基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN107369763A

    公开(公告)日:2017-11-21

    申请号:CN201710412534.9

    申请日:2017-06-05

    Abstract: 本发明涉及一种基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器的制备方法,包括:选取半绝缘半透明衬底;在所述衬底表面淀积形成底电极;在所述底电极表面淀积Ga2O3层;在所述Ga2O3层表面旋涂钙钛矿层;在所述钙钛矿层表面淀积形成顶电极,以完成所述光电探测器的制备。本发明提供的基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器,可以探测从深紫外到近红外的宽范围光谱;具有较高的响应度和探测率,同时具有低的暗电流密度和高的外量子效率;该探测器结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长,生产成本低,无需昂贵的仪器设备等优点。

    多晶硅薄膜晶体管
    23.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101286530B

    公开(公告)日:2010-06-02

    申请号:CN200810018147.8

    申请日:2008-05-08

    Inventor: 刘红侠 栾苏珍

    Abstract: 本发明公开了一种多晶硅薄膜晶体管。主要解决目前多晶硅薄膜器件性能较差,饱和电压较高的问题。整个器件包括玻璃衬底、栅电极、漏电极和源电极,其中栅电极位于玻璃衬底上方,该栅电极的长度覆盖源电极和源漏之间的沟道长度,以同时控制源电极和沟道区。栅电极上淀积有Si3N4介质层,该Si3N4介质层的长度覆盖整个栅电极和漏电极。Si3N4介质层上淀积有本征多晶硅薄,源极和漏极分别设置其两端,且源极采用肖特基金属,并通过栅电压,控制源电极肖特基势垒高度,进而控制器件中的电流大小。本发明比常规多晶硅薄膜器件的饱和电压低10倍,在相同偏压情况下,比常规多晶硅薄膜晶体管的开态电流提高了50%以上,可用于有源矩阵阵列液晶显示器的开关。

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