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公开(公告)号：CN119522218A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380049094.9
申请日：2023-06-23
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: C07D403/10 , H10K85/60
Abstract: 本发明涉及一种化合物、一种包含所述化合物的有机半导体材料、一种包含所述有机半导体材料的有机电子器件，以及一种制备所述有机电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN115101685A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210630666.X
申请日：2018-01-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种包括包含发光层、空穴传输层和电子传输层的限定层布置的电致发光器件。具体地，本发明涉及一种电致发光器件，其包括：‑至少一个阳极层，‑至少一个阴极层，‑至少一个发光层，‑至少一个第一空穴传输层，‑至少一个第一电子传输层；其中为了提高功率效率，所述发光层、所述空穴传输层和所述电子传输层的组成相互匹配，其中‑所述至少一个发光层包含：‑包埋在至少一种极性发光体主体化合物中的至少一种荧光发光体化合物，其中‑所述至少一种极性发光体主体化合物具有至少三个芳环，所述芳环独立地选自碳环和杂环；‑所述第一电子传输层包含：‑至少一种氧化还原n型掺杂剂，和‑至少一种第一电子传输基质化合物。
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公开(公告)号：CN115084399A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210634813.0
申请日：2018-01-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种包括包含发光层、空穴传输层和电子传输层的限定层布置的电致发光器件。具体地，本发明涉及一种电致发光器件，其包括：‑至少一个阳极层，‑至少一个阴极层，‑至少一个发光层，‑至少一个第一空穴传输层，‑至少一个第一电子传输层；其中为了提高功率效率，所述发光层、所述空穴传输层和所述电子传输层的组成相互匹配，其中‑所述至少一个发光层包含：‑包埋在至少一种极性发光体主体化合物中的至少一种荧光发光体化合物，其中‑所述至少一种极性发光体主体化合物具有至少三个芳环，所述芳环独立地选自碳环和杂环；‑所述第一电子传输层包含：‑至少一种氧化还原n型掺杂剂，和‑至少一种第一电子传输基质化合物。
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公开(公告)号：CN109314191B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201780029624.8
申请日：2017-04-07
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 朱莉恩·弗雷 , 多玛果伊·帕维奇科
Abstract: 本发明涉及一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包含阳极，阴极，至少一个发光层和有机半导体层，其中所述有机半导体层布置在所述阳极与所述阴极之间，并且所述有机半导体层包含碱金属有机络合物和式1化合物，其中X选自O、S或Se；并且R1和R2独立地选自C6至C18芳基基团和C5至C18杂芳基基团，其中R1和R2中的每一个可独立地是未被取代的或被至少一个C1至C12烷基基团或C1至C12烷氧基基团，优选C1至C4烷基基团或C1至C4烷氧基基团取代；并且各R3、R4、R5和R6独立地选自H、C1至C12烷基基团或C1至C12烷氧基基团，优选H、C1至C4烷基基团或C1至C4烷氧基基团；并涉及制备所述有机发光二极管的方法以及所述有机发光二极管中包含的式1化合物。
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公开(公告)号：CN108352456A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680056658.1
申请日：2016-09-27
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 多玛果伊·帕维奇科 , 卡斯滕·洛特 , 维金塔斯·扬库什 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 杰罗姆·加尼耶
IPC: H01L51/52
Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光器件，其包含阳极、阴极、发光层、包含第一基质化合物的未掺杂的电子传输层以及包含第二基质化合物和碱金属有机络合物和/或碱金属卤化物的电子注入层，其中所述未掺杂的电子传输层和所述电子注入层布置在所述发光层与阴极之间，其中所述第一基质化合物的还原电势没有9,10-二(萘-2-基)蒽的还原电势这么负，但比4,4’-双(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)联苯的还原电势更负，其中在两种情况下的所述还原电势是在四氢呋喃中相对于Fc/Fc+测量的；并且所述第一基质化合物的偶极矩被选择为≥0德拜且≤2.5德拜，并且所述第二基质化合物的偶极矩被选择为>2.5德拜且
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107438908A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201680020759.3
申请日：2016-04-07
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 朱莉恩·弗雷 , 多玛果伊·帕维奇科 , 乌尔里希·登克尔 , 维金塔斯·扬库什 , 卡斯滕·罗特 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 卡特娅·格雷斐 , 乌尔里希·黑格曼 , 欧姆莱恩·法德尔
CPC classification number: H01L51/0052 , C07F9/5325 , C07F9/65517 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/0073 , H01L51/0077 , H01L51/008 , H01L51/5072 , H01L51/5076 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L2251/552
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料，其包含：i)式(I)的化合物：其中R1、R2和R3独立地选自C1‑C30烷基、C3‑C30环烷基、C2‑C30杂烷基、C6‑C30芳基、C2‑C30杂芳基、C1‑C30烷氧基、C3‑C30环烷氧基、C6‑C30芳氧基，以及选自具有通式E‑A‑的结构单元，其中A为C6‑C30亚苯基间隔单元，以及E为电子传输单元，其选自C10‑C60芳基和包含至多6个独立地选自O、S、P、Si和B的杂原子的C6‑C60杂芳基，并且包含具有至少10个离域电子的共轭系统，并且至少一个选自R1、R2和R3的基团具有通式E‑A‑；和ii)至少一种式(II)的单价金属的复合物：其中M+为携带单一基本电荷的正金属离子，并且A1、A2、A3和A4各自独立地选自H、取代或未取代的C6‑C20芳基和取代或未取代的C2‑C20杂芳基，其中所述取代或未取代的C2‑C20杂芳基的含至少5个成环原子的杂芳基环包含至少一个选自O、S和N的杂原子。
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公开(公告)号：CN109761920B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201811317441.9
申请日：2018-11-07
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 本杰明·舒尔策 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 多玛果伊·帕维奇科
IPC: C07D251/24 , C07D401/10 , C07D405/04 , C07D405/14 , H10K85/60
Abstract: 本发明涉及一种包含三嗪基团、芴基团和芳基基团的化合物。具体地，本发明涉及一种根据式1的化合物，所述化合物适合用作电子器件的层材料，并且涉及包含至少一种根据式1的化合物的有机半导体层，以及涉及包括至少一个所述有机半导体层的有机电子器件和制造所述有机电子器件的方法。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115362571A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180019564.8
申请日：2021-06-14
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 安斯加尔·维尔纳 , 杰罗姆·加尼耶 , 多玛果伊·帕维奇科 , 斯特芬·伦格 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹
IPC: H01L51/54 , C07C13/04 , C07C255/09
Abstract: 本发明涉及有机发光二极管，所述有机发光二极管包含阳极、阴极、第一发光层、第二发光层、第一电荷产生层和第一电子传输层叠层结构；并且涉及包含该有机发光二极管的显示器件或照明器件。
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公开(公告)号：CN111448188A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201880070647.8
申请日：2018-11-01
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 多玛果伊·帕维奇科 , 本杰明·舒尔策
IPC: C07D401/10 , C07D251/24 , H01L51/00
Abstract: 本发明涉及一种由通式(I)表示的化合物：(式I)、包含所述化合物的有机半导体层、包括所述有机半导体层的有机电子器件以及包括所述有机电子器件的装置。
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