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公开(公告)号：CN103943685A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410184090.4
申请日：2014-05-04
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/08
Abstract: 本发明涉及的是一种新型薄膜晶体管结构，其包括绝缘衬底、源区、漏区、连接源区和漏区的有源岛、覆盖在有源岛上的绝缘层以及设置在绝缘层上的栅电极；有源岛上设置有沟道区以及与源漏导电类型相反的载流子输运区。本发明通过增加一个与源漏导电类型相反的载流子输运区，连接源区、漏区和沟道区，可以有效将由热载流子效应产生并扩散至沟道内的载流子由源/漏端的金属接触转移走，从而可以尽量减少体电位的变化引起的器件性能的不稳定性。
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公开(公告)号：CN103730514A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201410030048.7
申请日：2014-01-23
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78618 , H01L29/45 , H01L29/7839 , H01L29/78612 , H01L29/78696 , H01L29/0607
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括衬底、半导体沟道区、栅绝缘层、源区、漏区、源极、漏极及栅极，所述薄膜晶体管还包括用于向半导体沟道区提供空穴或电子的载流子注入结构。本发明涉及的薄膜晶体管可以显著降低动态热载流子效应造成的器件退化和阈值电压漂移，提高薄膜晶体管器件和电路的可靠性，并简化了阈值电压补偿电路设计的复杂性，另外，本发明的薄膜晶体管工艺难度低并且对器件正常工作无影响。
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公开(公告)号：CN118866692B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411338457.3
申请日：2024-09-25
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/32
Abstract: 本发明提供了一种金属氧化物薄膜晶体管器件的制备方法及器件，其包括：S1、将栅极结构及金属氧化物薄膜形成于绝缘衬底上；S2、设置源极、栅极及漏极，分别在金属氧化物薄膜上形成源区及漏区，源区与漏区之间为沟道区，多个止挡件设置于沟道区上方，且沿载流子移动路径间隔排列；S3、通过止挡件在沟道区中制备多个交替排列的本体部及缺陷部，其中，缺陷部的缺陷浓度高于本体部缺陷浓度。本申请相比于现阶段常规半导体器件来说，其不仅具有金属氧化物半导体器件关态泄漏电流低、亚阈值摆幅小的优势，同时还具有能够与多晶硅薄膜晶体管相媲美的导电性能，由此在本行业内具有广泛使用前景。
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公开(公告)号：CN118866692A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411338457.3
申请日：2024-09-25
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/32
Abstract: 本发明提供了一种金属氧化物薄膜晶体管器件的制备方法及器件，其包括：S1、将栅极结构及金属氧化物薄膜形成于绝缘衬底上；S2、设置源极、栅极及漏极，分别在金属氧化物薄膜上形成源区及漏区，源区与漏区之间为沟道区，多个止挡件设置于沟道区上方，且沿载流子移动路径间隔排列；S3、通过止挡件在沟道区中制备多个交替排列的本体部及缺陷部，其中，缺陷部的缺陷浓度高于本体部缺陷浓度。本申请相比于现阶段常规半导体器件来说，其不仅具有金属氧化物半导体器件关态泄漏电流低、亚阈值摆幅小的优势，同时还具有能够与多晶硅薄膜晶体管相媲美的导电性能，由此在本行业内具有广泛使用前景。
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公开(公告)号：CN118448438A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410485095.4
申请日：2024-04-22
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供了一种引入固定电荷的SOI功率器件，为SA‑LIGBT或SSA‑LIGBT结构，包括依次叠放的半导体衬底、介质埋层和半导体有源层，在所述介质埋层与半导体有源层之间设有一段第一电荷层和/或在场氧层与半导体有源层之间设有第二电荷层，所述电荷层内为连续均匀分布的正电荷。本发明针对传统SA‑LIGBT或SSA‑LIGBT输出特性中存在回摆现象的缺点，通过在介质埋层与半导体有源层之间插入固定电荷，减小上述回摆效应的电压，显著抑制回摆现象的发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118246395A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410437571.5
申请日：2024-04-12
Applicant: 苏州大学
IPC: G06F30/392
Abstract: 本发明涉及一种基于寄生电容的多层绕组高频变压器设计方法，包括：获取多层绕组高频变压器中原边绕组与副边绕组的规格参数，绕组两端电压、磁芯电压，以及不同位置的分布电容，输入总寄生电容计算模型中，获取多层绕组高频变压器的总寄生电容值；根据总寄生电容值，调整原边绕组与副边绕组的规格参数，直至总寄生电容值满足预设电容值范围，获取当前原边绕组与副边绕组的规格参数，得到目标多层绕组高频变压器。多层绕组高频变压器总寄生电容计算模型为原边绕组层与层之间的寄生电容计算模型、最内层绕组与磁芯之间的寄生电容计算模型、原边绕组与副边绕组之间的寄生电容计算模型以及副边绕组层与层之间的寄生电容计算模型的和。
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公开(公告)号：CN117972284A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410101091.1
申请日：2024-01-24
Applicant: 苏州大学
IPC: G06F17/13
Abstract: 本申请涉及一种耦合环形电感器寄生电容计算方法，属于电子信息技术领域。获取目标耦合环形电感器的导线内直径、导线外直径、单匝绕组长度、绝缘层相对介电常数、相邻两匝线圈之间的距离和线圈匝数；使用抛物线模拟线圈之间的电场线路径，构建相邻两匝线圈之间的电场线路径方程，基于电场线路径方程、单匝绕组长度和导线外直径，计算相邻两匝线圈之间的空气隙寄生电容；基于绝缘层寄生电容和空气隙寄生电容计算相邻两匝线圈之间的寄生电容；基于相邻两匝线圈之间的寄生电容、线圈与磁芯间的寄生电容和线圈匝数计算目标耦合环形电感器的总寄生电容。本申请构建的电场线路径方程更接近实际电场线路径，提高了耦合环形电感器寄生电容计算结果准确性。
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公开(公告)号：CN103730514B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201410030048.7
申请日：2014-01-23
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78618 , H01L29/45 , H01L29/7839 , H01L29/78612 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括衬底、半导体沟道区、栅绝缘层、源区、漏区、源极、漏极及栅极，所述薄膜晶体管还包括用于向半导体沟道区提供空穴或电子的载流子注入结构。本发明涉及的薄膜晶体管可以显著降低动态热载流子效应造成的器件退化和阈值电压漂移，提高薄膜晶体管器件和电路的可靠性，并简化了阈值电压补偿电路设计的复杂性，另外，本发明的薄膜晶体管工艺难度低并且对器件正常工作无影响。
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公开(公告)号：CN103293183B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310180105.5
申请日：2013-05-15
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种新型提取LED系统热容和热时间常数的方法和理论，包括以下步骤：1）测量LED结温温度曲线；2）读取该曲线中温度上升到最高稳态温度的63.2%所对应的时间，记为LED器件的热时间常数τjc；3）读取曲线中最大结温和初始结温，两者相减之后再除以LED输入的热功率，得到LED器件的热阻Rjc；4）用提取的热时间常数除以提取的热阻，得到LED器件的热容Cjc。本发明给出了一种简便的提取LED器件整体热容和整体热时间常数的方法和理论。该方法可一次性提取整个器件的热阻、热容和热时间常数，简化了LED器件热阻和热容的提取过程，也创新性的提出了LED器件热时间常数的提取过程。
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