出信号大，灵敏度高，检测的准确度高，适合高工作频率。
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公开(公告)号：CN102928623A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210418322.9
申请日：2012-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种避免寄生电容结构的微加速度传感器，包括上电极盖板、下电极盖板和质量块，所述上电极盖板和下电极盖板分别位于质量块的上端和下端，所述质量块的上表面具有上电容间隙，下表面具有下电容间隙；所述上电极盖板的下表面和下电极盖板的上表面均设有用于实现上电极焊盘、中间电极焊盘和下电极焊盘之间绝缘的隔离槽。本发明易于制作，工作性能稳定，用途广泛。
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公开(公告)号：CN102910578A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210442236.1
申请日：2012-11-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种采用混合等离子体实现硅基芯片与PDMS芯片键合的方法，首先提供一硅基芯片与一PDMS芯片，采用丙酮和酒精对所述硅基芯片及所述PDMS芯片进行超声清洗，然后采用氧气及第二气体的混合等离子体对所述硅基芯片的键合面及PDMS芯片的键合面进行处理，最后将所述硅基芯片的键合面及PDMS芯片的键合面相互贴合并进行按压，以键合所述硅基芯片及PDMS芯片。具有以下有益效果：1）该方法在常温下进行，克服了高温键合带来的成品率低，操作耗时等缺点；2）该工艺过程简单，成品率高，键合速度快，强度高，不会发生漏液现象；3）由于硅基芯片加工工艺成熟，可以制作复杂结构，硅基芯片与PDMS芯片的键合有助于实现复杂结构的微流控芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102874739A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210382727.1
申请日：2012-10-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种自锁圆片键合结构及制作方法，所述自锁圆片键合结构是通过键合下圆片上的凹槽结构和键合上圆片的凸台结构进行镶嵌形成自锁微结构，通过下凹槽结构和上凸台结构之间的键合材料键合或直接键合完成上下键合圆片的键合。其制作方法的特征是凹槽结构和凸台结构都是在键合材料沉积前和键合前进行制作。由于自锁微结构设计将对准键合后的键合硅片位置进行了锁定，因此消除了键合过程中压力负载和温度负载在键合圆片上引入圆片位移，从而提高了键合对准精度。
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公开(公告)号：CN102868384A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210399267.3
申请日：2012-10-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种微机械谐振器，所述微机械谐振器至少包括：构成惠斯通电桥结构的谐振振子对，其中，所述谐振振子对包括两个具有轴对称结构的谐振振子结构、主支撑梁、第一耦合梁、第一锚点、第二锚点、驱动电极。与传统的电容驱动-压阻检测微机械谐振器相比，本发明利用差分电容激励驱动组成惠斯通电桥的两个谐振振子结构工作，消除输出信号中混有的电容信号，以获得单纯的压阻信号；同时，本发明利用耦合结构将惠斯通电桥的两个谐振振子结构耦合起来，由于耦合结构使两个谐振振子结构连接为一体运动，消除了输出信号中出现两个谐振频率的问题；进一步，本发明结构简单，输出信号大，灵敏度高，受温度影响小。
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公开(公告)号：CN102778586A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210287128.1
申请日：2012-08-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125 , B81C1/00 , B81B3/00
Abstract: 本发明提出一种差分电容微加速度传感器及其制作方法，该方法利用体硅工艺完成可动质量块和弹性梁的制作，通过干法刻蚀完成结构制作的同时也完成器件结构的释放；可动电极与可动质量块具有相同的形状和大小，避免重复光刻，工艺大大简化；设计的弹性梁在敏感方向刚度小，敏感垂直方向刚度大，具有较高的选择性和防串扰能力；利用圆片级低温真空对准键合技术将器件简单可靠地封装起来，便于大规模制造。此外，本发明的微加速度传感器采用了变面积式工作原理使得可动质量块在运动时仅受到滑膜阻尼，提高了灵敏度。
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公开(公告)号：CN102212794B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201110092763.X
申请日：2011-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在电镀铜衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于所述的方法包括如下步骤：在硅片上制备图形化电镀铜衬底；利用常压化学气相沉积的方法在800-1000C的温度下，利用甲烷为碳源，氩气和氢气为载气，生长3-5分钟，从而在电镀铜上生成石墨烯。该方法的特征在于可以直接制备图形化的石墨烯薄膜，并且衬底可以与IC工艺兼容，制作方法简单，成本低，能够大规模制造。
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公开(公告)号：CN102398889A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110298598.3
申请日：2011-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种在(100)型SOI硅片表面自上而下制备纳米结构的方法，属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性腐蚀特性在(100)SOI硅片表面设计最小线宽在1μm以上的两个或多个经腐蚀后可在腐蚀槽中间形成特征尺寸从几纳米至几百纳米的单晶硅纳米结构的并列的腐蚀窗口。本发明工艺简单，仅涉及常规光刻、氧化、腐蚀工艺，图形最小线宽可满足普通光刻掩模板制作需求，可实现大规模制作，是一种方便的微纳集成工艺技术。本发明制作的纳米线结构，可用于研究低维单晶硅材料结构性质，包括力学、热学、电学等性能的研究，还可以作为传感器功能结构部件，具有应用前景。
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