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公开(公告)号:CN113557663A
公开(公告)日:2021-10-26
申请号:CN202080018806.7
申请日:2020-04-06
Applicant: 谐振公司
Inventor: 帕特里克·特纳 , 迈克·艾迪 , 安德鲁·凯 , 温切斯拉夫·扬捷切夫 , 查尔斯·钟
Abstract: 公开了声波谐振器器件和滤波器。压电板附接到基板,压电板的一部分形成横跨基板中的空腔的隔膜。第一导体图案,在压电板的表面上形成。第一导体图案包括布置在隔膜上的叉指换能器的交错指状物,以及第一多个接触焊盘。第二导体图案,在基部的表面上形成,第二导体图案包括第二多个接触焊盘。第一多个接触焊盘中的每个焊盘直接接合到第二多个接触焊盘中的相应焊盘。在压电板的周边和基部的周边之间形成环形密封。
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公开(公告)号:CN113014224A
公开(公告)日:2021-06-22
申请号:CN202011510981.6
申请日:2020-12-18
Applicant: 谐振公司
Inventor: 帕特里克·特纳
IPC: H03H9/56
Abstract: 公开了一种声学谐振器装置和滤波器。声学谐振器包括一衬底,具有与一表面相邻的陷阱富集区,和一单晶压电板,具有平行的正面和背面,除了形成隔膜的压电板部分外(其中,所述隔膜跨越在所述衬底中形成的空腔),背面附接到所述衬底的表面。在单晶压电板的正面上形成叉指式换能器(IDT),使得IDT的交错的指状物设置在隔膜上。单晶压电板和IDT配置成使得施加到IDT上的射频信号激发隔膜内的一剪切主要声模。
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公开(公告)号:CN112352382A
公开(公告)日:2021-02-09
申请号:CN201980039853.7
申请日:2019-06-11
Applicant: 谐振公司
Abstract: 公开了一种声学谐振器装置和滤波器。一滤波器,包括一衬底,以及具有平行的正面和背面的压电板,背面附接到衬底上。在所述正面上形成导体图案,导体图案包括相应的多个谐振器的多个叉指式换能器(IDT),其中多个IDT中的每一个IDT的交错的指状物设置在所述压电板的相应部分上,所述压电板悬挂在与所述衬底中形成的一个或多个空腔上。所述多个谐振器包括并联谐振器和串联谐振器。设置在所述并联谐振器的IDT的指状物之间的第一介电层的第一厚度大于设置在所述串联谐振器的IDT的指状物之间的第二介电层的第二厚度。
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公开(公告)号:CN113346863A
公开(公告)日:2021-09-03
申请号:CN202110065229.3
申请日:2021-01-18
Applicant: 谐振公司
Inventor: 帕特里克·特纳
IPC: H03H9/17
Abstract: 公开了一种声谐振器器件和方法。声学谐振器包括一衬底,衬底具有一表面和一单晶压电板,单晶压电板具有正面和背面。一蚀刻停止层,夹设在所述衬底的表面和所述压电板的背面之间,所述压电板的一部分和所述蚀刻停止层形成横跨所述衬底的空腔的隔膜。一叉指式换能器(IDT),其在所述单晶压电板的正面上形成,且所述IDT的交错指状物设置在所述隔膜上。所述蚀刻停止层对于用于形成所述空腔的蚀刻工艺是不可渗透的。
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公开(公告)号:CN113169721A
公开(公告)日:2021-07-23
申请号:CN201980077326.5
申请日:2019-10-29
Applicant: 谐振公司
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器,夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT),在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激发压电板中的剪切声波。
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公开(公告)号:CN115276599A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202210423687.4
申请日:2022-04-21
Applicant: 谐振公司
Abstract: 声学谐振器、滤波器和方法。声学谐振器包括衬底、压电板和隔膜,隔膜包括跨越衬底中的空腔的压电板的一部分。压电板正面上的叉指换能器(IDT)包括分别从第一和第二母线延伸的第一和第二组交错的叉指换能器(IDT)指状物。交错的IDT指状物位于隔膜上。交错的IDT指状物的重叠部分限定了声学谐振器的孔径。第一电介质条在孔的第一边缘与IDT指状物重叠并延伸到第一边缘和第一母线之间的第一间隙中。第二电介质条在孔的第二边缘与IDT指状物重叠并延伸到第二边缘和第二母线之间的第二间隙中。
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公开(公告)号:CN115004548A
公开(公告)日:2022-09-02
申请号:CN202080066592.0
申请日:2020-10-08
Applicant: 谐振公司
Abstract: 公开了声学谐振器和滤波器装置。声学谐振器包括具有表面的衬底和具有平行的正面和背面的单晶压电板,背面附接到所述衬底除所述压电板的部分外的表面上,该部分形成隔膜,隔膜跨越所述衬底中的空腔。叉指换能器(IDT)在单晶压电板的正面上形成,使得IDT的交错指状物设置在隔膜上。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号在隔膜中激发主声模。IDT交错指状物的厚度大于或等于压电板厚度的0.85倍。
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公开(公告)号:CN114503295A
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202080070413.0
申请日:2020-08-10
Applicant: 谐振公司
Inventor: 温切斯拉夫·扬捷切夫 , 帕特里克·特纳 , 罗伯特·B·哈蒙德
IPC: H01L41/047
Abstract: 公开了滤波器器件和方法。滤波器器件包括具有表面的衬底。单晶压电板的背面附接到衬底的表面,单晶压电板的部分形成跨越衬底中的各个空腔的多个隔膜。导体图案在压电板的正面上形成,该导体图案包括多个谐振器的多个叉指换能器(IDT)。多个IDT中的至少一个第一IDT的交错指状物设置在具有第一厚度的隔膜上,并且多个IDT中的至少一个第二IDT的交错指状物设置在具有小于第一厚度的第二厚度的隔膜上。
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