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公开(公告)号：CN118880462A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410940406.1
申请日：2024-07-15
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明提供了一种Na+掺杂零维铯铜卤化物钙钛矿闪烁单晶及其制备与应用，解决现有金属离子掺杂Cs3Cu2I5单晶存在的制备成本高、生长周期长、晶体质量差、离子掺杂种类需进一步拓展的问题。本发明利用Cs3Cu2X5在DMF(或DMSO或GBL或任意组合)和乙腈中的溶解度差异，采用乙腈扩散进入前驱体溶液的方式来降低前驱体中Cs3Cu2X5溶解度，使其处于过饱和状态，形成晶核后，再减小乙腈的挥发量，使前驱体溶液处于亚稳态，不再有多余晶核的形成，从而已形核晶体能够持续长大，进而达到结晶的目的。
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公开(公告)号：CN117444177A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311453431.9
申请日：2023-11-02
Applicant: 西北工业大学 , 宝鸡金航华颢新材料技术研究院有限公司 , 西安金航新材料技术开发有限公司
Abstract: 本发明涉及铸造技术领域，具体涉及一种高效实现高温合金多功能反重力铸造装置，包括：熔炼系统、铸造系统、离心机构、真空系统、注砂系统以及供气系统。本装置通过熔炼系统、铸造系统、离心机构、真空系统、注砂系统以及供气系统组成高温合金多功能反重力铸造设备，以保证高温合金大型复杂薄壁铸件在真空下除气、负压下充型、正压下凝固，实现大型高温合金复杂薄壁件控形和控性的要求。
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公开(公告)号：CN116652700A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310614974.8
申请日：2023-05-29
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种锑化镓单晶片的手工抛光方法，通过手工进行研磨抛光，结合配置的抛光浆料与抛光液，以及与之配合的手工抛光工艺与流程进行结合，实现了锑化镓单晶片表面平坦手工化成型的方法。与传统的机加工抛光工艺相比，本发明的手工抛光方法工艺简单，稳定性好，无需机械设备，有利于降低成本。抛光时可随时观察表面状态并调整抛光方向与压力。且锑化镓单晶片抛光后表面质量高，无划痕和起雾的缺陷，说明所配置抛光液的化学氧化作用与手工抛光的机械作用相适配，晶片表面粗糙度低，可达到粗糙度值Ra小于0.70nm。
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公开(公告)号：CN115055642B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210580145.8
申请日：2022-05-26
Applicant: 西北工业大学 , 西安金航新材料技术开发有限公司 , 宝鸡金航华颢新材料技术研究院有限公司
IPC: B22C9/02 , B22C1/00 , B22C1/06 , B22C3/00 , B22D21/04 , B33Y10/00 , B33Y50/02 , B33Y70/10 , B33Y80/00 , B22D37/00 , B22C9/08 , B22D27/18
Abstract: 一种用于镁合金铸件3DP砂型铸造的全流程联合阻燃与防氧化工艺，将自阻燃3DP砂型、砂型阻燃涂料/层涂覆、熔体机械过滤和气氛保护条件下的铸件浇注与凝固联合应用于镁合金铸件3DP砂型铸造生产中，防止镁合金熔体在浇注过程中的氧化燃烧，减少铸件内部夹杂，提高镁合金铸件的产品质量及成品率。本发明得到的铸型内熔体氧化燃烧倾向显著减少，铸件表面的氧化物瘤、烧点等缺陷减少，铸件内部氧化夹杂减少，铸件的表面及内部质量提升，铸件的合格率提高。且本发明工艺操作简单，所需材料和试剂等成本低廉，易于在镁合金铸件3DP砂型铸造中广泛应用，具有经济实用性。
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公开(公告)号：CN111618278A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010514316.8
申请日：2020-06-08
Applicant: 西北工业大学 , 宝鸡金航华颢新材料技术研究院有限公司 , 西安金航新材料技术开发有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于镁合金件浇铸的气氛保护箱。箱体为一端封闭的中空矩形结构，箱体开口部位沿壁端周向有顶部凹槽，箱体侧壁上分别有观察窗、支架安装口和气管孔。箱体侧壁上分别有三组万向金属喷头、支架和转接头，万向金属喷头通过转接头连接在支架上，向对着箱体的漏斗形浇口杯与铸型浇口下方区域。箱体内安装有铸件支撑平台。观察窗相对的箱体外侧壁上设有多个分气阀门并与气管一端连接，气管另一端通过转接头与万向金属喷头连接。混合气体由分气阀门引入到侧面和顶部的喷气装置上，对金属液和铸型型腔进行喷气保护。采用保护箱进行镁合金的浇铸，金属液处于良好的气氛保护状态，有效地提升铸件的质量；且便于连续生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111312594A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010163277.1
