-
公开(公告)号：CN104762613A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510203385.6
申请日：2015-04-27
Applicant: 重庆文理学院
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明公开了一种超声喷雾热解镀膜装置，包括气柜（1）、超声雾化装置、喷雾头、和带基片（2）的加热台（3），其特征是：所述气柜（1）通过进气管（4）与超声雾化装置连通，所述超声雾化装置通过管道（5）与喷雾头连通，所述喷雾头位于加热台（3）方且与加热台（3）相对应，在所述加热台（3）下方设置有XY移动平台（13），在所述超声雾化装置外设置有冷却装置。本发明具有结构设计巧妙、操作方便、成本低廉的优点，采用它不但能够长时间进行大面积薄膜的制备，使薄膜的产品面积和厚度得到控制，而且还解决了镀膜过程中滴水问题的产生，提高了薄膜产品的成品率及品质。
-
公开(公告)号：CN102765747B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201210279355.X
申请日：2012-08-07
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明涉及一种具有尖晶石结构的正钛酸镁纳米纤维材料及制备方法，属于无机纳米材料技术领域。首先以定量滤纸为模板，通过表面溶胶凝胶法制备了精确复制滤纸纤维复杂而独特微观形貌的二氧化钛纳米管；将这种氧化钛纳米管在自制的不锈钢反应釜中，通过金属高温镁热还原得到正钛酸镁纳米纤维材料。利用本发明制备的正钛酸镁纳米材料，微观结构为具有人造尖晶石结构的正钛酸镁单晶颗粒纵向排列形成的具有珠串状结构的纳米纤维，又由于继承了原始滤纸模板的结构，其宏观形貌为纸片状。和正钛酸镁微纳米颗粒相比，这种新型的正钛酸镁纳米纤维由于其较大的宏观尺寸和特殊的微观结构，在发展新型微波器件和电子元件领域具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN102765747A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210279355.X
申请日：2012-08-07
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明涉及一种具有尖晶石结构的正钛酸镁纳米纤维材料及制备方法，属于无机纳米材料技术领域。首先以定量滤纸为模板，通过表面溶胶凝胶法制备了精确复制滤纸纤维复杂而独特微观形貌的二氧化钛纳米管；将这种氧化钛纳米管在自制的不锈钢反应釜中，通过金属高温镁热还原得到正钛酸镁纳米纤维材料。利用本发明制备的正钛酸镁纳米材料，微观结构为具有人造尖晶石结构的正钛酸镁单晶颗粒纵向排列形成的具有珠串状结构的纳米纤维，又由于继承了原始滤纸模板的结构，其宏观形貌为纸片状。和正钛酸镁微纳米颗粒相比，这种新型的正钛酸镁纳米纤维由于其较大的宏观尺寸和特殊的微观结构，在发展新型微波器件和电子元件领域具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN119364918A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411412650.7
申请日：2024-10-11
Applicant: 重庆文理学院
IPC: H10F77/20 , H10F30/222 , H10F71/00
Abstract: 一种紫外窗口电极，所述电极是由银纳米线薄膜和乙酰丙酮铪制备的保护层形成的复合薄膜电极，复合薄膜电极包括银纳米线薄膜以及其表面的保护层，所述保护层是乙酰丙酮铪为铪源溶于甲醇、乙二醇甲醚和冰乙酸组成的混合溶剂中形成的保护层前驱液旋涂在银纳米线薄膜表面，然后退火形成的复合成分组成的薄膜层。本发明中以乙酰丙酮铪制备前驱液，在银纳米线薄膜表面制备复杂组分组成的致密保护层，从而形成复合窗口电极，对银纳米线薄膜形成完整的包裹，保证了电极具有高透光性的同时，有效提高了电极与导电器件界面结合力，提高了电荷收集效率和传输稳定性，从而提高了探测器探测性能，同时使得紫外探测器件具有良好的环境稳定性。
-
公开(公告)号：CN117008233A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310758011.5
申请日：2023-06-26
Applicant: 重庆文理学院
IPC: G02B5/02 , G02B1/00 , G02F1/13357
Abstract: 本发明公开了一种立构复合型聚乳酸层的光学复合膜及其制备方法。所述复合膜包括光扩散层和光增亮层，光扩散层为基于立构复合型聚乳酸的纳米复合物，光增亮层为表面具有微棱镜结构的光固化树脂。所述方法包含以下步骤：(1)制备光扩散层薄膜；(2)将改性丙烯酸树脂涂覆在光扩散薄膜上，采用表面具有微结构的模具对其进行模压并同时进行紫外光固化成型。本发明提供的光学复合膜，兼具光扩散和光增亮的效果，同时展现出优异的机械性能和可降解性，与传统光学薄膜相比，可以减少液晶背光模组的厚度和重量，顺应未来液晶显示轻薄化的发展趋势，具有很好的应用前景。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116908946A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310773802.5
