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公开(公告)号：CN108417334B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201810293094.4
申请日：2014-04-22
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/057
Abstract: 本发明提供一种与现有的R‑T‑B系磁铁相比较不显著降低磁特性且与镀层的密接强度优异的永久磁铁。在作为R必须有R1和Ce的R‑T‑B系磁铁中，通过对作为原料的R‑T‑B系磁铁施行长时间热处理来使主相颗粒核壳化，当令核部中的R1和Ce的质量浓度分别为αR1、αCe且令所述壳部中的R1和Ce的质量浓度分别为βR1、βCe时，所述壳部中的R1和Ce的质量浓度比率(βR1/βCe＝B)与所述核部中的R1和Ce的质量浓度比率(αR1/αCe＝A)之比(B/A)为1.1以上，由此，通过Ce添加而提高与镀层的密接强度，并且抑制矫顽力下降。
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公开(公告)号：CN104272404B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201480000885.3
申请日：2014-02-12
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/057
Abstract: 本发明提供一种既具有与现有的Nd‑Fe‑B系永久磁铁同等磁特性又具有高的粘接强度的，适合作为永久磁铁同步旋转电机的励磁用磁铁的R‑T‑B系永久磁铁。通过在形成主相的化合物的组成为(R1‑x(Ce1‑zYz)x)2T14B(R是由选自La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的1种以上所构成的稀土元素，T是以Fe或者Fe和Co为必要元素的1种以上的过渡金属元素，0.0＜x≤0.5，0.0≤z≤0.5)的情况下，在使占据四方晶R2T14B结构中的4f晶位的Ce为Ce4f且占据4g晶位的Ce为Ce4g时，存在比率Ce4f/(Ce4f+Ce4g)为0.8≤Ce4f/(Ce4f+Ce4g)≤1.0，从而得到既具有与现有的Nd‑Fe‑B系永久磁铁同等磁特性又具有高粘接强度的磁铁。
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公开(公告)号：CN104081218B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280068265.4
申请日：2012-12-13
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/12
CPC classification number: G01R33/12 , G01R33/10 , G01R33/1215
Abstract: 本发明提供一种可以测量薄板状且高矫顽力的磁性体试样的微小区域的矫顽力和矫顽力分布的磁场测量装置。其中，对磁性体试样(5)施加第1方向的磁场并使其大致饱和磁化。接着，在施加了与第1磁场相反的方向的第2磁场之后，由测量部(2)扫描磁性体试样(5)的表面，由此检测磁性体试样(5)的起因于剩磁的泄漏磁通。在一边使施加于磁性体试样(5)的第2磁场强度渐增一边重复由测量部(2)进行的测定，并得到从磁性体试样(5)泄漏的磁场强度变为最大的第2磁场，并对磁性体试样(5)施加相当于矫顽力的磁场而大致一半量的磁化反转的情况下，基于退磁场(Hd)为最小且泄漏至外部的磁通为最大的判断来得到磁性体试样(5)的矫顽力。
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公开(公告)号：CN104112555B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410154198.9
申请日：2014-04-17
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F1/0536 , H01F1/0577
Abstract: 本发明提供与现有的R-T-B系磁铁相比较，不会显著降低磁特性，并且在温度特性方面表现优异的永久磁铁。通过对成为原料的R-T-B系磁铁施行长时间热处理，从而将主相颗粒核壳化，所述R-T-B系磁铁包含具有核部和被覆所述核部的壳部的主相颗粒，当使所述核部中的R1和Y的质量浓度分别为αR1、αY且使所述壳部中的R1和Y的质量浓度分别为βR1、βY时，所述壳部中的R1和Y的质量浓度比率（βR1/βY=B）与所述核部中的R1和Y的质量浓度比率（αR1/αY=A）之比（B/A）为1.1以上，由此，防止添加Y所引起的矫顽力降低，且从添加Y所引起的温度特性提高效果来提高高温下的磁特性。
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公开(公告)号：CN104272404A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201480000885.3
申请日：2014-02-12
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/057
CPC classification number: H01F1/057 , C22C38/002 , C22C38/005 , H01F1/0577
Abstract: 本发明提供一种既具有与现有的Nd-Fe-B系永久磁铁同等磁特性又具有高的粘接强度的，适合作为永久磁铁同步旋转电机的励磁用磁铁的R-T-B系永久磁铁。通过在形成主相的化合物的组成为(R1-x(Ce1-zYz)x)2T14B(R是由选自La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的1种以上所构成的稀土元素，T是以Fe或者Fe和Co为必要元素的1种以上的过渡金属元素，0.0＜x≤0.5，0.0≤z≤0.5)的情况下，在使占据四方晶R2T14B结构中的4f晶位的Ce为Ce4f且占据4g晶位的Ce为Ce4g时，存在比率Ce4f/(Ce4f+Ce4g)为0.8≤Ce4f/(Ce4f+Ce4g)≤1.0，从而得到既具有与现有的Nd-Fe-B系永久磁铁同等磁特性又具有高粘接强度的磁铁。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104124018A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410166833.5
