公开(公告)号：CN103928567B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201410019541.9

申请日：2014-01-16

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 梁斗焕 ,  梁周弘 ,  郑一炯 ,  金真阿

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/042

Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法。方法的一种实施方式包括以下步骤：在包含第一导电类型的杂质的半导体基板的背面形成包含与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质的射极区域；在所述射极区域上形成包含所述第一导电类型的杂质的钝化层膏；在所述钝化层膏的第一局部区域上选择性地执行热处理以在所述射极区域的局部区域形成包含所述第一导电类型的杂质的背面场区域；在位于所述射极区域上的所述钝化层膏的第二局部区域和位于所述背面场区域的所述钝化层膏的第三局部区域中形成多个开口以形成钝化层；形成连接到所述射极区域的第一电极；以及形成连接到所述背面场区域的第二电极。

公开(公告)号：CN103681930B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310155837.9

申请日：2013-04-28

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 南正范 ,  郑寅道 ,  郑一炯 ,  金真阿

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括：基板；包括具有第一薄膜电阻的轻掺杂发射极区域和具有比所述第一薄膜电阻小的第二薄膜电阻的重掺杂发射极区域的发射极区域；位于所述发射极区域上的第一电介质层；包括沿第一方向位于所述重掺杂发射极区域上的第一指状电极和沿第二方向位于所述轻掺杂发射极区域上的第一汇流条电极的第一电极；位于所述基板上的第二电极。所述第一指状电极包括接触所述重掺杂发射极区域的籽晶层和形成在所述籽晶层上的导电金属层，并且所述第一汇流条电极包括导电金属颗粒和热固性树脂。

公开(公告)号：CN105322042A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510445897.3

申请日：2015-07-27

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 沈承焕 ,  郑一炯 ,  郑寅道 ,  尹银彗

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/077 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/03529

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开一种太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括：半导体基板，该半导体基板掺杂第一导电类型的杂质；正面场区域，该正面场区域位于所述半导体基板的正面并且以高于所述半导体基板的浓度掺杂所述第一导电类型的杂质；隧穿层，该隧穿层位于所述半导体基板的背面上并且由电介质材料形成；发射极区域，该发射极区域位于所述隧穿层的背面的第一部分并且掺杂与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；以及背面场区域，该背面场区域位于所述隧穿层的所述背面的第二部分并且以高于所述半导体基板的浓度掺杂所述第一导电类型的杂质。

公开(公告)号：CN105244389A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510504761.5

申请日：2015-07-06

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李基源 ,  金基修 ,  郑一炯 ,  金真阿

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0475 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/1804

Abstract: 讨论了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：在半导体基板的一个表面上的隧穿层；在所述隧穿层上的第一导电类型区域；在所述隧穿层上的第二导电类型区域；第一电极和第二电极，该第一电极连接到所述第一导电类型区域，该第二电极连接到所述第二导电类型区域。所述隧穿层包括第一部分和第二部分。所述第一部分被设置为与所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域的至少一部分对应并且具有第一厚度。所述第二部分的至少一部分被设置为与所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域之间的边界部分对应。所述第二部分具有大于所述第一厚度的第二厚度。

公开(公告)号：CN103681930A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310155837.9

申请日：2013-04-28

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 南正范 ,  郑寅道 ,  郑一炯 ,  金真阿

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括：基板；包括具有第一薄膜电阻的轻掺杂发射极区域和具有比所述第一薄膜电阻小的第二薄膜电阻的重掺杂发射极区域的发射极区域；位于所述发射极区域上的第一电介质层；包括沿第一方向位于所述重掺杂发射极区域上的第一指状电极和沿第二方向位于所述轻掺杂发射极区域上的第一汇流条电极的第一电极；位于所述基板上的第二电极。所述第一指状电极包括接触所述重掺杂发射极区域的籽晶层和形成在所述籽晶层上的导电金属层，并且所述第一汇流条电极包括导电金属颗粒和热固性树脂。

公开(公告)号：CN102456755A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110391311.1

申请日：2011-10-18

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 沈承焕 ,  金真阿 ,  南正范 ,  郑寅道 ,  梁周弘 ,  崔亨旭 ,  郑一炯 ,  权亨振

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/04 ,  H01L31/02

CPC classification number: H01L31/0288 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供了用于太阳能电池的半导体基板以及太阳能电池。一种太阳能电池包括p-型的多晶硅半导体基板、n-型的并且与该多晶硅半导体基板形成p-n结的发射区、连接至发射区的第一电极、以及连接至多晶硅半导体基板的第二电极，其中，该多晶硅半导体基板具有大体上为7.2×1015/cm3至3.5×1016/cm3的纯p-型杂质浓度。

公开(公告)号：CN101821857A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200880111068.X

申请日：2008-12-17

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 高志勋 ,  鱼英株 ,  金真阿 ,  尹周焕 ,  郑一炯 ,  金钟焕

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/0745 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了一种异质结硅太阳能电池及其制造方法。根据本发明的异质结硅太阳能电池形成晶体硅基板和掺有杂质的钝化层的pn结，以使得电子和空穴的重新组合最小化，从而可以最大化异质结硅太阳能电池的效率。本发明提供一种异质结硅太阳能电池，其包括：晶体硅基板；和形成在所述晶体硅基板上并且掺有杂质的钝化层。

公开(公告)号：CN101226160A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810001175.9

申请日：2008-01-18

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 郑一炯 ,  尹周焕 ,  金真阿 ,  金钟大

IPC: G01N27/04

Abstract: 本发明公开了一种利用离子电导率的盐度传感器、盐度测量系统及其方法，其中，盐度传感器安装在存储食物或溶液的容器中，为了在执行盐度测量时防止由于测量时间的推移由在累积在探针中的离子引起的氯离子的例子电导率的下降，在测量盐度时通过对累积在探针中的离子进行任意释放来防止盐度测量误差的产生。