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公开(公告)号：CN102383192B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201110215672.0
申请日：2011-07-29
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种锗衬底的生长方法，包括如下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底为晶体材料；在支撑衬底表面采用第一温度外延生长第一锗晶体层；在第一锗晶体层表面采用第二温度外延生长第二锗晶体层，所述第一温度低于第二温度。本发明的优点在于提出了一种低高温锗外延结合的生长工艺，首先低温生长一层锗层，锗外延生长速度低，具有二维生长特性且完全弛豫，这层薄的低温锗层具有较多的缺陷，易于应力驰豫以及位错湮灭，随后，再高温生长一层锗外延层，该层生长速度快，能够得到具有高晶体质量且完全驰豫的单晶锗层。
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公开(公告)号：CN103809239A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201210445107.8
申请日：2012-11-09
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种亚波长波导及制备方法。首先，在含氧基底表面沉积硬掩膜；随后，在所述硬掩膜表面制作出周期性单排光刻胶图形层；接着，以该周期性单排光刻胶图形层为掩膜形成单排周期性硬掩膜图形层；最后，以单排周期性硬掩膜图形层为掩膜对所述含氧基底的顶层进行刻蚀来形成能传输亚波长波的单排周期性柱体结构，本发明的亚波长波导结构紧凑，制备方法能与集成电路工艺兼容。
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公开(公告)号：CN103809238A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201210446936.8
申请日：2012-11-09
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种亚波长Y分支波导及制备方法。首先，在含氧基底表面沉积硬掩膜；随后，在所述硬掩膜表面制作出Y型周期性光刻胶图形层；接着，以该Y型周期性光刻胶图形层为掩膜制备Y型周期性硬掩膜图形层；最后，以Y型周期性硬掩膜图形层为掩膜对所述含氧基底的顶层进行刻蚀来形成能传输亚波长波的Y型周期性柱体结构，本发明的亚波长Y分支波导结构紧凑，制备方法能与集成电路工艺兼容。
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公开(公告)号：CN102820253B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110151806.7
申请日：2011-06-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/823807 , H01L21/823878 , H01L21/84 , H01L27/1203
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI衬底的高迁移率双沟道材料的制备方法，基于传统的SOI（silicon-on-insulator）衬底，外延压应变的SiGe材料，用作PMOSFET的沟道材料；在SiGe材料上继续外延Si，采用离子注入、退火等手段，使部分应变的SiGe弛豫，同时将应变传递到上方Si层中，从而形成应变Si材料，用做NMOSFET的沟道材料。本方法其工艺步骤简单，易于实现，能够同时为NMOSFET及PMOSFET提供高迁移率的沟道材料，满足了同时提高NMOSFET和PMOSFET器件性能的要求，为下一代的CMOS工艺提供潜在的沟道材料。
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公开(公告)号：CN103558280A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310574815.6
申请日：2013-11-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明提供一种基于隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述生物传感器的制备方法至少包括步骤：首先，制备一隧穿场效应晶体管作为转换器；然后采用表面修饰剂对所述隧穿场效应晶体管中的沟道表面进行活化修饰；制备隧穿场效应管的具体步骤包括：提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括顶层硅、埋氧层和底层硅；在所述顶层硅表面形成栅介质层；采用离子注入工艺对所述栅介质层两侧的顶层硅进行离子注入，形成源极和漏极，所述栅介质层下未进行离子注入的顶层硅定义为沟道；在所述底层硅的背面形成背栅。本发明的隧穿场效应管具有更加陡峭的亚阈值斜率，对沟道表面电荷的变化相应更加灵敏，从而使生物传感器可以对生物分子进行高灵敏的检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102147828B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110072207.6
申请日：2011-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种体引出结构的SOI场效应晶体管的等效电学模型及其建模方法，该等效电学模型由内部场效应晶体管和外部场效应晶体管并联组成，其中将所述体引出结构SOI场效应晶体管分为体引出部分和主体部分，内部场效应晶体管代表体引出部分的寄生晶体管，外部场效应晶体管代表主体部分的正常晶体管。本发明提出的等效电学模型完整地包括了体引出结构SOIMOSFET器件物理结构的各个部分，即体引出部分和主体部分对其电学特性的影响，提高了模型对器件电学特性的拟合效果。
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公开(公告)号：CN103137539A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110383801.7
申请日：2011-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法，通过Co与Si衬底两次反应生成CoSi2，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间插入一层金属硅化物CoSi2，以代替常规SOI双极晶体管中的集电区重掺杂埋层，从而达到减小顶层硅厚度、简化工艺等目的。本发明的工艺简单，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN103137538A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110383797.4
申请日：2011-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种图形化绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Ni层，通过对Ni与Si衬底进行退火反应生成NiSi2，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间的部分区域插入一层金属硅化物NiSi2，以代替常规SOI双极晶体管中的集电区重掺杂埋层，未插入NiSi2的区域用以制造MOS器件，从而达到减小顶层硅厚度、简化工艺等目的。本发明的工艺简单，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN101707188B
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN200910199624.X
申请日：2009-11-27
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/306 , H01L21/311
Abstract: 一种采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法，包括如下步骤：提供一支撑衬底以及一键合衬底，所述支撑衬底表面具有绝缘层，所述键合衬底表面具有自停止层，所述自停止层表面具有薄膜半导体层；以薄膜半导体层和绝缘层的暴露表面为键合面将支撑衬底与键合衬底键合；采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀键合衬底的第一腐蚀液，将键合衬底腐蚀除去；采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀自停止层的第二腐蚀液，将自停止层腐蚀除去。本发明的优点在于，采用旋转腐蚀工艺腐蚀支撑衬底和自停止层，可以避免腐蚀液浸入到自停止层和薄膜半导体层而对薄膜半导体层和绝缘层进行腐蚀，因此能够保证最终产品结构的完整性。
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公开(公告)号：CN101924138B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201010212125.2
申请日：2010-06-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/76264 , H01L21/823807 , H01L21/823878 , H01L27/1207 , H01L29/1054
Abstract: 本发明公开了一种防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法。该MOS器件结构，包括Si衬底和位于Si衬底之上的有源区，所述有源区包括沟道以及分别位于沟道两端的源区和漏区，在沟道之上设有栅区，在源区、漏区及沟道两侧与Si衬底之间设有绝缘埋层，在沟道中部与Si衬底之间设有SiGe隔层。该MOS器件结构的沟道可以通过SiGe隔层向Si衬底导电导热，防止了器件的浮体效应及自加热效应；在源漏区及沟道两侧与Si衬底之间保留绝缘埋层，可减小源漏区的寄生电容。该器件结构采用Si\SiGe\Si外延层通过刻蚀、掺杂、选择性刻蚀、填充绝缘介质等工艺制备，其步骤简单，易于实施，具有重要的应用价值。
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