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公开(公告)号：CN1359017A
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN01139287.8
申请日：2001-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B26/08
Abstract: 本发明涉及一种具有阶梯结构底电极的静电扭转微镜。其特征在于驱动电极呈多级阶梯底电极结构;阶梯结构底电极台阶数至少大于或等于2,阶梯底电极与微镜的角度由台阶高度h和台阶宽度l的比值控制。通过X方向和Y方向分别设置扭梁并进行二维嵌套,可方便地扩展为二维转动微镜。其制作方法或用无掩膜各向异性腐蚀,或用DRIE干法刻蚀,或用这二种方法组合制作,然后将阶梯电极和微镜对准、安装。所用的材料为单晶硅或SOI材料,本发明综合了现有技术中倾斜电极和平行于微镜的底电极两种现有转动微镜的优点。
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公开(公告)号：CN115064427A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210535946.2
申请日：2022-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01J21/10
Abstract: 本发明涉及一种电子管集成电路，包括至少一个电子管，所述电子管包括：阳极，所述阳极设有阳极支点；栅极，所述栅极的第一侧与所述阳极支点连接，所述栅极的第二侧设有栅极支点；阴极，所述阴极与所述栅极支点连接，所述阴极的靠近所述栅极的一侧设有第一凸起。本发明采用基于场发射原理工作的电子管，该电子管体积小、功耗低、发热量小、对工作环境要求低，能应用于各种集成电路。并且，基于场发射原理工作的电子管所制备的集成电路，可减少高频率信号在传输过程中的损耗。
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公开(公告)号：CN113960144B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110985591.2
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明提供了一种硅纳米线FET传感器阻值的测量装置，包括：硅纳米线FET传感器，其上设有待测的目标物；电源装置，其正极和负极之间设有依次串联的限流电阻、硅纳米线FET传感器和负载电容，以对负载电容充放电；ASIC组件，其根据负载电容两端的电压大小将负载电容在充电和放电状态之间切换，根据电压大小输出高低电平，以产生方波信号，获取其频率，得到硅纳米线FET传感器的实时电阻值；和显示装置，设置为接收并显示硅纳米线FET传感器的实时电阻值的数据。本发明还提供了相应的方法。本发明的装置具有体积小、电路结构简单、高效、低成本、低功耗、低温漂、器件无损、检测范围大、自适应能力强和完全不存在失配问题的优点。
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公开(公告)号：CN111537670B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202010312318.9
申请日：2020-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明涉及气体测试设备领域，本发明公开了一种顶接触式气体测试腔及应用其的动态气体测试系统。该顶接触式气体测试腔包括：第一壳体，该第一壳体的顶部设有第一凹槽和探针固定孔；第二壳体，该第二壳体的底部设有第二凹槽，该第二凹槽与该第一凹槽通过该第一壳体和该第二壳体对接形成通孔；其中，该通孔的一端与供气装置连接，该通孔用于放置气体传感器和流通气体。本发明提供的顶接触式气体测试腔具有稳定时间短、测试效果好，以及与普通探针构成的气体测试系统具有成本低和占用空间小的特点。
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公开(公告)号：CN112432977B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011295179.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/12 , G01N27/414
Abstract: 本申请公开了一种有机场效应晶体管气体传感器及其制备方法，所述有机场效应晶体管气体传感器包括绝缘层、气敏材料层、栅电极、源极和漏极；所述绝缘层形成于所述栅电极之上；所述气敏材料层用于与被检测气体反应，所述气敏材料层设于所述绝缘层上方；所述气敏材料层由掺杂有F4TCNQ的气敏材料制作而成；所述源极和所述漏极位于同一层，且均设于所述气敏材料层的上方。本申请通过掺杂有F4TCNQ的气敏材料，能够提高器件的信噪比，同时能够提高器件的灵敏度和选择性等性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111474195B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010290194.9
