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公开(公告)号：CN112379717A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011331994.7
申请日：2020-11-24
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种全MOS管的基准参考电路，包括启动电路、基准参考核心电路及电源抑制比提升电路等。本发明采用负反馈技术的电压调整器结构的电源抑制比提升电路为基准参考核心电路提供工作电源电压而不是外部电源VDD电压来提高基准参考电路输出电压的电源抑制比，基准参考核心电路采用MOS管阈值电压补偿技术来获得温度补偿的高性能参考电压，PMOS管MD1、PMOS管MD2、PMOS管MD3、PMOS管MD4及PMOS管MD5等均采用栅极与源极结构来补偿高温区的基准参考电路的漏电电流，从而实现一种全MOS管的基准参考电路。
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公开(公告)号：CN111240386A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010105921.X
申请日：2020-02-20
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种自补偿的电流舵电荷泵电路，包括充/放电电流源补偿电路及电荷泵核心电路。充/放电电流源补偿电路采用自补偿技术，当电荷泵输出电压变化时实现电荷泵的充/放电电流自补偿，提高充/放电电流匹配特性；电荷泵核心电路采用4对互补开关，减小电荷泵电路的时钟馈通和电荷注入效应，放大器A1采用单位增益连接使得放大器A1的输出电压VC跟随电荷泵输出电压Vout变化而变化，抑制电路电荷共享效应；电荷泵核心电路的充/放电电流源采用增益提升技术，提高电荷泵充/放电电流源的输出阻抗，抑制电荷泵输出电压变化引起充/放电电流源变化，提高电荷泵的充/放电电流源匹配性，从而实现一种自补偿的电流舵电荷泵电路。
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公开(公告)号：CN110635791A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910842185.3
申请日：2019-09-06
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03K17/042
Abstract: 本发明请求保护一种采用镜像结构的栅压自举采样开关电路，通过采用“镜像”结构使得自举电容增大为传统电路的2倍，提高采样开关线性度；采用钟控虚拟MOS管吸收相关MOS管产生的沟道电荷的技术，抑制沟道电荷注入；采用钟控反相器输出端驱动NMOS管M10与NMOS管M12的结构，减小采样开关管M11栅极节点的寄生电容，抑制电路电荷共享，在采样开始阶段，NMOS管M10和NMOS管M12分别与PMOS管MOS管M5和PMOS管M13同时导通，加快采样开关的导通速度，在采样到保持转换瞬间，PMOS管M8与NMOS管M9组成电路以及PMOS管M16与NMOS管M17组成电路有一段时间同时保持导通，加快采样开关的关断速度。本电路有效地提高了栅压自举采样开关电路的线性度及开关速度，从而有效地改善了栅压采样开关电路整体性能。
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公开(公告)号：CN107861557B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201711057698.0
申请日：2017-11-01
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路，包括一阶带隙基准电路、高温区域温度曲率补偿电路、低温区域温度分段补偿电路以及启动电路。本发明采用源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏极与衬底分别构成二极管的正向端与反向端，利用源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏‑衬底电压产生负温度系数电压VCTAT以及两个源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏‑衬底电压之差产生正温度系数电压VPTAT，负温度系数电压VCTAT与正温度系数电压VPTAT进行加权获得一阶带隙基准电压，将高温区域温度曲率补偿电压VNL1以及低温区域温度分段补偿电压VNL2引入到一阶带隙基准电路，获得低温度系数的带隙基准电压，从而获得了一种MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路。
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公开(公告)号：CN109254612B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201811069122.0
申请日：2018-09-13
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种高阶温度补偿的带隙基准电路，包括一阶带隙基准电路、高温区域曲率补偿电路、低温区域分段补偿电路、低温区域曲率补偿电路以及启动电路。本发明采用源极、漏极及栅极短接的PMOS管的漏极‑衬底电压产生负温度系电压，采用两个源极、漏极及栅极短接的PMOS管的漏‑衬底电压之差产生正温度系数电压，并将正温度系数电压与负温度系数电压进行加权求和获得一阶带隙基准参考电压，利用高温区域曲率补偿电路中电流I16、低温区域分段补偿电路中电流I22以及低温区域曲率补偿电路中电流I24在电阻R7上产生的电压分别对带隙基准参考电压进行温度补偿，从而实现一种高阶温度补偿的带隙基准电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106655758B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610914839.5
