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公开(公告)号：CN117790569A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311738402.7
申请日：2023-12-15
Applicant: 重庆大学 , 重庆溢哲渝科技有限公司 , 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本申请涉及功率半导体电力电子器件技术领域，提供了一种具有栅氧介质层的鳍型异质结场效应晶体管，包括：漏极金属层；衬底层设置于漏极金属层上方；鳍型漂移层设置于衬底层背离漏极金属层的一侧，且鳍型漂移层的凸出部远离衬底层；第一导电层的第一部分设置于鳍型漂移层上，第一导电层的第二部分覆盖凸出部的两个侧壁；屏蔽层设置于第一导电层的第一部分上，并与第一导电层的第二部分接触；栅氧介质层的第一部分设置于屏蔽层上，栅氧介质层的第二部分覆盖第一导电层的第二部分；栅金属层设置于栅氧介质层上；钝化层覆盖栅金属层，且部分与凸出部的两个侧壁接触；第二导电层设置于凸出部的顶部；源极金属层设置于第二导电层上。
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公开(公告)号：CN116845112A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310826403.0
申请日：2023-07-05
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 重庆大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种混合导通机制二极管，包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；锗硅区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述锗硅区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；阳极结构，分别接触所述第二导电类型体区、所述第一导电类型漂移区和所述锗硅区；其中，在正向导通时，所述锗硅区与所述阳极结构的接触处形成空穴导通通道。本申请可通过混合导通机制提高器件大电流导通性能以及抗单粒子辐照性能。
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公开(公告)号：CN108206640B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201711461280.6
申请日：2017-12-28
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种同步整流模块、整流方法及其制造方法，同步整流模块包括MOS管、控制芯片和电容；制造方法包括以下步骤：S1，使用软焊料工艺对MOS管进行粘片；S2，使用点胶工艺对控制芯片和电容进行粘片，粘片后进行高温氮气烘烤固化；S3，使用铝带焊接工艺对MOS管进行连接，使用铜线焊接工艺对控制芯片和电容进行连接；S4，使用低应力、耐高温塑封料进行塑封，然后烘烤固化；S5，烘烤固化后进行去溢料、电镀、切筋分粒、测试并进行包装，完成同步整流模块的制造。本发明能够有效的降低器件功率损耗。
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公开(公告)号：CN108206640A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711461280.6
申请日：2017-12-28
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种同步整流模块、整流方法及其制造方法，同步整流模块包括MOS管、控制芯片和电容；制造方法包括以下步骤：S1，使用软焊料工艺对MOS管进行粘片；S2，使用点胶工艺对控制芯片和电容进行粘片，粘片后进行高温氮气烘烤固化；S3，使用铝带焊接工艺对MOS管进行连接，使用铜线焊接工艺对控制芯片和电容进行连接；S4，使用低应力、耐高温塑封料进行塑封，然后烘烤固化；S5，烘烤固化后进行去溢料、电镀、切筋分粒、测试并进行包装，完成同步整流模块的制造。本发明能够有效的降低器件功率损耗。
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公开(公告)号：CN106098565A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610516692.4
申请日：2016-07-04
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2224/37124 , H01L2224/40245 , H01L2224/48247 , H01L2224/83801 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L21/4842 , H01L21/4825 , H01L21/4882 , H01L21/56 , H01L23/3114 , H01L23/3677 , H01L23/4952 , H01L23/49537 , H01L23/49555 , H01L23/49568 , H01L23/49579
