-
公开(公告)号:CN1781186A
公开(公告)日:2006-05-31
申请号:CN200480000983.3
申请日:2004-04-23
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B37/205
Abstract: 本发明的一个目的是提供用于半导体晶片的抛光垫和用于抛光半导体晶片的层叠体,以及利用所述抛光垫和层叠体对半导体晶片进行抛光的方法,装备所述抛光垫和层叠体可以在不降低抛光性能的情况下进行抛光。本发明的抛光垫包含用于抛光垫的提供有从表面穿透至背部的通孔的衬底(11)、和安装在所述通孔中的透光部件(12),其中所述透光部件包含一种非水溶性基体材料(1,2聚丁二烯)和分散在所述非水溶性基体材料中的一种水溶性颗粒(β-环糊精),并且基于所述非水溶性基体材料和所述水溶性颗粒的总量体积100%,所述水溶性颗粒的体积百分含量小于5%。此外,本发明的用于抛光的层叠体包含所述抛光垫的背面上的支撑层。这些抛光垫和用于抛光的层叠体可包含背面上的固定层(13)。
-
公开(公告)号:CN1689758A
公开(公告)日:2005-11-02
申请号:CN200510068474.0
申请日:2005-04-28
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , B24B49/12 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/04 , B24D18/0009
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨垫,其包括具有研磨面的研磨基体及熔合在该研磨基体上的透光性构件,且以平行于研磨面的面切断该透光性构件时的剖面形状为长径除以短径的值大于1的椭圆形。该研磨垫对于半导体晶圆的研磨面,可不降低研磨性能地透过终点检测用光。
-
公开(公告)号:CN1550288A
公开(公告)日:2004-12-01
申请号:CN200410043098.5
申请日:2004-04-09
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/00 , H01L21/304 , C08J5/14
CPC classification number: B24B37/205 , B24D18/0009
Abstract: 一种能透射用于终点探测的光而不减小使用光学终点探测装置的半导体晶片的抛光中的抛光效率的研磨垫,一种制造该研磨垫的方法,一种用于制造研磨垫的金属模以及一种抛光半导体晶片的方法。该研磨垫包括研磨基底和透光组件。透光组件包括交联聚合物如交联的1,2-聚丁二烯和分散在交联聚合物中的水溶性物质如β-环糊精。由于透光组件和研磨基底熔合在一起作为集成单元,研磨垫在使用期间,浆料不会渗漏到研磨垫的背面。该制造方法包括在用于夹物模压的金属模中设置透光组件以及在该模子中交联用于形成研磨基底的基质分散体。使用该研磨垫的抛光方法采用光学终点探测装置。
-
公开(公告)号:CN1494983A
公开(公告)日:2004-05-12
申请号:CN03140681.5
申请日:2003-06-03
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/26
Abstract: 本发明目的在于提供能有效抑制擦伤发生的抛光垫和多层抛光垫。本发明的抛光垫,其特征在于其中具有在抛光面侧形成的、且从呈环状、格状和螺旋状中选出至少一种形状的沟(a)、凹部(b)和贯穿抛光垫表里的通孔(c)中的至少一个部位,该部位内表面的表面粗糙度(Ra)处于20μm以下,用于化学机械抛光。
-
公开(公告)号:CN1487015A
公开(公告)日:2004-04-07
申请号:CN03154996.9
申请日:2003-08-26
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: B24B37/24 , B24D3/28 , C08L9/00 , C08L23/0853 , C08L2666/06 , C08L2666/08
Abstract: 本发明涉及研磨垫用组合物以及使用它的研磨垫。目的在于提供成形性及耐磨耗性优异,纵弹性模量的温度依赖性小的研磨垫用组合物以及使用它的研磨垫。本研磨垫用组合物含有非水溶性基质和分散于该非水溶性基质中的水溶性粒子,其中,上述非水溶性基质含有交联乙烯-醋酸乙烯共聚物、和/或不含有交联1,2-聚丁二烯,且相对于上述非水溶性基质全体,含有规定量。
-
-
-
-