碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件单元中的电场屏蔽

    公开(公告)号:CN109155336B

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN201780032193.0

    申请日:2017-05-23

    Abstract: 本文中公开的主题涉及半导体功率器件,例如碳化硅(SiC)功率器件。具体而言,本文中所公开的主题涉及断开或连接的屏蔽区,其减小在反向偏置下在半导体器件的相邻器件单元的阱区之间存在的电场。所公开的屏蔽区占据在相邻器件单元之间的JFET区的最宽部分,使得在屏蔽区和围绕器件单元的阱区之间的距离小于在两个相邻器件单元之间的平行JFET宽度,同时保持沟道区宽度和/或JFET区密度大于相当的常规带状器件的沟道区宽度和/或JFET区密度。因此,所公开的屏蔽区和器件布局使得相对于相当尺寸的常规带状器件有优异的性能,同时仍提供类似的可靠性(例如在反向偏置时长期的高温稳定性)。

    具有优化层的碳化硅金属氧化物半导体(MOS)装置中的电场屏蔽

    公开(公告)号:CN109155329A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201780032207.9

    申请日:2017-05-23

    Abstract: 本文中公开的主题涉及碳化硅(SiC)功率装置。具体地,本公开涉及供与优化层组合使用的屏蔽区。公开的屏蔽区降低了在反向偏置下半导体装置的邻接装置单元的阱区之间存在的电场。公开的屏蔽区占据在相邻装置单元之间的JFET区的一部分并且在邻接装置单元的角接触的JFET区的最宽部分中中断优化层的连续性。公开的屏蔽区和装置布局启用相对于可比较的尺寸的常规的带状装置更好的性能,同时仍然提供相似的可靠性(例如,处于反向偏置的长期、高温稳定性)。

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