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公开(公告)号：CN101276602A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810087956.4
申请日：2008-03-25
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： G11B5/74
CPC分类号： G11B5/855 , G11B5/667 , G11B5/7325
摘要： 本发明提供一种嵌埋于磁性图案间的非磁性层其强度高的磁记录媒体(带图案的媒体)。该磁记录媒体其特征在于，包括：形成于基底上的软磁性层；由分开设置于所述软磁性层上的呈凸起状的铁磁性材料所形成的多个磁性图案；以及形成于所述多个磁性图案间的所述软磁性层上的、由同一材料所形成的大于等于2层的非磁性层。
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公开(公告)号：CN101178906A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710185184.3
申请日：2007-11-01
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/667
摘要： 本发明的目的是提供一种不会由于软磁底层而导致介质噪声增大、能够容易地控制在软磁底层之间布置的非磁性层的厚度、及能够改进软磁底层的耐腐蚀性的垂直磁性记录介质。在该垂直磁性记录介质中，粘合层12形成在基片11上，软磁底层13形成在粘合层上，籽晶层14和中间层15形成在软磁底层上方，及垂直层16形成在中间层上。软磁底层13具有第一软磁层131、第二软磁层133、及在第一软磁层131与第二软磁层133之间布置的反铁磁性耦合层132，第一软磁层131和第二软磁层133由包括Fe作为主要成分的合金形成，反铁磁性耦合层132由Ru－Fe合金形成，及Fe含量是从40at％至75at％。
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公开(公告)号：CN101174425A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710162730.1
申请日：2007-10-08
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/02 , G11B5/66 , G11B5/667 , G11B5/7325 , G11B5/743 , G11B5/746 , G11B5/855 , G11B2005/0005 , G11B2005/0029
摘要： 本发明提供了一种包括以预定的规则间隔布置在基底上的多个磁记录层的图案化磁记录介质，其中，磁记录层为多层的并包括抑制磁记录层之间的磁相互作用的装置。磁记录层包括顺序层叠的第一铁磁层、抑制磁相互作用的装置和第二铁磁层，其中，抑制磁相互作用的装置为软磁层。
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公开(公告)号：CN101093673A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710085011.4
申请日：2007-02-28
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本发明提供了一种垂直磁记录媒质。该垂直磁记录媒质包括：形成在衬底上的垂直磁记录层；和至少一个软磁衬层，形成在该衬底与垂直磁记录层之间，其中所述软磁衬层由非磁材料和磁材料的合金形成，该磁材料以粒状纳米颗粒的形式存在于非磁材料的基体中，且该磁纳米颗粒以规则间距彼此分隔，从而相互形成反铁磁耦合。在根据本发明的垂直磁记录媒质中，由于形成软磁衬层的磁材料以小颗粒形式存在于非磁基体中且粒状颗粒相互形成反铁磁耦合，因此可以抑制多颗粒畴的形成，从而使软磁衬层的噪声最小化。
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公开(公告)号：CN101038753A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200610107630.4
申请日：2006-07-28
申请人： 富士通株式会社
摘要： 根据本发明，提供一种磁记录介质(11)，其包括：非磁性基底构件(1)；下部软磁衬层(2)，其形成在该非磁性基底构件(1)上；非磁性层(4)，其形成在该下部软磁衬层(2)上；上部软磁衬层(6)，其形成在该非磁性层(4)上；以及记录层(9)，其具有垂直磁各向异性，并且该记录层(9)形成在该上部软磁衬层(6)上；其中，在该下部软磁衬层(2)与该非磁性层(4)之间，或在该非磁性层(4)与该上部软磁衬层(6)之间形成晶体磁性层(3)和(5)。
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公开(公告)号：CN1953064A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610136131.8
申请日：2006-10-16
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/667
摘要： 为获得具有高介质S/N和优良的抗腐蚀性的介质，在衬底11上依次淀积粘附层12、软磁性层13、中间层14、磁性记录层15和保护层16。软磁性衬垫层13由至少两软磁性层组成，第一软磁性层132形成在记录层侧，由包含85at.％或更少的Co的非晶合金组成，第二软磁性层131形成在衬底侧，由包含85at.％或更多的Co的合金组成。
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公开(公告)号：CN1870144A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610080374.4
申请日：2006-05-16
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 埃里克·E·富勒顿 , 拜伦·H·伦格斯菲尔德第三 , 戴维·马古利斯
CPC分类号： G11B5/66 , G11B5/656 , G11B5/667 , G11B5/7325
摘要： 本发明涉及垂直磁记录盘，其具有包括下和上铁磁层的反铁磁耦合(AFC)记录层(RL)，上和下铁磁层每个具有六角密堆积(hcp)晶体结构和垂直磁各向异性，被反铁磁(AF)耦合层分隔开，其中下铁磁层(LFM)比上铁磁层(UFM)具有显著更高的磁导率。AFC RL位于实际交换中断层(EBL)上，实际交换中断层将AFC RL与盘的软磁衬层(SUL)分隔开。LFM充当部分“有效”交换中断层(EBL)，该“有效”交换中断层还包括实际EBL和AF耦合层，从而允许实际EBL制得尽可能薄。hcp LFM以与实际EBL相同的方式促进hcp UFM的生长，使得其厚度对生长hcp UFM所需的厚度有贡献。有效EBL在写过程期间呈现为磁性上“薄”且在读回过程期间呈现为磁性上“厚”。
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公开(公告)号：CN1870143A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610089826.5
申请日：2006-05-24
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
IPC分类号： G11B5/62
摘要： 本发明提供一种垂直磁记录盘，其具有改进的具有颗粒间材料的颗粒CoPtCr基铁磁合金的记录层，颗粒间材料由Cr的一种或更多氧化物及Si、Ta、Ti、B、Nb或Hf分离子中的一种或更多种的一种或更多种氧化物构成，其中记录层中出现的氧的量大于约22个原子百分比并且小于约35个原子百分比。记录层中的氧的量显著大于分离子或多种分离子的化学计量氧化物或多种氧化物所需的量，出现在记录层中的氧的主要部分存在于颗粒间材料中。记录层表现出高信噪比(SNR)、大于约5000Oe的矫顽力Hc及大于(更负)约－1500Oe的成核场Hn。
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公开(公告)号：CN1860530A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200580001167.9
申请日：2005-03-14
申请人： 富士电机电子技术株式会社
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/65 , G11B5/667 , G11B5/7325
摘要： 本发明提供一种可以同时实现低噪音和高稳定性的垂直磁记录媒体。该垂直记录媒体，由在非磁性基体(1)上至少依次层叠了基底层(4)、磁记录层(5)、保护层(6)和润滑剂层(7)而构成，其中，基底层由从Ru、Rh、Os、Ir或Pt中选择的至少一种元素构成，磁记录层为粒状结构，其组成比为(Co100－a－b－cPtaCrbBc)100－dMd。其中，M为从Cr、Al、Ti、Si、Ta、Hf、Zr、Y、Ce中至少一种元素的氧化物或氮化物，0＜a≤40、2≤b≤12、0.5≤c≤5、4≤d≤12。在非磁性基体与基底层之间，也可以形成软磁性推进层(2)和晶种层(3)。
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