申请日：2014-04-24
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/057
CPC classification number: H01F1/057 , H01F10/126
Abstract: 本发明提供与现有的R-T-B系永久磁铁相比较，不会显著降低磁特性，并且在温度特性方面表现优异的永久磁铁。在R-T-B系的构造中，通过交替地层叠R1-T-B和(Y、La)-T-B，从而形成R1-T-B系结晶层和(Y、La)-T-B系结晶层的层叠构造，一边可以维持R1-T-B系结晶层的高的各向异性磁场一边可以得到(Y、La)-T-B系结晶层的温度系数的改善效果。通过将(Y、La)-T-B系结晶层的稀土类元素设为Y和La这2个元素，从而缓和层叠构造整体的晶格畸变，并得到高的剩余磁通密度。
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公开(公告)号：CN104112559A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410167100.3
申请日：2014-04-22
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F1/0536 , B22F1/00 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , B32B15/015 , C22C33/0278 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0577 , B22F2304/10 , B22F3/02 , B22F2202/05 , B22F9/08 , B22F9/023 , B22F2009/044 , B22F3/10 , B22F2003/248
Abstract: 本发明提供一种与现有的R-T-B系磁铁相比较不显著降低磁特性且与镀层的密接强度优异的永久磁铁。在作为R必须有R1和Ce的R-T-B系磁铁中，通过对作为原料的R-T-B系磁铁施行长时间热处理来使主相颗粒核壳化，当令核部中的R1和Ce的质量浓度分别为αR1、αCe且令所述壳部中的R1和Ce的质量浓度分别为βR1、βCe时，所述壳部中的R1和Ce的质量浓度比率(βR1/βCe＝B)与所述核部中的R1和Ce的质量浓度比率(αR1/αCe＝A)之比(B/A)为1.1以上，由此，通过Ce添加而提高与镀层的密接强度，并且抑制矫顽力下降。
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公开(公告)号：CN100364019C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200380105038.5
申请日：2003-12-16
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F10/16
CPC classification number: H01F1/26 , B82Y25/00 , H01F1/0063 , H01F10/007 , H05K9/0075 , H05K9/0083
Abstract: 本发明提供一种具有软磁特性的粒状物(1)，其含有由非磁性绝缘材料构成的基体(3)以及分散于基体(3)中的平均粒径为50nm或以下的强磁性金属粒子(2)，且基体(3)的体积比为5～50%。该粒状物(1)在具有膜状的情况下，所具有的特性是：1GHz的复数导磁率的实数部(μ′)为40或以上，且性能指数Q(Q＝μ′/μ″；μ″：复数导磁率的虚数部)为1或以上以及饱和磁化为5kG或以上。
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公开(公告)号：CN1860561A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200480028393.1
申请日：2004-09-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F41/303 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/132 , H01F10/3286 , H01F17/0013 , H01F41/046 , H01F2017/0066 , Y10T428/32 , Y10T428/325
Abstract: 在衬底(4)上交替地层叠Co系非晶合金层(2)、和该Co系非晶合金(2)的自然氧化层(3)从而形成多层膜(1)。通过使自然氧化层(3)在该多层膜(1)总体的体积中占的比例为5～50％，就得到能够在GHz频带的高频域利用的高频用磁性薄膜及磁元件。也可以交替地层叠具有成膜时磁场外加方向成为易磁化轴的性质的Co系非晶合金层(2)、和该Co系非晶合金的自然氧化层(3)从而形成多层膜(1)，该形成的多层膜(1)的易磁化轴与多层膜(1)在成膜时的磁场外加方向正交。
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公开(公告)号：CN108417334A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810293094.4
申请日：2014-04-22
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/057
Abstract: 本发明提供一种与现有的R-T-B系磁铁相比较不显著降低磁特性且与镀层的密接强度优异的永久磁铁。在作为R必须有R1和Ce的R-T-B系磁铁中，通过对作为原料的R-T-B系磁铁施行长时间热处理来使主相颗粒核壳化，当令核部中的R1和Ce的质量浓度分别为αR1、αCe且令所述壳部中的R1和Ce的质量浓度分别为βR1、βCe时，所述壳部中的R1和Ce的质量浓度比率(βR1/βCe＝B)与所述核部中的R1和Ce的质量浓度比率(αR1/αCe＝A)之比(B/A)为1.1以上，由此，通过Ce添加而提高与镀层的密接强度，并且抑制矫顽力下降。
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