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公开(公告)号：CN1278923C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200410066491.6
申请日：2004-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种利用掩膜-无掩膜腐蚀技术实现AFM悬臂梁和探针一次成型的制作方法。其特征在于在腐蚀过程中，探针采用有掩膜腐蚀技术腐蚀，而梁采用无掩膜腐蚀技术腐蚀，当探针针尖的直径达到预定值时，梁的厚度达到设定值。本发明所涉及的各向异性湿法腐蚀工艺一次成型AFM探针和悬臂梁的制作方法具有以下优点:(1)制作工艺简单：仅采用了常规的光刻工艺和湿法各向异性腐蚀工艺，对工艺设备要求较低、简便易行，降低了产品成本，提高了成品率；(2)采用SOI硅片的顶层硅的下表面作为光反射面，与重掺杂自停止腐蚀形成的表面相比更平整，光反射率高；(3)以二氧化硅埋层为腐蚀自停止层，与重掺杂自停止方法相比，对梁厚度的控制更为精确。
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公开(公告)号：CN1278922C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200410016930.2
申请日：2004-03-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种音叉式微机械陀螺及其制作方法。微机械陀螺主它是由第一基板及其上的四组驱动用条形固定对电极和两组检测用条形固定对电极、固定在第一基板上的中间锚点和两侧锚点、悬在第一基板上方的第二基板组成；第二基板包括可沿驱动方向振动的两个结构相同且对称的驱动质量块、中间锚点与驱动质量块相连接的第一弹性梁、两侧锚点与驱动质量块相连接的第二弹性梁、连接两个驱动质量块的耦合弹性梁、可沿垂直于驱动方向的检测方向振动的两个检测质量块、检测质量块与驱动质量块之间的连接弹性梁组成。本陀螺采用微电子机械系统技术制作，采用变面积电容实现驱动和检测，驱动和检测方向均具有滑膜阻尼，灵敏度较高，是一种实用的微机械陀螺。
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公开(公告)号：CN1242272C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN02111345.9
申请日：2002-04-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种湿法制造微机械电容式加速度传感器的方法，属于微电子机械系统领域。其特征在于，最为关键的是利用补偿条结构牺牲方法和(110)单晶硅在各向异性腐蚀液中选择性腐蚀特性，采用硅各向异性湿法腐蚀在(110)单晶硅上制造出所需要的电容式加速度传感器结构，电容加速度传感器可动电极和固定电极同时形成在(110)单晶硅上，电容极板间隙为3-15微米。电容的平行电极必须严格对准(111)晶向。本发明提供的方法简化了微机械电容式加速度传感器的制造工艺，提高了电容式加速度传感器的成品率，而且也使制造出来的加速度传感器具有高的灵敏度和输出稳定性。
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公开(公告)号：CN1584634A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410025197.0
申请日：2004-06-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新漫传感技术研究发展有限公司
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明涉及一种基于{100}晶面硅锭制作的红外闪耀光栅结构。其关键是对{100}晶面硅锭进行特定角度θc切割形成基片，再对基片进行常规半导体工艺，包括光刻、氧化、各向异性湿法腐蚀等，从而制作出特定的闪耀光栅倾角，实现闪耀光栅结构；其光栅闪耀角θb和切割角度θc满足关系式：θb+θc＝54.7°。所得到的闪耀光栅的闪耀角范围可以从1到54度。由于本发明采用硅的慢腐蚀面{111}面来保证闪耀光栅的闪耀角，具有精度高、易集成、工艺简单、成本低廉、易于控制、成品率高、重复性好、易批量生产等优点，特别适合于量大面广、需要集成的场合使用。
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公开(公告)号：CN1184352C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN03116372.6
申请日：2003-04-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种氢氧化钾溶液对(100)硅上 晶向的凸角补偿方法，属于微机械领域。其特征在于本发明提出了“工”字形和“Y”形二种凸角补偿方法，给出相应的计算公式。“工”形补偿可获得方正的反射面，“Y”形补偿的微镜，反射面呈底角为75.96°的图形。经补偿后的微镜，能消除或减轻KOH腐蚀的微镜削角问题，可提高光开关切换光束效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1474434A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN03141848.1
