使用结合至带有陷阱富集层的高电阻率硅衬底的压电薄膜的滤波器

    公开(公告)号:CN113014224A

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN202011510981.6

    申请日:2020-12-18

    Applicant: 谐振公司

    Abstract: 公开了一种声学谐振器装置和滤波器。声学谐振器包括一衬底,具有与一表面相邻的陷阱富集区,和一单晶压电板,具有平行的正面和背面,除了形成隔膜的压电板部分外(其中,所述隔膜跨越在所述衬底中形成的空腔),背面附接到所述衬底的表面。在单晶压电板的正面上形成叉指式换能器(IDT),使得IDT的交错的指状物设置在隔膜上。单晶压电板和IDT配置成使得施加到IDT上的射频信号激发隔膜内的一剪切主要声模。

    一种带有蚀刻停止层的横向激励的薄膜体声波谐振器

    公开(公告)号:CN113346863A

    公开(公告)日:2021-09-03

    申请号:CN202110065229.3

    申请日:2021-01-18

    Applicant: 谐振公司

    Abstract: 公开了一种声谐振器器件和方法。声学谐振器包括一衬底,衬底具有一表面和一单晶压电板,单晶压电板具有正面和背面。一蚀刻停止层,夹设在所述衬底的表面和所述压电板的背面之间,所述压电板的一部分和所述蚀刻停止层形成横跨所述衬底的空腔的隔膜。一叉指式换能器(IDT),其在所述单晶压电板的正面上形成,且所述IDT的交错指状物设置在所述隔膜上。所述蚀刻停止层对于用于形成所述空腔的蚀刻工艺是不可渗透的。

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