公开(公告)号：CN108780816B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201780019386.2

申请日：2017-02-23

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P.A.罗西 ,  L.D.斯特瓦诺维奇 ,  G.T.邓恩 ,  A.V.博罗特尼科夫

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/08 ,  H01L29/808 ,  H01L29/745 ,  H01L29/739

Abstract: 本文中提供了碳化硅（SiC）装置的实施例。在一些实施例中，碳化硅（SiC）装置可以包括布置在SiC半导体层之上的栅电极，其中SiC半导体层包括：具有第一导电类型的漂移区域；布置在邻接于漂移区域的阱区域，其中阱区域具有第二导电类型；以及布置在邻接于阱区域的、具有第一导电类型的源区域，其中源区域包括源接触区域和收缩区域，其中收缩区域仅部分布置在栅电极之下，其中收缩区域中的薄片掺杂密度低于2.5x1014 cm‑2，并且其中收缩区域配置为在高于SiC装置的标称电流密度的电流密度耗尽以增加源区域的电阻。

公开(公告)号：CN108780816A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780019386.2

申请日：2017-02-23

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P.A.罗西 ,  L.D.斯特瓦诺维奇 ,  G.T.邓恩 ,  A.V.博罗特尼科夫

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/08 ,  H01L29/808 ,  H01L29/745 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/745 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8083

Abstract: 本文中提供了碳化硅（SiC）装置的实施例。在一些实施例中，碳化硅（SiC）装置可以包括布置在SiC半导体层之上的栅电极，其中SiC半导体层包括：具有第一导电类型的漂移区域；布置在邻接于漂移区域的阱区域，其中阱区域具有第二导电类型；以及布置在邻接于阱区域的、具有第一导电类型的源区域，其中源区域包括源接触区域和收缩区域，其中收缩区域仅部分布置在栅电极之下，其中收缩区域中的薄片掺杂密度低于2.5x1014 cm-2，并且其中收缩区域配置为在高于SiC装置的标称电流密度的电流密度耗尽以增加源区域的电阻。