申请日：2020-04-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/2005 , G01N23/20025 , G01N23/04 , G01N23/20
Abstract: 本发明提供一种自对准式原位表征芯片，包括衬底层，衬底层的正反面设有第一和第二绝缘层，第一绝缘层的正面设有覆盖于第一绝缘层的一部分上的一功能层以及覆盖于第一绝缘层的一部分外露部分上和功能层的一部分上的第三绝缘层；一部分第一绝缘层外露于第三绝缘层和功能层，且一部分功能层外露于第三绝缘层，以形成样品窗口；第二绝缘层上设有对准样品窗口的透射窗口。本发明还提供其制备和使用方法。该表征芯片使得待测样品可以通过该样品窗口与功能层自对准连接，从而规避制样、转移样品至表征芯片的操作，消除了相应过程中样品被污染和损伤的可能性。
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公开(公告)号：CN111721709B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010073591.0
申请日：2020-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用光调制提高硅纳米线传感器信噪比的方法及装置。方法包括，基于载波信号，确定硅纳米线传感器的光激励信号；基于所述光激励信号，获取所述硅纳米线传感器对所述被测物的调制信号；利用锁相放大器对所述载波信号和所述调制信号进行处理，获得所述硅纳米线传感器对所述被测物的目标响应信号。本发明所述的方法利用锁相放大器将硅纳米线传感器的目标物响应信号的信号频谱迁移到载波信号所在频率处，再进行放大，避开硅纳米线传感器噪声的干扰。可以大幅度提高硅纳米线传感器信噪比，增强传感器的抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN112111562A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202011031593.X
申请日：2020-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C12Q1/6806 , C12N15/10 , C40B50/06
Abstract: 本发明公开了一种表观遗传修饰核酸文库的构建方法及其应用，所述方法包括以下步骤：提供模板核酸，对所述模板核酸进行PCR扩增，得到含有磷酸修饰的PCR扩增产物；采用核酸外切酶对所述PCR扩增产物进行切割，消化掉含有磷酸修饰的一条链，得到无修饰的单链DNA；对所述单链DNA进行互补配对，然后在预设位点修饰表观修饰分子，得到修饰产物；将所述修饰产物中的短链延伸补齐，得到表观修饰核酸链。本发明可以实现在目标序列的任意位点产生单个或者多个表观修饰分子修饰，从而能够为研究表观修饰核苷酸在核酸链中的位置和丰度等相关技术或方法提供标准样本。
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公开(公告)号：CN111721709A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010073591.0
申请日：2020-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用光调制提高硅纳米线传感器信噪比的方法及装置。方法包括，基于载波信号，确定硅纳米线传感器的光激励信号；基于所述光激励信号，获取所述硅纳米线传感器对所述被测物的调制信号；利用锁相放大器对所述载波信号和所述调制信号进行处理，获得所述硅纳米线传感器对所述被测物的目标响应信号。本发明所述的方法利用锁相放大器将硅纳米线传感器的目标物响应信号的信号频谱迁移到载波信号所在频率处，再进行放大，避开硅纳米线传感器噪声的干扰。可以大幅度提高硅纳米线传感器信噪比，增强传感器的抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN111721708A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010073580.2
申请日：2020-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用光调控硅纳米线传感器灵敏度的装置及方法，所述装置包括用于输出测试目标物的敏感信号，并将敏感信号转换为电信号的硅纳米线传感器，用于为硅纳米线传感器提供预设光照强度的光源；用于调节预设光照强度的光功率调节器以及进行信号处理和反馈的信号处理器。该装置通过在硅纳米线传感器的顶端设置功率可调光源，改变其周围的光照条件，从而实现调控其灵敏度的功能。该方法利用硅纳米线传感器在不同的光照强度下具有不同的响应灵敏度，通过设定合适的光照条件来调控传感器的灵敏度。本发明结构简单，操作方便，对器件没有损伤，可以实现对硅纳米线传感器灵敏度的便捷、有效调控。
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