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公开(公告)号：CN103178354A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310101481.0
申请日：2013-03-27
Applicant: 浙江大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用编织方式抑制无源互调的网状反射面天线。网状反射面天线由直径小于1/50工作波长的圆柱形金属丝构成，每个编织基本单元均为两组正交的金属丝构成；对于线极化发射源，一组互相平行等间距的金属丝沿着电场极化方向进行排列，并对准线极化方向，另一组互相平行的金属丝与其正交编织；对于圆极化发射源，网状反射天线由金属丝组成的同心圆与径向成发散状的金属丝交叉编织而成。由于无源互调发生的概率随着接触点电流的增加而递增来设计网状反射面天线，使电场极化方向始终平行、或近似平行于某一方向金属丝，使表面电流无法通过不同方向金属丝的接触点，从而抑制无源互调的产生。本发明在系统设计阶段提前抑制无源互调的产生。
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公开(公告)号：CN102931985A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210430915.7
申请日：2012-10-31
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H03L7/18
Abstract: 一种相位可调的多载波合成信号产生系统，由多载波合成信号产生模块、合成信号检测及自适应调整模块构成。多载波合成信号产生模块由相位可调的信号发生装置、多个功率放大器和输出多工器组成，实现指定频率指定相位的多载波信号合成。合成信号检测及自适应调整模块由定向耦合器、示波器和具有可访问信号发生装置的主控计算机组成，通过主控计算机控制信号发生装置所产生信号的频率、相位和幅度。信号发生装置产生多路信号，经放大器后采用输出多工器进行合成，采用定向耦合器对合成信号进行提取，主控计算机对提取信号经逆傅里叶变换获取其合成后的相对相位，由此获得不同载波信号的相位延迟并控制信号发生装置，实现特定相位多载波合成信号输出。
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公开(公告)号：CN102930102A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210433605.0
申请日：2012-10-31
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微波部件二次电子倍增仿真中粒子合并方法，首先建立微波部件的三维几何模型并建立粒子模拟区域进行二次电子倍增效应数值模拟，然后设置粒子合并阈值并在粒子模拟区域的总粒子数目大于粒子合并阈值后进行粒子合并，通过将粒子按照速度相空间进行分类并按能量大小每四个粒子分为一个集合，在每个集合中将四个粒子合并为两个，并对剩余粒子进行补偿实现粒子模拟区域所有粒子的合并。本发明方法保证了合并前后粒子能量守恒与相空间分布一致，可在微波部件二次电子倍增仿真中多次应用，实现计算效率的成倍提高，非常适用于在一定硬件条件下大幅度提高大功率微波部件微放电、低气压放电数值分析效率。
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公开(公告)号：CN115261776A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210869639.8
申请日：2022-07-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C8/36
Abstract: 本发明提供了一种基于等离子体氟化抑制微波部件材料二次电子发射的方法，采用惰性气体掺杂六氟化硫放电产生的等离子体射流处理微波部件材料表面，通过在材料表面沉积含氟官能团的方式实现对材料表面的氟化处理，利用强电负性的氟元素表面沉积实现对微波部件材料二次电子发射过程的抑制。该方法所需设备简单、造价低廉、工艺流程简便、处理时间短，通过沉积含氟官能团实现氟化的方式不会显著改变材料本体介电特性，所利用的冷等离子体适用于不耐高温的聚合物介质材料，等离子体吹拂的处理方式适用于具有复杂形貌的微波部件。本技术方案在抑制微波部件微放电、提升微波部件可靠性领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN107124233B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201710256836.1
申请日：2017-04-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H04B17/00
Abstract: 一种采用电桥结合滤波器实现宽带无源互调测量的装置及方法，载波信号通过待测件后产生无源互调信号，通过电桥和滤波器的组合实现载波信号和无源互调信号的分离，载波信号被载波吸收负载吸收，无源互调信号通过低噪声放大器后由频谱仪进行检测，本发明采用90°相位3dB电桥与低通滤波器相结合，利用电桥的宽带特性，实现宽带范围的无源互调信号接收，同时通过低通滤波器实现载波信号和互调信号的分离，通过90°相位3dB电桥和低通滤波器的灵活组合，同时实现了宽带和高隔离度性能，有效避免了传统方法中实现宽带无源互调测量时存在的高隔离和宽带宽的矛盾，降低了设计实现难度，可以实现宽带范围内的高灵敏度无源互调产物测试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110569564A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910764621.X
