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公开(公告)号：CN119529568A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411723127.6
申请日：2024-11-28
Applicant: 嘉庚(江苏)特材有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种氮化硅涂层及其制备方法和应用，所述氮化硅涂层包括主体材料和增强材料，所述主体材料包括氮化硅粉，所述增强材料包括碳化硅粉和氮化硼粉，所述氮化硅涂层的制备方法包括：(1)混合主体材料、增强材料和溶剂，得到混合涂料；所述主体材料包括氮化硅粉，所述增强材料包括碳化硅粉和氮化硼粉；(2)将混合涂料喷涂到基底上，进行固化，得到所述的氮化硅涂层。本发明提供的氮化硅涂层采用特定的组成，以氮化硅粉为主体材料，碳化硅粉和氮化硼粉为增强材料，通过氮化硅粉、碳化硅粉和氮化硼粉之间的相互协同，共同提高了氮化硅涂层的强度和附着力，以及有效避免涂层的开裂。
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公开(公告)号：CN119521473A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411420654.X
申请日：2024-10-12
Applicant: 武汉航空仪表有限责任公司
IPC: H05B3/20 , H05B3/02 , H05B3/04 , H05B3/18 , H05B3/14 , H05B3/03 , B29C70/30 , B05D1/00 , B05D3/02 , H01B13/00
Abstract: 本发明涉及基于覆铜PI膜和石墨烯的电热防冰多层结构，所述电热防冰多层结构的各层依次为表面绝缘层、胶膜层、石墨烯加热层、胶膜层和表面绝缘层；且所述石墨烯加热层具有覆铜PI膜层。本发明通过铜箔刻蚀在聚酰亚胺薄膜上得到刻蚀铜电极膜；将石墨烯与聚酰亚胺树脂真空搅拌分散均匀后，通过流延法涂覆于聚酰亚胺电极膜表面，经高温固化得到外观平整、方阻均匀的石墨烯加热层；将加热层与复合材料经热压罐成型后制得翼型电热防冰组件。
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公开(公告)号：CN119500511A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411636005.3
申请日：2024-11-15
Applicant: 深圳航天智控科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种用于提升保偏光纤环胶水均匀性的旋转方法及装置，其中方法包括：构建并初始化工艺参数数据库；将待旋转光纤环置于旋转装置；识别待旋转光纤环，采集当前环境温度，并与工艺参数数据库做配比，逐步获取当前待旋转光纤环型号参数、胶水型号、胶水粘度和旋转参数；预设用于监控记录的时间间隔；启动旋转装置对待旋转光纤环加工，以预设的时间间隔为周期，记录旋转状态信息和环境温度波动信息，计算环境温度波动幅度值，并执行异常检测判断。本发明通过给予绕制后、固化前保偏光纤环一定的角速度和旋转时间，利用离心作用，使其内部胶水更为均匀，从而提升保偏光纤环成品的合格率和一致性。
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公开(公告)号：CN119489022A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411017116.6
申请日：2024-07-26
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称旋涂法的PEDOT:PSS电极的曲面成膜方法，包括以下步骤：S1、得到洁净衬底；S2、量取PEDOT:PSS溶液，将量取的PEDOT:PSS溶液滴于衬底内壁；S3、使PEDOT:PSS溶液完整涂布于衬底的内壁中；S4、通过离心机对衬底进行离心旋涂；S5、在离心旋涂完成后，用镊子将衬底取出，观察薄膜形成情况；S6、将衬底置于恒温加热平台，将液体蒸干使薄膜成型；S7、对镀膜完成后的衬底内壁，检验成膜成果的试验指标。本发明采用上述一种基于非对称旋涂法的PEDOT:PSS电极的曲面成膜方法，可以改善其导电问题，使器件得到保护的同时，使器件具备防静电性能，EMI屏蔽性能，从而提高器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN119456361A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411768801.2
申请日：2024-12-04
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明提供一种抑制微纳结构加工毛刺产生的工艺方法，涉及工件微细加工领域。该抑制加工毛刺产生的工艺方法，利用UV光固化膜作为保护层、结合溶液清洗与等离子体清洗的抑制毛刺生成。具体为：在加工前通过UV光固化和热烘方法制备UV光固保护层，利用保护层抑制被加工件边界材料的侧向塑性流动，使得仅在保护层材料表面产生毛刺；根据加工材料和微纳结构尺寸，通过旋涂转速控制保护层的厚度，通过控制光固化和热烘时间实现对保护层硬度的调控；接着，通过超精密切削实现微纳结构的加工，最后再通过溶液结合等离子体两步清洗方法去胶去除保护层，获取无毛刺的光洁表面结构，从而实现适应各种材料微纳结构切削过程的毛刺抑制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119406729A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411548364.3
