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公开(公告)号：CN106711764B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201510783197.5
申请日：2015-11-16
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法。所述激光器和超辐射发光二极管的脊型结构通过外延生长直接形成，其包括表面分布有条形台阶结构的衬底，设置在所述衬底上并包覆所述条形台阶结构的、具有脊型结构的外延层，所述外延层包括依次于衬底上形成的下接触层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层和上接触层。本发明通过在衬底上形成窗口区或预先刻蚀形成台阶结构的方法，直接在衬底上生长激光器和超辐射发光二极管脊型，脊型结构的两侧生长有光学限制层，不仅可有效提升器件的横向限制，降低器件的阈值电流，同时还可省去刻蚀操作，从而避免刻蚀损伤，进一步降低器件阈值电流，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN106684213B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201510752667.1
申请日：2015-11-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种GaN基半导体器件及其制作方法。所述GaN基半导体器件包括硅衬底、以及形成于所述硅衬底上的外延层，所述外延层包括依次形成于所述硅衬底上的AlN成核层，AlGaN缓冲层以及GaN缓冲层。本发明采用介质膜做为掩膜层，通过调控介质层的周期数达到不同的效果，当周期数较大时可以做为限制层，能够有效减少光损耗，降低激光器和超辐射发光二极管的阈值电流；当周期数较小时做为界面层，与底部的AlGaN组成另一个光波导结构，形成平板耦合光波导激光器、超辐射发光二极管，可以得到形状较好的近圆光斑。
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公开(公告)号：CN108231926A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201611160619.4
申请日：2016-12-15
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/109 , H01L31/0304 , H01L31/035236 , H01L31/184
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种红外探测器，从下至上依次包括：衬底、p型InAs/GaSb超晶格下接触层、p型InAs/GaSb超晶格吸收层、InGaAs/InAs/InAsSb/InAs/InGaAs超晶格势垒层、p型InAs/GaSb超晶格上接触层；以及，设置于p型InAs/GaSb超晶格下接触层的上端面的下电极和设置于p型InAs/GaSb超晶格上接触层的上端面的上电极。本发明使用无Al的InGaAs/InAs/InAsSb/InAs/InGaAs W型超晶格作为势垒层，材料容易外延生长，并且长期稳定性和可靠型较高。
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公开(公告)号：CN104009046B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201310060831.3
申请日：2013-02-27
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L27/142 , H01L31/0693 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本申请公开了一种倒装结构的激光光伏电池，所述的光伏电池包括第二绝缘衬底以及位于所述第二绝缘衬底上的外延层，所述的外延层包括依次形成于所述第二绝缘衬底上的负电极、N型导电层、P/N结电池、P型窗口层和P型接触层。本申请还公开了上述倒装结构的激光电池的制作方法。本申请的激光电池，大大降低了串联电阻，改善了电池的散热性能，从而提高光伏电池的转换效率，剥离掉的第一衬底可重复利用，降低了成本。
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公开(公告)号：CN106887789A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710147067.1
申请日：2017-03-13
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器及其制作方法，所述半导体激光器包括衬底、设置于所述衬底上的下限制层及设置于所述下限制层上的下波导层、第一掩膜波导、第二掩膜波导，所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导分别位于所述下波导层的两侧，所述半导体激光器还包括依次叠层设置于所述下波导层上的有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层及接触层，所述接触层分别延伸至所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导的上表面。本发明提供的半导体激光器，能够增加接触层的接触面积，减小接触电阻，降低热损耗，提升半导体激光器的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106711764A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510783197.5
申请日：2015-11-16
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法。所述激光器和超辐射发光二极管的脊型结构通过外延生长直接形成，其包括表面分布有条形台阶结构的衬底，设置在所述衬底上并包覆所述条形台阶结构的、具有脊型结构的外延层，所述外延层包括依次于衬底上形成的下接触层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层和上接触层。本发明通过在衬底上形成窗口区或预先刻蚀形成台阶结构的方法，直接在衬底上生长激光器和超辐射发光二极管脊型，脊型结构的两侧生长有光学限制层，不仅可有效提升器件的横向限制，降低器件的阈值电流，同时还可省去刻蚀操作，从而避免刻蚀损伤，进一步降低器件阈值电流，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN103258906B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201310153013.8
申请日：2013-04-27
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/0725
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳能技术领域，尤其是直三结级联太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长GaAs1-x-yNxBiy底电池层、第一隧道结、BmGa1-mAs1-nBin中间电池层、第二隧道结、AlpGa1-pAs顶电池层及GaAs接触层；再在所述GaAs衬底底部及所述GaAs接触层顶部制作欧姆电极。本发明还提供这种太阳能电池的结构。本发明实现对太阳光谱的分段吸收利用，各个子电池间的电流匹配，个电池层与GaAs晶格匹配，可获得较高的电池效率，是一种潜在的理想的太阳能电池材料。
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公开(公告)号：CN103311354B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201310210307.X
申请日：2013-05-30
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0687 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及光伏技术领域，尤其是指一种Si衬底三结级联太阳电池，包括按照远离Si衬底10的方向依次在Si衬底上生长的第一过渡层、GeSi底电池、第二过渡层、第一隧道结、GaAs中间电池、第二隧道结、GaInP顶电池、GaAs接触层。本发明采用Si衬底制作的三结级联太阳能电池，实现带隙能量分别为1.89eV/1.42eV/1.0eV，获得高电压、低电流输出，从而有效降低超高倍聚光太阳电池中的电阻损失，实现较高的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102738290B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210203828.8
申请日：2012-06-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0735 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种异质结太阳能电池，包括一具有第一导电类型的第一薄膜，以及在第一薄膜表面依次设置的一有源区及一具有第二导电类型的第二薄膜，所述第一薄膜与有源区之间还包括一与第一薄膜相异质的具有第一导电类型的接触层，第一薄膜、第二薄膜分别与有源区相异质，有源区为渐变层结构。本发明还提供一种如上述的一种异质结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）在第一薄膜裸露表面生长与第一薄膜相异质且同导电类型的接触层；2）在接触层裸露表面外延生长具有渐变结构的有源区；3）在有源区裸露表面生长与有源区相异质的第二薄膜层，且第一薄膜与第二薄膜的导电类型相反。
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公开(公告)号：CN103247722B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310196952.0
申请日：2013-05-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种四结级联太阳电池的制作方法，采用InP作为支撑衬底，首先在InP衬底上制备与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池；然后在InGaAsP/InGaAs双结电池上制备一InP键合层，并在所述InP键合层上键合一GaAs键合层；最后在GaAs键合层上制备与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池。本发明在继承以往两结级联太阳电池光电转换效率相对较高、稳定、寿命长的基础上，制备得到的四结单片高效太阳电池可以获得高电压、低电流输出，从而有效降低超高倍聚光太阳电池中的电阻损失，实现较高的光电转换效率。
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