申请日：2019-08-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种穿舱法兰介质窗微放电阈值预测方法，首先设置输入和输出端口，并进行直六面体网格剖分，在真空一侧介质表面加载正的初始面电荷，并采用静电场求解方法获得所加载初始电荷的静态电场分布，将该静态电场作为偏置，在外加射频激励信号的作用下，采用PIC算法对微放电过程进行仿真，通过判断电子数目随时间的变化来判断是否发生了微放电，对输入信号的功率进行迭代，最终获得满足指定阈值精度的微放电阈值。
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公开(公告)号：CN107154826A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710292990.4
申请日：2017-04-28
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H04B17/29
Abstract: 一种确定大功率微波部件高阶无源互调电平的方法，(1)预先给定载波频率分别为f1和f2，互调频率为fp(|m|+|n|)＝m*f1+n*f2且为正值，其中，m，n均为非零整数且符号相反并且二者的绝对值差值为1；(2)预先给定N个功率的3阶无源互调电平测量值Pmea3(i),i＝1…N，其中无源互调测量时输入的两路载波信号总功率为Ps(i)，两路载波功率相等，Pc(i)为第i个测试用单路载波功率；(3)获得最小时对应的无源互调输入对数和输出对数之间非线性关系的系数，其中PIM3(i)为载波频率为f1和f2，载波功率相等且均为Pc(i)时在频率fp3处的互调电平；(4)根据(3)获得的系数，确定|m|+|n|阶的无源互调电平PIM(|m|+|n|)(i)，PIM(|m|+|n|)(i)为载波频率为f1和f2，载波功率相等且均为Pc(i)时在频率fp(|m|+|n|)处的互调电平。
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公开(公告)号：CN107104332A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710179476.X
申请日：2017-03-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种无源互调抑制同轴连接器，该电连接器阴头内导体的内侧或者阳头内导体外侧上均匀平整镀覆内导体介质层，使得阳头内导体与阴头内导体之间不存在金属接触；阴头外导体和/或阳头外导体端部从内至外镀覆有外导体介质层，使阴头外导体与阳头外导体之间不存在金属接触。所述内导体介质层和外导体介质层材料为硅、硅类化合物、聚碳酸酯类材料或者聚合物材料。该连接器可以实现无源互调抑制，具有稳定性高、无源互调抑制效果显著等特点，满足航天器及地面通信系统的低无源互调要求，具有广泛的工程应用前景。
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公开(公告)号：CN104091050B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410286017.8
申请日：2014-06-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F19/00
Abstract: 一种确定非均匀场分布多载波微放电二次电子数目的方法，首先对非均匀电场分布区域的横截面进行等分，对每个细分区域进行多载波二次电子统计累积，获得每个细分区域的电子数目后，以二次电子的扩散特性对不同的区间进行二次电子数目的重新分配，以分配后的二次电子数目为初始数目对每个区间再进行二次电子数目统计累积，从而获得非均匀场分布时多载波微放电二次电子数目。
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公开(公告)号：CN106044757A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610378294.0
申请日：2016-05-31
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01P2004/04
Abstract: 一种刻蚀石墨烯纳米孔减小二次电子发射系数的方法，本发明采用结合两种不同方法，涂覆低二次电子发射系数的材料和表面制备陷阱结构：在表面涂覆低二次电子发射系数的石墨烯，然后通过氩离子刻蚀的技术制备纳米孔。技术上通过控制表面涂覆石墨烯的厚度和纳米孔的孔隙率、深宽比实现不同的二次电子发射抑制效果。实验研究发现，金属基片上沉积几纳米至十几纳米不等厚度的石墨烯，二次电子发射系数可以从2.0左右将至1.5‑1.1，在氩离子刻蚀石墨烯纳米孔后，表面的二次电子发射系数降至0.9，实现了电子发射系数从1.5至0.9的可控调节。该技术简单方便，稳定性高，表面无损的状态下涂覆纳米级厚度的导电镀层对器件表面插入损耗影响较小。此技术方案能有效地减小二次电子发射系数，在粒子加速器、真空传输线以及大功率微波部件领域有着广泛的应用前景。
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