申请日：2016-10-20
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明请求保护一种锁相环中的单粒子辐射加固电荷泵电路，包括基本电荷泵电路，其还包括辐射加固电路以及偏置电路，所述基本电荷泵电路的信号输出端电连接所述辐射加固电路的信号输入端，所述辐射加固电路的信号输出端电连接所述基本电荷泵电路的单粒子辐射敏感结点端，所述偏置电路的输出端电连接所述辐射加固电路的电压输入端；所述辐射加固电路用于对基本电荷泵电路的相应结点受到高能单粒子轰击时产生补偿电流以补偿单粒子瞬态脉冲电流；所述偏置电路用于为所述辐射加固电路提供偏置，使得所述辐射加固电路中的辐射补偿电流管在基本电荷泵电路的相应结点未受到单粒子瞬态轰击时不工作。本电路提高锁相环的抗单粒子辐射能力。
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公开(公告)号：CN109194327A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811008418.1
申请日：2018-08-31
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03L7/089
Abstract: 本发明请求保护一种用于延迟锁相环的低失配率的电荷泵电路，主要包括带电流补偿的偏置电路、电流轮式电荷泵电路以及负反馈电流补偿电路。在电流轮式电荷泵电路中采用虚拟开关管能有效地抑制电荷注入和时钟馈通等效应，在PMOS管M7的源漏端以及NMOS管M16的源漏端分别加入PMOS管M18构成的MOS电容以及NMOS管M6构成的MOS电容，能减少电荷泵电路的开关管在同时开启或同时闭合时的电流毛刺；将补偿电流I2、补偿电流I4、补偿电流I21以及补偿电流I26引入到电流轮式电荷泵电路中，减少电荷泵电路的充/放电电流的失配率，从而实现一种用于延迟锁相环的低失配率的电荷泵电路。
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公开(公告)号：CN107861557A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711057698.0
申请日：2017-11-01
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路，包括一阶带隙基准电路、高温区域温度曲率补偿电路、低温区域温度分段补偿电路以及启动电路。本发明采用源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏极与衬底分别构成二极管的正向端与反向端，利用源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏-衬底电压产生负温度系数电压VCTAT以及两个源极、漏极与栅极短接的PMOS管的漏-衬底电压之差产生正温度系数电压VPTAT，负温度系数电压VCTAT与正温度系数电压VPTAT进行加权获得一阶带隙基准电压，将高温区域温度曲率补偿电压VNL1以及低温区域温度分段补偿电压VNL2引入到一阶带隙基准电路，获得低温度系数的带隙基准电压，从而获得了一种MOS管实现二极管的高阶温度补偿带隙基准电路。
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公开(公告)号：CN106655758A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610914839.5
申请日：2016-10-20
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H02M3/07
CPC classification number: H02M3/07
Abstract: 本发明请求保护一种锁相环中的单粒子辐射加固电荷泵电路，包括基本电荷泵电路，其还包括辐射加固电路以及偏置电路，所述基本电荷泵电路的信号输出端电连接所述辐射加固电路的信号输入端，所述辐射加固电路的信号输出端电连接所述基本电荷泵电路的单粒子辐射敏感结点端，所述偏置电路的输出端电连接所述辐射加固电路的电压输入端；所述辐射加固电路用于对基本电荷泵电路的相应结点受到高能单粒子轰击时产生补偿电流以补偿单粒子瞬态脉冲电流；所述偏置电路用于为所述辐射加固电路提供偏置，使得所述辐射加固电路中的辐射补偿电流管在基本电荷泵电路的相应结点未受到单粒子瞬态轰击时不工作。本电路提高锁相环的抗单粒子辐射能力。
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公开(公告)号：CN104977969A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510372203.8
申请日：2015-06-30
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供了一种高电源抑制比高阶曲率补偿的带隙基准参考电路，包括启动电路、前调整器电路、带隙基准电路、低温区域分段线性温度补偿电路、高温区域与绝对温度T1.5成正比的温度补偿电路、高温区域分段线性温度补偿电路。本发明通过将低温区域分段线性温度补偿电流及高温区域与绝对温度T1.5成正比的温度补偿电流加入传统带隙基准参考电路中，并从传统带隙基准参考电路中抽走高温区域分段线性温度补偿电流，从而得到高阶曲率补偿的基准电压；将负反馈前调整器技术加入到高阶曲率补偿的基准电压中，从而得到高电源抑制比高阶曲率补偿的带隙基准参考电路。
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