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公开(公告)号:CN101483068B
公开(公告)日:2013-08-07
申请号:CN200810190900.1
申请日:2008-11-06
Applicant: NLT科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种双向移位寄存器。,使其电路规模小,并且稳定地动作。包括:通过各自的相位不同的3个以上的时钟信号(CLK1~CLK3)中的任意者和确定移位方向的设定信号(FW,RV)而进行传输控制的多个串联连接的单位寄存器(移位寄存器(1));和可对应于设定信号,从3个以上的时钟信号,选择至少1个时钟信号的选择电路(开关阵列(30)),按照通过对应于每个单位寄存器由选择电路选择的1个时钟信号,使单位寄存器成为复位状态的方式构成。
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公开(公告)号:CN102254503B
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201010181646.6
申请日:2010-05-19
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司
CPC classification number: G11C19/28 , G09G3/3677 , G09G2310/0286
Abstract: 本发明公开了一种移位寄存器单元、显示器用栅极驱动装置及液晶显示器,其中,移位寄存器单元包括:输入模块,用于输入第二时钟信号或者第三时钟信号,并用于输入帧起始信号、第一时钟信号、低电压信号、复位信号和相邻的下一个移位寄存器单元发送的第一信号和第二信号;处理模块,用于生成栅极驱动信号,并且使得至少二个薄膜晶体管形成的至少一个第一结点处的电平,在输入模块输入的第二时钟信号或第三时钟信号保持低电平的帧间隔内保持低电平;输出模块,用于将处理模块生成的栅极驱动信号发送出去。本发明能够使得栅极与第一结点连接的各个薄膜晶体管的寿命得到延长,移位寄存器单元的稳定性得到提升。
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公开(公告)号:CN103098373A
公开(公告)日:2013-05-08
申请号:CN201180042280.7
申请日:2011-08-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H03K3/356 , G02F1/133 , G09G3/20 , G09G3/36 , G11C19/00 , G11C19/28 , H03K17/687 , H03K19/0175
CPC classification number: H03K3/02 , G09G3/3677 , G09G2310/0286 , G11C19/184 , G11C19/28
Abstract: 本触发器包括:输入及输出端子;第1及第2控制信号端子;第1输出部,该第1输出部包括自举电容,并与第1控制信号端子及输出端子连接;第2输出部,该第2输出部与第1输出部及输出端子连接;第1输入部,该第1输入部与输入端子连接,并对自举电容进行充电;放电部,该放电部对自举电容进行放电;第2输入部,该第2输入部与输入端子相连接,并与第2输出部相连接;复位部,该复位部与第2控制信号端子相连接,并对放电部及第2输出部进行控制;第1初始化部,该第1初始化部控制第1输出部;第2初始化部,该第2初始化部控制第1输出部;以及第3初始化部,该第3初始化部对放电部及第2输出部进行控制。由此,能够实现在与时钟信号无关的情况下进行全导通动作的移位寄存器。
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公开(公告)号:CN103026417A
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN201180033934.X
申请日:2011-06-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C19/00
CPC classification number: G11C19/0808 , G11C11/14 , G11C11/161 , G11C11/1675
Abstract: 一种用于形成存储器器件的方法包括在衬底中形成具有波动轮廓的内表面的腔;在所述腔中沉积铁磁材料;在所述衬底上邻近所述铁磁材料的一部分形成读取元件;以及在衬底上邻近所述铁磁材料的第二部分形成写入元件。
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公开(公告)号:CN101587752B
公开(公告)日:2013-02-27
申请号:CN200910150047.5
申请日:2009-06-26
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G11C19/00
CPC classification number: G11C19/28
Abstract: 一种移位寄存器包含多级,{Sn},n=1,2,...,N,N为一正整数。于一实施例中,每级包含一上拉电路、一上拉控制电路、一下拉电路与一下拉控制电路。该上拉电路具有一输入端、一输出端与一输入节点Qn,而输入端用以接收一第一时序信号CK1与一第二时序信号XCK1,输出端则用以响应输出一输出信号On。上拉控制电路电性耦接于输入节点Qn,并当接收到第一输入信号时,则上拉控制电路响应产生一信号,提供至上拉电路的输入节点Qn,进而开启上拉电路。下拉电路电性耦接于输入节点Qn,并提供一第一电压至输入节点Qn与上拉电路的输出端其中之一。下拉控制电路配置以接收第三时序信号CK2与第四时序信号其中之一,并响应产生第一电压,以开启Sn级的下拉控制电路与Sn-1级和Sn+1级其中之一的下拉电路。