申请日：2003-07-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0669 , H01L29/0673
Abstract: 本发明涉及一种硅纳米线的制作方法，其特征在于利用硅的各向异性腐蚀在介质层上硅材料上加工或硅纳米线方法。所得纳米线的截面为等腰三角形，三角形底上的高等于介质层上的硅材料厚度，控制硅材料厚度，就可得到截面尺度为10－50nm的硅纳米线；且可通过氧化进一步减细以及还可对材料进行掺杂，以制作不同导电类型的纳米线。使用本发明制作的纳米硅线，可用于研究低维半导体性质，还可以做成传感器件，电子器件，甚至发光器件等。且可批量生产，所以应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN1415968A
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN02151296.5
申请日：2002-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明涉及一种单片集成直拉直压微梁结构压阻加速度传感器及制作方法。其特征在于：二个直拉直压微梁对称地位于弯曲主悬臂梁的两边，使得微梁只有X方向的直拉直压变形，微梁的自由端与质量块相连；硼扩散的微梁本身作为压阻敏感电阻；硅框架、悬臂梁、可动质量块、微梁以及过保护机构构成的传感器为单片硅形成的整体式结构；悬臂梁、微梁和过载保护结构的制作是同时完成；其中直拉微梁在SOI材料的上层硅上制作，弯曲悬臂梁的质量块等在下层硅衬底上制作，并有中间的氧化层形成电阻与结构间的电绝缘。本发明适合各种量程(1～1.6×105g)，具有高灵度、高带宽的特点。
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公开(公告)号：CN1405592A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02137791.X
申请日：2002-11-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用 硅片制作微机械光开关的设计，属于光电子器件领域。其特征在于它是由A、B两个部分紧密结合而成，且相互绝缘；A部分上的组件有外框架、左右两个副悬臂梁、左右两个副质量块、主悬臂梁、主质量块、微镜、微镜支撑体、两个进光光纤定位槽和两个出光光纤定位槽；B部分上的组件有一个上层面、左右两个中层面、一个底层面、左右两个副电极、主电极以及左右两个阻挡块。通过在 硅片上制作出垂直的 镜面，并设计结构使之可以在垂直方向上大位移移动从而完成光路切换功能。 镜面严格与 底面垂直以及微镜支撑体设计、大位移结构设计都极大地降低了光信号的损耗。
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公开(公告)号：CN1405590A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02145147.8
申请日：2002-11-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种竖直镜面微机械光开关及其制作方法，其特征在于：该光开关的悬臂梁驱动器、反射镜、光输入和输出的对准槽全都集成在一个硅片上；以非零度角入射，输出在反射角方向接收，输入球透镜最大程度地靠近镜面，输出球透镜前后错开摆放，输入和输出的光轴平面与微镜中心在同一水平面上；所述的悬臂梁驱动器，根部固定，自由端有一镜面与之垂直，在悬臂梁左右分别制作两个对称电极，同时在靠近自由端处有两个限位块，采用静电力驱动方式；悬臂梁靠近自由端处的限位块控制转动的角度和确保电绝缘；该光开关通过腐蚀(100)硅片，制得硅的{111}竖直镜面。具有自对准、光功率损失小，开关时间短、串扰小、使用方便等优点。
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公开(公告)号：CN1391234A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN02136132.0
申请日：2002-07-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G12B21/08
Abstract: 本发明涉及一种硅尖的制作方法，更确切地说，涉及一种底部三面保护的制作硅尖方法，其特征在于：(1)在(100)硅片正面和背面，挖二条相交的槽，然后用二氧化硅保护槽的表面和硅片的正面和背面，形成二个侧面和一个硅片背面的三面保护；(2)然后，光刻正面在各向异性液中自硅片的上表面向下的各向异性腐蚀，当腐蚀深度到达底部两个槽的顶部以后，腐蚀限制在三个方向上，最后形成由一个慢腐蚀面和每条槽的一个侧面的三个面围成的硅尖。两相交的槽可以呈任意角，最常用的是90度腐蚀方向被限制在x、y、－z三个方向。本发明具有制作工艺简单又克服了现有技术中腐蚀过度或不足造成的掩膜脱落现象，且重复性好。
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