申请日：2023-06-28
Applicant: 重庆文理学院
IPC: G02B5/02 , G02F1/13357
Abstract: 本发明公开了一种可降解扩散层的光学复合膜及其制备方法。该复合膜包括光扩散层和光增亮层，所述光扩散层为可降解高分子纳米复合物，所述光增亮层为表面具有微棱镜结构的光固化树脂。所述方法包含以下步骤：(1)将无机纳米粒子进行改性处理，与可降解高分子材料复合制备得到光扩散层胶液，并将胶液涂覆在可降解高分子薄膜的表面得到光扩散层薄膜；(2)将改性丙烯酸树脂涂覆在光扩散薄膜上，采用表面具有微结构的模具对其进行模压并同时进行紫外光固化成型。本发明提供的可降解光学复合膜，不仅兼具光扩散和光增亮的效果，同时展现出优异的机械性能，与传统光学薄膜相比，可以减少液晶背光模组的厚度和重量，具有很好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN115847575A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211494210.1
申请日：2022-11-25
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明公开了一种用于岩板生产的翻转脱模式布料压制装置，包括有工作箱，所述工作箱内设置有隔板、模具箱，所述隔板将工作箱内的腔体分隔为上腔室和下腔室，所述上腔室内设置有用于带动模具箱沿左右方向水平移动的移动组件、传动移动组件同步配合的布料组件、用于压制岩板的升降组件，所述下腔室内设置有用于上下抖动模具箱的抖动组件、翻转脱模组件、用于带动模具箱与移动组件锁定的复位组件，所述隔板的上端面沿左右方向开设有连通上腔室和下腔室的第一开槽，所述升降组件、抖动组件、翻转脱模组件从上到下依次排列，所述模具箱在移动组件和复位组件的带动下沿回形轨迹移动。
-
公开(公告)号：CN113644146B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110906752.4
申请日：2021-08-09
Applicant: 重庆文理学院
IPC: H01L31/032 , H01L31/042 , H01L31/18
Abstract: 一种用于太阳能电池的薄膜，其成分的化学表达为AgInxSbS(2+3x/2)(Se)，其中x=0.25~1.0；本发明中AgInxSbS(2+3x/2)(Se)薄膜纯度高，结晶度好、晶粒尺寸大，孔洞、缝隙等缺陷少，本发明方法降低了Se对薄膜结构损害，制备的薄膜致密性、均匀性优异，以该薄膜作为吸收层的ITO/CdS/AgInxSbS(2+3x/2)(Se)/Au太阳能电池具有优异的电性能，Jsc达到20.65mA cm‑2，FF达到42.8%，PEC达到最大值为1.98%，EQE达到70%；均有优异的稳定性。
-
公开(公告)号：CN113265530B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110701719.8
申请日：2021-06-24
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明涉及一种利用热电的管状零件淬火冷却设备，包括有冷却水池内有冷却液，冷却水池内设置有升降单元，升降单元的升降端上设置有升降平台，升降平台上设置有滚动支撑单元，滚动支撑单元上放置有待冷却的管状淬火零件，升降单元通过升降平台带动待冷却的管状淬火零件沉入冷却液内，滚动支撑单元上设置有利用待冷却的管状淬火零件的热量进行发电的温差发电单元，温差发电单元与蓄电池电性连接，蓄电池为动力单元提供能量，动力单元为升降单元提供升降动力。本申请通过温差发电单元利用待淬火冷却的零件的高温进行发电，为升降平台提供升降动力，通过升降平台的升降带动滚动支撑单元上的零件往复滚动，并沉入冷却液中，进行淬火冷却。
-
公开(公告)号：CN114715898A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210280440.1
申请日：2020-11-20
Applicant: 重庆文理学院
IPC: C01B33/021 , B82Y40/00 , H01M4/38 , H01M10/052
Abstract: 一种高密度的二维硅基纳米材料，包括硅纳米片和硅基板，且硅纳米片垂直于硅基板并形成阵列；硅纳米片之间的间距达到10~100nm，硅纳米片组成的阵列呈现对称形貌，厚度在5~150nm之间；它是按照以下步骤制备而得的：将硅基板预处理后与钙于真空中分段加热反应，后降至室温，再置于氯化锰的乙醇溶液浸泡，然后与氯化锰颗粒分别置于分段加热炉的两端，全程通入氮气，将氯化锰颗粒一端加热至700~830℃，基板一端加热至500~600℃保温反应，反应结束后冷却至室温。本发明纳米材料中硅纳米片不团聚、不垮塌，厚度在5~150nm之间可有效调控，高度达到2μm左右，产率高，形成高密度的硅纳米片阵列。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
124
records
(took 0.029 seconds)
