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公开(公告)号：CN103954680B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410200783.8
申请日：2014-05-13
Applicant: 西安工业大学
IPC: G01N27/64
Abstract: 本发明公开了一种光学薄膜激光毁伤的识别方法及装置，通过采集质荷比分布，用计算机软件进行质谱分析与元素判别，就能确定所毁伤材料中包含的元素种类，从而准确、在线、快速判别出薄膜是否发生损伤。采用该方法的装置由测试样品台、质荷比采集系统及计算机运算系统组成。本发明能够实现在线、实时、快速、准确判别薄膜或光学元件在强激光下的毁伤状态。将该方法应用于激光损伤阈值测试中，可实现测试系统的集成化、自动化、智能化。
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公开(公告)号：CN103163147A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310047480.2
申请日：2013-02-06
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明提出了一种薄膜损伤的判别方法，包括以下步骤：1)将测试光束作用于待测光学薄膜获取背景光能量Eb；2)变化测试光束与待测光学薄膜的角度0，获取在当前角度0的散射光能量Eθ；3)获取测试光束波长处待测光学薄膜的透过率Tλ；4)根据步骤1)一步骤3)中的背景光能量Eb散射光能量Eθ、待测光学薄膜的透过率Tλ，得到相对光能量分布5)建立薄膜损伤判别模型：6)根据步骤5)的薄膜损伤判别模型，判别待测光学薄膜是否损伤；本发明针对不同膜系功能的损伤判别的统一标准，给出了判别损伤标准的方法，损伤判别过程不需要人为干预，即不同测量者可以获得统一的结果。
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公开(公告)号：CN102275906B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110153147.0
申请日：2011-06-09
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及到石墨烯的制备技术领域，特别涉及一种常温制备石墨烯的方法。本发明要克服现有技术需要在高温工艺，以及与半导体工艺不兼容和污染环境的缺点。本发明提供的技术方案是，一种室温制备石墨烯的方法，依次包括下述步骤：（一）取氧化石墨烯溶解于溶剂中获得氧化石墨烯的溶液，（二）经过旋涂或者提拉工艺，在基片表面获得氧化石墨烯薄膜；（三）在常温和真空环境中，氧化石墨烯薄膜经过荷能氢原子/离子/分子处理，还原氧化物石墨烯，获得纯净的石墨烯。本发明的优点是：在室温和真空环境下即可制备石墨烯，摒弃了以往石墨烯制备需要的高温环境，降低了能耗；本发明的制备工艺和目前半导体工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN101718712B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200910219260.7
申请日：2009-12-02
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及一种薄膜及光学元件激光损伤阈值组合测试装置及利用该装置的测试方法。由于现有测试装置和测试方法存在较大的误差、对各种薄膜材料适应性差。本发明的一种薄膜及光学元件激光损伤阈值组合测试装置，包括测试组件和处理组件，测试组件包括Nd:YAG激光器、开关档板，第一分束器、聚焦透镜、第二分束器和样片台，光电二极管阵列、会聚透镜、光电探测器件和CCD照相机等，处理组件包括计算机；测试方法包括将测试结果送采用CCD摄像显微判别法等离子体闪光法来判别不同类型薄膜样品是否发生损伤，判别标准是一项显示损伤即确定。本发明的此种结构和测试方法，使得测试误差极小且无误判发生，并且适应性和实用性强。
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公开(公告)号：CN102297899A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201010572845.X
申请日：2010-12-05
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明属于一种薄膜以及光学元件损伤判别的测量领域，具体是一种薄膜及光学元件损伤判别的声学方法。现有技术对激光损伤阈值测试存在测试的重复性难以保证和测试的准确性难以保证两个问题。为了克服现有技术存在的问题，本发明提供的技术方案是：一种基于声学的损伤判别方法：通过探测薄膜损伤瞬间产生的声学时域强度信号，进而对时域强度信号进行副立叶变化，经过副立叶变化后，提取出时域信号的频域特征，即出现某一特定的频率，该频率唯一表征了薄膜是否损伤，从得到的时域信号和该信号的频域特征，综合给出薄膜损伤与否的准确判据，即时域是否出现强度峰并且频域是否有特征频率。本发明测试的重复性好、准确性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101907445A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010155065.5