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公开(公告)号:CN101202113B
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN200710305143.3
申请日:2007-10-08
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 一种半导体电路,该半导体电路在第一时期中输出主动电势,并且在比该第一时期长的第二时期中保持被动电势,然后输出该被动电势,该半导体电路包括开关元件,该开关元件连接在供应被动电势的电势供应部分和电路输出端之间,并且该开关元件在该第二时期中达到导通状态,以致将该被动电势输出至该电路输出端。
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公开(公告)号:CN102763167A
公开(公告)日:2012-10-31
申请号:CN201080064165.5
申请日:2010-10-14
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 小原将纪
CPC classification number: G11C19/184 , G09G3/3677 , G09G2310/0205 , G09G2310/0251 , G09G2310/0286 , G11C19/28
Abstract: 将包含补偿电路(21)的单位电路(11)多级连接,而构成移位寄存器。当从下下一级单位电路输出的第二复位信号(R2)变成高电平时,补偿电路(21)对追加输出端子(Z)施加比低电平电位更低的超射电位(Vos)(补偿用电位)。对TFT:T8(输出复位晶体管)的栅极端子提供从下一级单位电路中包含的追加输出端子(Z)输出的信号。对TFT:T8的栅极端子交替地施加高电平电位和极性与其相反的补偿用电位,由此,抑制TFT:T8的阈值电压移位,防止输出信号的复位时间随着时间的经过而变迟。
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公开(公告)号:CN101847444B
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN201010202905.9
申请日:2007-12-12
Applicant: 友达光电股份有限公司
Inventor: 陈忠君
IPC: G11C19/00
Abstract: 本发明公开一种移位寄存器,其包含输入端、输出端、致能控制器、预充电电路、第一开关、第二开关及第三开关,其中,该输入端用以接收一第一驱动信号;该输出端用以输出一第二驱动信号;该致能控制器耦接于该移位寄存器的输入端,用以于接收到该第一驱动信号时,输出一致能信号;该致能信号为该第一驱动信号的反相;该预充电电路包含一输入端、一输出端、一接收模块、一启动模块及一重置模块。接收模块接收该预充电电路所接收的驱动信号并输出给该启动模块。启动模块用以于接收到该驱动信号时,输出一预充电信号。重置模块耦接于该接收模块与该启动模块之间,用以接收一重置信号以重置该预充电信号。本发明的移位寄存器能够有较佳的驱动力。
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公开(公告)号:CN102687204A
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201080042876.2
申请日:2010-09-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor: 小山润
CPC classification number: H01L27/1225 , G09G3/3266 , G09G3/3677 , G09G2300/0408 , G09G2300/0417 , G09G2310/0267 , G09G2330/021 , G11C19/28
Abstract: 移位寄存器或者包含该移位寄存器的显示装置的功率消耗被降低。时钟信号由多条布线,而不是由一条布线来供应给移位寄存器。该多条布线中的任一条仅在移位寄存器的操作时段的部分时间内,而不是在移位寄存器的整个操作时段内供应时钟信号。因此,由供应时钟信号所引起的容量负载能够得以降低,从而使得移位寄存器的功率消耗降低。
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公开(公告)号:CN101223606B
公开(公告)日:2012-09-05
申请号:CN200680025786.6
申请日:2006-07-13
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种信号输出电路,其被设置在移位寄存器的单位级中,其特征在于,具备:RS型触发器;以及信号生成电路,根据输入信号取入或阻断时钟信号从而生成输出信号,其中,由触发器输出的信号以及所反馈的输出信号被输入上述信号生成电路,而且,输出信号被反馈到上述触发器的复位输入。由此,能够缩小电路面积并简化电路。
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