Abstract: 本发明公开了一种双面散热带引脚薄型扁平封装功率半导体器件的生产方法，包括(1)划片、(2)软焊料上芯、(3)第二管脚与芯片的连接键合、(4)塑封等步骤，在步骤(3)中，采用焊接劈刀在芯片上压出长条形带有菱形花纹的焊接点，将铝带的一端与芯片焊接；再用焊接劈刀在第二管脚上压出长条形带有菱形花纹的焊接点，将铝带的另一端与芯片焊接；铝带除焊接点外，其余部位均向上拱起，铝带向上拱起的高度不超过420um；在步骤(4)中，塑封后，铝带拱起部位的顶面距离塑封料的顶面厚度为100um‑200um。采用双面散热两排内嵌式引脚扁平封装方法，能够迅速将热量传导到器件表面，达到迅速散热从而保护产品的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104916737A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410745589.8
申请日：2014-12-09
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/048
Abstract: 本发明公开了一种新型光伏旁路模块的封装工艺，包括以下步骤：使用软焊料工艺对MOSFET进行粘片，使用超声波压焊工艺对MOSFET进行粗铝丝压焊；使用点胶工艺对智能控制电路芯片和电容进行粘片，粘片后进行高温氮气烘烤固化；使用金丝压焊工艺对智能控制电路芯片、电容和MOSFET进行连接；使用低应力、高导热的塑封材料进行塑封，然后烘烤固化；烘烤固化后进行去溢料、电镀、切筋分粒、测试并进行包装，完成所述光伏旁路模块的封装。本发明通过对封装工艺优化，有效降低了MOSFET的导通电阻，提高了抗浪涌电流冲击能力，降低了压焊金丝的成本，提高了光伏旁路模块的导热性能，使光伏旁路模块能够满足太阳能接线盒内使用的要求。
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公开(公告)号：CN104916737B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201410745589.8
申请日：2014-12-09
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光伏旁路模块的封装工艺，包括以下步骤：使用软焊料工艺对MOSFET进行粘片，使用超声波压焊工艺对MOSFET进行粗铝丝压焊；使用点胶工艺对智能控制电路芯片和电容进行粘片，粘片后进行高温氮气烘烤固化；使用金丝压焊工艺对智能控制电路芯片、电容和MOSFET进行连接；使用低应力、高导热的塑封材料进行塑封，然后烘烤固化；烘烤固化后进行去溢料、电镀、切筋分粒、测试并进行包装，完成所述光伏旁路模块的封装。本发明通过对封装工艺优化，有效降低了MOSFET的导通电阻，提高了抗浪涌电流冲击能力，降低了压焊金丝的成本，提高了光伏旁路模块的导热性能，使光伏旁路模块能够满足太阳能接线盒内使用的要求。
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公开(公告)号：CN108831835A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810651307.6
申请日：2018-06-22
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 一种功率半导体器件的形成方法，包括：提供第一类型掺杂的半导体层，所述半导体层表面形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体层内形成第二类型掺杂的体区；在所述体区之间的半导体层内形成载流子吸收区。所述功率半导体器件的形成方法所形成的功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。
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公开(公告)号：CN108831834A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810651306.1
申请日：2018-06-22
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 一种功率半导体器件的形成方法，包括：提供第一类型掺杂的半导体层；在所述半导体层表面形成具有开口的图形化掩膜层；采用扩散工艺对所述开口下方的半导体层内进行离子掺杂，形成载流子吸收区，所述扩散工艺采用的掺杂离子能够在所述载流子吸收区内形成能级缺陷。所述功率半导体器件的形成方法所形成的功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。
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公开(公告)号：CN202159666U
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201120238001.1
申请日：2011-07-07
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/48247 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本实用新型公开了一种新型整流模块，用于摩托车专用线路，包括金氧半场效晶体管和二极管，将金氧半场效晶体管和二极管整体封装在一个封装体内，只留出与其它电路焊接的引脚，金氧半场效晶体管和二极管的连接端分别于引脚对应连接。由于本实用新型将多芯片封装在同一个封装体内，使用时省去了很多繁琐的工作，简单实用；由于采用了MOSFET作为开关，所以本实用新型具有结构简单、功耗低、导通电阻低、开关速度快的优点，配合适当的控制电路，可以实现调压输出等功能，也可非常方便的构成全桥、三相桥等。
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