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公开(公告)号：CN114679155A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110836096.5
申请日：2021-07-23
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种体声波谐振器滤波器。体声波谐振器滤波器包括：串联体声波谐振器，串联电连接在第一端口和第二端口之间，射频信号通过第一端口和第二端口；第二分路体声波谐振器，分路电连接在串联体声波谐振器与地之间，并且第二分路体声波谐振器的谐振频率低于串联体声波谐振器的谐振频率；以及第一分路体声波谐振器，串联电连接到第二分路体声波谐振器并且具有高于第二分路体声波谐振器的谐振频率的谐振频率。串联体声波谐振器和第一分路体声波谐振器中的一个或两个包括：第一电极，设置在基板上方；压电层，设置在第一电极的上表面上；第二电极，设置在压电层的上表面上；以及沟槽，形成在第二电极的上表面中或所述第二电极上方并且向下凹入。
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公开(公告)号：CN114257197A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010995812.X
申请日：2020-09-21
Applicant: 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司
Inventor： 黄河
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制造方法和滤波器，其中声波谐振器包括：压电叠层结构，所述压电叠层结构包括从下至上依次叠置的第一电极、压电层和第二电极；所述第一电极和所述第二电极至少其中之一包括向远离所述压电层表面方向凸起的环形拱形桥，所述拱形桥的内表面围成环形空隙，所述环形空隙围成的区域为所述谐振器的有效谐振区。本发明用拱形桥所在的区域界定有效谐振区的边界，并使有效谐振区边界处的第一电极和/或第二电极的端部与空隙的气体接触，从而达到消除有效谐振区的电极的边界杂波的效果，进而提升谐振器的Q值。
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公开(公告)号：CN114257192A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010995761.0
申请日：2020-09-21
Applicant: 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司
Inventor： 黄河
Abstract: 本发明涉及一种薄膜体声波谐振器的制造方法及滤波器，包括：形成第一电极、压电层和第二电极；在第一电极、第二电极至少其中之一上形成贯穿相应电极的环形沟槽；在具有环形沟槽的电极上形成具有拱形桥的电极引出结构；在第一电极上形成支撑层；图形化支撑层，形成贯穿支撑层的第一空腔，电极引出结构的拱形桥位于第一空腔范围内；提供第一衬底，遮盖第一空腔；去除环形牺牲凸起形成环形空隙，环形空隙和环形沟槽相对。本发明通过电极引出结构的环形空隙所在的区域界定有效谐振区的边界，并通过环形沟槽使有效谐振区边界处相应电极的端部与空隙的气体接触，从而达到消除有效谐振区的电极的边界杂波的效果，进而提升谐振器的Q值。
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公开(公告)号：CN111464148B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202010309294.1
申请日：2020-04-20
Applicant: 诺思(天津)微系统有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种滤波器元件和多工器以及通信设备，在不采用下晶圆和密封环的情况下，在上晶圆上直接植球和封装基板连接，然后加密封层和塑封胶的封装形式中，在谐振器的版图或者在封装基板上通过特定的金属连线来形成所需的耦合，以此来移动对应的带外零点，改善右侧抑制。
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公开(公告)号：CN113169721A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980077326.5
申请日：2019-10-29
Applicant: 谐振公司
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激发压电板中的剪切声波。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN111600573B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202010481281.2
申请日：2020-05-31
Applicant: 诺思(天津)微系统有限责任公司
Abstract: 本发明涉及滤波器技术领域，特别地涉及一种滤波器、多工器、通信设备及滤波器制造方法。在该滤波器中，在晶圆的管脚上连接金属平板，当晶圆叠加时，可在滤波器的特定节点形成平板电容，在不增加滤波器制作工艺步骤的情况下，利用引入的电容改善滤波器性能。
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公开(公告)号：CN112653418A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202010975099.2
申请日：2020-09-16
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
Inventor： 金松正恭
Abstract: 本公开涉及形成半导体器件及其结构的方法。在一个实施方案中，形成滤波器电路以包括跨导放大器。该滤波器电路具有一对电容器，该对电容器连接在放大器的至少一个输入端与待滤波的输入信号之间。
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公开(公告)号：CN112449743A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201980045073.3
申请日：2019-07-08
Applicant: QORVO美国公司
Inventor： 詹姆斯·拉塞尔·韦伯斯特
Abstract: 本公开描述了辅助形成生物传感器的方法和装置。具体来说，将含有要固定在生物传感器上的分子的溶液对齐的特征。保持结构可以设置为至少部分地围绕基板的目标表面。可以在目标表面上设置谐振器结构。在谐振器结构和目标表面上可以设置功能化材料的液滴，可以利用保持结构使该液滴在目标表面上自动对齐和保持，以一致地覆盖谐振器结构。
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公开(公告)号：CN112217493A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910622214.5
申请日：2019-07-10
Applicant: 开元通信技术(厦门)有限公司
Abstract: 本公开提出了一种体声波滤波器的制作方法，包括：在衬底上依次形成n个谐振器的声反射空气腔、种子层、下电极层、及压电层，n≥2；N依次从1取至n，分别重复以下过程：形成第N金属硬掩模层，利用光刻工艺定义所述第一谐振器至第N谐振器的有效区域，将第一谐振器至第N谐振器的有效区域之外的第N金属硬掩模层去除，对所述第一谐振器至第N谐振器的有效区域之外的压电层进行氧化处理，形成第N压电层氧化部分，刻蚀所述第N压电层氧化部分，将第一谐振器至第N谐振器的有效区域的金属硬掩模层去除；由此，形成具有不同厚度的第一谐振器至第N谐振器的压电层；在所述不同厚度的第一谐振器至第N谐振器的压电层上形成上电极层。
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