申请日：2024-11-01
Applicant: 电子科技大学 , 中国烟草总公司四川省公司
Abstract: 本发明公开了一种均匀稳定的拉曼基底的制备方法，其包括以下步骤：将贵金属纳米粒子溶胶用孔径确定的滤膜过滤3‑5次，得到备用溶胶；喷墨打印机的喷墨装置上阵列的间距确定，直径确定的圆形开孔基板；设置打印次数，得到均匀稳定的直径确定、间距确定的纳米颗粒阵列。优点是能够稳定的打印出均匀排列的直径相同的纳米颗粒阵列，有效避免了纳米颗粒的团聚现象并且制备方法简单、且成本低廉，可以通过电脑精确控制其制备过程，可控性强。
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公开(公告)号：CN116851231B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202310833466.9
申请日：2023-07-07
Applicant: 中国航发北京航空材料研究院
IPC: B05D1/00 , C09D1/00 , C09D167/00 , C09D7/61 , B05D3/00 , B05D3/12 , B05D3/14 , B05D1/36 , B05D3/02 , B05D7/00
Abstract: 本发明提供了一种硅酸镱基自愈合/可磨耗/环境障涂层，由内向外依次包括HfO2‑Si+X粘结层、Yb2Si2O7‑M自愈合层、(Yb0.25RE10.25RE20.25RE30.25)2Si2O7环境障层和Yb2Si2O7‑聚酯可磨耗面层；所述HfO2‑Si+X粘结层与基体材料相接触。本发明中的涂层耐温1350℃，且在该温度下具有热导率低、与基体热匹配度高、可磨耗和抗水氧腐蚀性能优等优势，可有效提高CMC涡轮外环的服役温度和服役寿命。本发明还提供了一种硅酸镱基自愈合/可磨耗/环境障涂层的制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN119314863A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411374761.3
申请日：2024-09-29
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种液‑液界面原位生长的异质结及其制备方法，属于半导体薄膜材料技术领域，通过利用液态金属镓表面的镓原子与大气环境中的氧气反应生成非晶氧化镓薄膜，然后将其放入提前配好的金属硝酸盐与六次甲基四胺前驱液中通过化学浴沉积，在氧化镓薄膜上原位生长一层金属氧化物，以形成异质结；通过在液态金属镓表面形成氧化镓薄膜作为生长基底，然后在其上原位生长金属氧化物，确保了异质结界面的清洁和高质量，高质量的界面有助于减少界面缺陷，从而提升异质结器件的整体性能；本发明制备过程无需昂贵的仪器和严格的生长环境，即可实现金属氧化物在氧化镓薄膜上的原位生长，具有操作简单、经济、应用范围广的特点。
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公开(公告)号：CN119281614A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411404167.4
申请日：2024-10-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了异形树干自适应涂白方法、涂白系统及涂白装置，属于异形树干涂白技术领域，包括以下步骤：S1、获得的待涂刷异形树干点云和树干参考模型点云；S2、计算待涂刷异形树干各个点云块的质心；S3、确定涂白姿态参数：S31、获得总旋转矩阵；S32、将计算的四元数转换为涂白姿态参数；S4、规划涂白路径：S41、构建离散化的分段B样条曲线，并构建可达路径点对；S42、运用Bresenham算法对可达路径点对进行插补，生成涂白路径。采用上述异形树干自适应涂白方法、涂白系统及涂白装置，通过确定涂白姿态参数和规划路径，实现了对异形树干的自适应涂白操作，提高了异形树干涂白作业的效率。
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公开(公告)号：CN119194359A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411330833.4
申请日：2024-09-24
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及表面工程技术领域，具体而言，提供一种高发射率玻璃型热控涂层及其制备方法。首先利用等离子体增强化学气相沉积技术，在玻璃基材的第一表面上制备厚度为1～3μm的硅氧烷层，然后利用磁控溅射技术，在硅氧烷层的表面制备厚度为40～80nm的氧化铟锡(ITO)层，最后利用磁控溅射技术，在玻璃基材的与第一表面相对的第二表面上依次制备厚度为150～400nm的银层和100～400nm的镍铬防护层。该方法制备的玻璃型热控涂层发射率大于0.85，太阳吸收率小于0.10，具有散热效率高、防静电、外观良好、空间环境稳定性好的优点，制备方法简单、工艺实施性强，可以满足大功率航天器的高效散热需求。
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