申请日：2020-03-10
Applicant: 西北工业大学
Inventor： 赵清华 , 王涛 , 介万奇 , 安德烈斯·卡斯泰拉诺斯·戈麦斯 , 里卡多·夫里森达
IPC: H01L21/34 , H01L29/24 , H01L29/267
Abstract: 本发明提出一种二维材料转移组装系统及方法，属于光电子器件领域；该系统包括底座基板，操作系统和成像观察系统，操作系统是由XY+θ二维平面转角样品台和三维(XYZ)手动操作台组成，XY+θ二维平面转角样品台用于放置和调节衬底材料及其位置，三维(XYZ)手动操作台用于精确控制待转移二维材料薄片与衬底材料目标区域的对准；成像观察系统由具有双轴照明功能的长焦透镜，数码相机及其机械固定调节装置组成。本发明使用的Gel-pak WF-30-x4-6mil型二甲基硅氧烷(PDMS)可满足将PDMS上粘有待转移二维材料薄片的部分处于悬空状态(如图3所示)，消除了背景技术中玻璃片在转移贴合过程中的限制，容易实现PDMS与衬底表面的充分接触，并将整个转移过程缩短至5分钟，提高了转移组装的效率。
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公开(公告)号：CN110528081A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910948971.1
申请日：2019-10-08
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种LiXSe2多晶化合物与单晶体的合成方法，将Li、In、Ga、Se几种单质装入内层坩埚与石英坩埚中并真空封装，装入摇摆炉中，在LiXSe2化合物熔点以上，保温、摇摆，随后冷却到室温。得到的LiXSe2(X＝In/Ga/InyGa1-y)化合物符合其化学计量比。通过控制温度及采用梯度温度保温，在Li、Se较低的蒸汽压下，使Li、In、Ga和Se四种单质在Li、Se熔点附近发生化合反应，得到Li2Se、InxSey和GaxSey等化合物，以固定Li与Se的化学活性，从而减少Li与Se成分的损失，利用该方法得到的LiXSe2(X＝In/Ga/InyGa1-y)多晶原料生长得到的LiXSe2(X＝In/Ga/InyGa1-y)单晶体的化学成分对化学计量比的偏离可以控制在5％以内。
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公开(公告)号：CN108994251B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201811001805.2
申请日：2018-08-30
Applicant: 西北工业大学 , 西安金航新材料技术开发有限公司 , 河南平原光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种复杂型腔电机壳体的铸造工艺，用于解决现有电机壳体铸造工艺实用性差的技术问题。技术方案是为电机壳体铸件型腔的砂芯设计一种自熔融的芯座，并在芯座和型腔成形砂芯中间采用自熔融芯撑为成型砂芯进行定位，电机壳体型腔砂芯部分通过SLS选择性激光烧结覆膜砂技术打印成型，其余部分用传统的砂型铸造，在下砂型中安装芯座及芯撑，其中芯撑和芯座采用与电机壳体相同的材料一体加工制作而成，芯座上设有芯撑的定位槽；中砂型的外围用采用木模+树脂砂型造型成形，按中模、水套芯、主型芯、小型芯的顺序装配。浇铸完成后，通过电机壳体的进出油路或水路口清理出砂芯，即可获得所需的电机壳体铸件，还可以避免环境污染，实用性好。
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公开(公告)号：CN107994099B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201711177574.6
申请日：2017-11-23
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/112 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于二维硒化镓材料场效应晶体管制备方法，用于解决现有场效应晶体管制备方法制备效率低的技术问题。技术方案是在显微镜与三维对准‑转移平台下，借助于PDMS将材料转移到硅衬底上，能够有效避免残胶对器件的影响，使用碳纤维和PDMS自制掩膜板，然后蒸镀上金属电极，能够制备出4‑7μm左右的平直沟道，便于将尺寸较小的材料(≥10μm)制备成场效应晶体管。该二维GaSe场效应晶体管制备方法操作简单、成本低、方便快捷，对材料无损伤，提高了场效应晶体管制备效率。
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公开(公告)号：CN107201548B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201710321706.1
申请日：2017-05-09
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种碲化锌单晶的制备方法，用于解决现有方法制备的碲化锌单晶质量差的技术问题。技术方案是将高纯的碲单质和合成的碲化锌多晶料放入石英坩埚中，在高真空下熔封。然后，将石英坩埚放入ACRT型五温区晶体生长炉中。首先以一定的升温速率加热，得到预先设定的温场，保温一段时间，坩埚以0.1‑0.2mm/h的速率下降，晶体生长的温度梯度为10±1℃/cm和结晶温度为1060±1℃；生长过程中温场一直不变，晶体生长后以3℃/h降温，降温时间为50h，然后以5℃/h的速率降温，降温时间为100h，最后关闭电源，炉冷。获得了具有足够长度、结晶质量好的ZnTe晶体。
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