申请日：2010-04-23
Applicant: 西安工业大学
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明涉及一种大口径单层薄膜厚度全场检测装置。本发明要克服现有技术中不能反映整个膜层的厚度分布情况和使用要求高的问题。提供一种大口径单层薄膜厚度全场检测装置，包括光源系统，干涉系统、CCD图像捕获系统和样品移动控制系统，干涉系统包括消模器、扩束器、准直镜、成像物镜、分光镜、补偿镜、参考反射镜、PZT调节器、PZT驱动和可控样品台，CCD图像捕获系统包括CCD摄像机、图像捕获器和计算机；光源系统、消模器和扩束器依次设置在第一光轴上，CCD摄像机、成像物镜、第二分光镜、补偿镜、参考反射镜和PZT调节器依次设置在与第一光轴平行的第二光轴上，反射镜、第二分光镜和样品台还依次位于垂直于第一光轴的第三光轴上。其测试灵敏度高，精度高。
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公开(公告)号：CN110401989B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201910757696.5
申请日：2019-08-16
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明属于玻璃基底发热涂层材料技术领域，具体涉及一种提高微晶玻璃基底上薄膜电极引出线工作稳定性的方法。其不但保证了微晶电极与引出线接触良好，还使得抗拉强度增强。本发明采用的步骤为：首先是基底处理，使用绿光或紫外激光装置，在微晶玻璃基底需要设置引出线位置进行强激光辐照和刻蚀，形成类灌胶孔形状的特定刻蚀孔；然后进行真空薄膜电极沉积，或者印刷涂敷金属电极，使得金属电极延伸到刻蚀孔内；接着将金属接线置于刻蚀孔，采用金属焊接的方法进行熔接；最后采用相近膨胀系数的玻璃粉进行表面涂敷，在含氮气氛围内低温烘烤半小时进行烧结固化，形成一个接触稳定、抗拉强度大的引出线。
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公开(公告)号：CN116855908A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310839447.7
申请日：2023-07-10
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明属于火工品技术领域，公开一种含能纳米复合桥膜及其制备方法，所述含能纳米复合桥膜包括基底，以及所述基底上依次叠层设置的介质绝缘层和桥区电热膜；所述桥区电热膜上设置有复合膜层，所述复合膜层包括Al膜和CuO膜，且所述Al膜和CuO膜呈横向交替排列；且所述桥区电热膜两侧均设置有电极层，且所述电极层的下端与所述介质绝缘层相接触；其中，所述桥区电热膜两侧均以Al膜与所述电极层接触。本发明通过沿着基底表面以横向周期结构分布的Al/CuO含能材料构成纳米复合薄膜，该结构的纳米复合薄膜具有较高的放热能量和理想的速燃特性，可广泛用于点火器、电子开关、触发器、引燃剂等方面。
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公开(公告)号：CN109682795B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201811022571.X
申请日：2018-09-03
Applicant: 西安工业大学
IPC: G01N21/73
Abstract: 本发明公开了一种基于等离子体点燃时间判别薄膜损伤的方法及装置。解决了等离子体闪光法对薄膜损伤识别的误判问题，技术方案是：用至少三个探测器分别获取空气和薄膜等离子体闪光信号及入射激光信号，以后者为基准，得到空气和薄膜等离子体闪光点燃时间，准确分辨出空气和薄膜等离子体闪光，消除误判。实现步骤是分别采集基准和闪光信号；获取基准和闪光信号起始时刻；以基准和闪光信号起始时刻之差作为闪光点燃时间；建模计算闪光点燃时间；比较并得出损伤识别判据。本发明建立的点燃时间计算模型，可针对任意单层薄膜；装置结构简单，测量精度达0.1ns，能准确进行薄膜损伤识别，可靠性好。本发明应用于强激光作用下的光学薄膜损伤判别。
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公开(公告)号：CN110418563B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201910665103.2
申请日：2019-07-23
Applicant: 西安工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明公开了一种应用于电磁屏蔽的几何拓扑结构，为了解决现有红外透过率一定时，屏蔽效能低的问题。提出了该结构的红外透过率模型，推导出了理论公式。该结构是十字形结构和圆环形结构相结合，主要由多个相同拓扑单元结构阵列组成的频率选择表面，可提高传统十字形结构屏蔽效能。当电磁波垂直入射于本发明所提出的拓扑结构时，对于1GHz到18GHz频段的电磁波会有较高的屏蔽特性，同时红外透过率高于90％。
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