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公开(公告)号：CN102737652A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210101342.3
申请日：2012-03-31
申请人： 西部数据传媒公司
CPC分类号： G11B5/8404 , G11B5/732 , G11B5/7325
摘要： 本发明涉及用于热辅助磁记录介质的低粗糙度散热器设计。一种磁记录介质包括：基板、包括结晶CuTi层的散热层以及硬磁记录层。结晶的CuTi在非晶体状态下涂布，接着通过加热而结晶。与先前的散热器设计相比较，使用这个散热器改善表面和底层粗糙度。
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公开(公告)号：CN101923864A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010202485.4
申请日：2010-06-09
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/667 , Y10T428/24975
摘要： 垂直磁记录介质及其制造和相应的磁存储装置。根据一个实施方案，垂直磁记录介质包括在衬底上方的至少一个软磁性底层；在所述至少一个软磁性底层上方的晶种层；在所述晶种层上方的中间层；在所述中间层上方的磁记录层；以及在所述磁记录层上方的保护层，其中所述晶种层包括在第一晶种层上方的第二晶种层。在另一个实施方案中，所述晶种层为至少两个周期的层积膜单元的层积结构，所述层积膜单元包括第一晶种层和第二晶种层。所述第一晶种层包括具有面心立方(FCC)结构的非磁性合金，以及所述第二晶种层包括具有FCC结构的软磁性合金。根据更多的实施方案，还公开了其他结构。
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公开(公告)号：CN101339775A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810131980.3
申请日：2008-07-04
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/66 , G11B5/667 , Y10T428/115
摘要： 本发明涉及一种垂直磁记录介质以及磁记录装置。根据一个实施例，一种垂直磁记录介质包括：基底(1)；以及形成在所述基底(1)上的第一磁性层(5)和第二磁性层(7)，其中假定对于所述第一和第二磁性层(5，7)，单轴磁各向异性常数分别是Ku1和Ku2，饱和磁化分别是Ms1和Ms2，各向异性磁场分别是Hk1和Hk2，以及厚度分别是t1和t2，则满足以下条件：Ku1和Ku2为3×106erg/cc以上，Ms1小于Ms2，Hk1大于Hk2，并且t1大于t2。
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公开(公告)号：CN100411021C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510118755.2
申请日：2005-10-31
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 兹沃尼米尔·Z·班迪克 , 欧内斯托·E·马里尼罗
摘要： 本发明涉及磁性转印模板。使用一种具有反铁磁耦合(AF-耦合)磁性岛的接触磁性转印(CMT)母模板来将磁性图案，如伺服图案转印至磁性记录盘。该模板是其每个磁性岛是两个由反铁磁耦合(AFC)膜反铁磁耦合的铁磁膜的刚性或柔性衬底。在存在有施加的磁场时，两个铁磁膜的磁矩是平行的并且基本相等，因此它们产生了一个能抵消从属盘的与岛相面对的区域中的施加的磁场的磁场。然而，当去除了施加的磁场时，由于跨越AFC膜的反铁磁性交换耦合，任何剩余磁化将导致两个铁磁膜内的剩余磁矩被反平行地定向。因此岛将不具有能够影响被转印到从属盘的伺服图案的净剩余磁矩。
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公开(公告)号：CN101154409A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710162931.1
申请日：2007-09-24
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B9/02
CPC分类号： G11B5/64 , G11B5/732 , G11B5/7325
摘要： 揭示了一种具有梯度晶格匹配层的外延铁电性磁记录结构。使用单晶材料如Si作为基片材料，在其上沉积梯度晶格匹配层。晶格匹配层可以包含金属和金属合金，或者可以包含掺杂了选定元素的氧化物或者在不同氧压下沉积的氧化物。在梯度晶格匹配层上沉积记录层，如铁电性钛酸铅锆或者磁性Fe/P多层结构。
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公开(公告)号：CN101106170A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200610171218.9
申请日：2006-12-21
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/65 , G11B5/72 , G11C19/0808 , H01F10/14 , H01F10/16 , Y10S977/933 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
摘要： 本发明提供了一种应用磁畴壁移动的半导体器件。该半导体器件包括内部磁畴壁移动的磁性物质膜，其中该磁性物质膜具有0.015到0.1的阻尼常数。
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公开(公告)号：CN101079269A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200610160435.8
申请日：2006-11-16
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/66 , G11B5/7325
摘要： 本发明提供一种磁记录介质和磁存储单元。所公开的该磁记录介质包括：基板；和按下述次序叠置在该基板上的底层、第一磁性层、非磁性耦合层、第二磁性层、第三磁性层、非磁性分隔层以及第四磁性层。所述第一磁性层与所述第二磁性层是反铁磁地交换耦合的，并且所述第二磁性层与所述第三磁性层是铁磁地交换耦合的。所述第三磁性层具有比所述第二磁性层的各向异性磁场更小的各向异性磁场，并具有比所述第二磁性层的饱和磁化更大的饱和磁化。
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公开(公告)号：CN1805017A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510118755.2
申请日：2005-10-31
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 兹沃尼米尔·Z·班迪克 , 欧内斯托·E·马里尼罗
摘要： 本发明涉及磁性转印模板。使用一种具有反铁磁耦合(AF－耦合)磁性岛的接触磁性转印(CMT)母模板来将磁性图案，如伺服图案转印至磁性记录盘。该模板是其每个磁性岛是两个由反铁磁耦合(AFC)膜反铁磁耦合的铁磁膜的刚性或柔性衬底。在存在有施加的磁场时，两个铁磁膜的磁矩是平行的并且基本相等，因此它们产生了一个能抵消从属盘的与岛相面对的区域中的施加的磁场的磁场。然而，当去除了施加的磁场时，由于跨越AFC膜的反铁磁性交换耦合，任何剩余磁化将导致两个铁磁膜内的剩余磁矩被反平行地定向。因此岛将不具有能够影响被转印到从属盘的伺服图案的净剩余磁矩。
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公开(公告)号：CN1713275A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200410096139.7
申请日：2004-11-26
申请人： 富士通株式会社
发明人： 佐藤贤治
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/66 , G11B5/7315 , G11B5/7325 , G11B5/8404
摘要： 本发明公开了一种磁记录介质、生产磁记录介质的方法和磁存储装置。磁记录介质具有提供在衬底表面上的种子层、提供在种子层上的衬层以及提供在衬层上的记录层。通过在记录方向上磁化记录层，信息被记录在记录层中。种子层由晶粒的多晶体形成，晶粒由具有B2晶体结构的合金材料构成，并且晶粒的[100]晶向朝向被一个平面分割的两侧中的一侧倾斜，该平面由记录方向和与衬底表面垂直的衬底法向形成。
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