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    摄像装置
    23.
    发明公开
    摄像装置 有权

    公开(公告)号：CN103685883A

    公开(公告)日：2014-03-26

    申请号：CN201310449958.4

    申请日：2013-09-25

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 土屋仁 ,  江口司 ,  石黑英人

    IPC: H04N5/225 ,  G02B3/00

    CPC classification number: H01L27/14627 ,  H01L27/3234

    Abstract: 本发明提供摄像装置，充分地确保从被摄体到达受光元件的光量。在基板（32）的表面（321）上形成发光层（63）。与表面相对的多个透镜（24）聚集来自发光层照明的被摄体（200）的摄像光。在表面（321）与发光层间的第一电极层（61）形成对应各透镜的开口部（614）。由各透镜聚光并通过开口部的摄像光入射受光元件（14）。在规定通过受光元件的受光面（16）的周边上的点PA1和开口部（614）的周边上的点（PA2）的第一直线、和相对于第一直线与透镜的表面的交点（PA3）处的法线（LN）与第一直线（L1）呈线对称的第二直线（L2）的情况下，从第二直线与覆盖发光层的第二电极层（64）的表面的交点（PA4）观察，发光层的发光区域（70）位于光轴（L0）的相反侧。

    发光装置及其驱动方法、以及电子设备
    25.
    发明公开
    发光装置及其驱动方法、以及电子设备 有权

    公开(公告)号：CN101789442A

    公开(公告)日：2010-07-28

    申请号：CN201010104238.0

    申请日：2010-01-25

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 太田人嗣 ,  矢田部聪 ,  石黑英人

    IPC: H01L27/32 ,  H05B33/00

    CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/0256 ,  G09G2320/043

    Abstract: 本发明涉及发光装置及其驱动方法、以及电子设备，无论有机EL元件以怎样的发光灰度发光，发光亮度都不会产生偏差。有机EL装置具备：有机EL元件，其以与驱动电流的大小对应的光量进行发光；和驱动晶体管，其栅极电连接于第1节点，并且该栅极及源极被电连接，将在漏极/源极间流动的电流作为所述驱动电流输出。而且，为了使所述驱动晶体管的栅极和源极间的电压成为与该驱动晶体管的迁移率对应的补偿后电压(Vth+Va)，控制机构向所述第1节点供给第1数据电位(Vdata)，并且向该驱动晶体管供给电流，然后，控制机构向所述第1节点供给根据所述第1数据电位而确定的第2数据电位(Vdata+Voffset)。

    像素电路的驱动方法、发光装置及电子设备
    26.
    发明公开
    像素电路的驱动方法、发光装置及电子设备 有权 转让

    公开(公告)号：CN101656047A

    公开(公告)日：2010-02-24

    申请号：CN200910166430.X

    申请日：2009-08-12

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 矢田部聪 ,  石黑英人

    IPC: G09G3/32

    Abstract: 本发明涉及像素电路的驱动方法、发光装置及电子设备。像素电路(U)包括：发光元件(E)、与发光元件串联连接的驱动晶体管(TDR)、和驱动晶体管(TDR)的栅极-源极间的保持电容(C1)。在补偿期间(PCP)中，遍及时间长度(t1)执行使保持电容(C1)的两端间的电压渐近于驱动晶体管(TDR)的阈值电压(VTH)的补偿动作。时间长度t1依照对像素电路(U)指定的灰度值D被可变设定。在写入期间(PWR)中，向驱动晶体管的栅极供给与灰度值(D)对应的灰度电位(VDATA)。在驱动期间(PDR)中，通过停止针对驱动晶体管的电位的供给，向发光元件(E)供给与保持电容的两端间的电压对应的驱动电流(IDR)。

    半导体装置、半导体装置的制造方法以及电光学装置
    28.
    发明公开
    半导体装置、半导体装置的制造方法以及电光学装置 有权 转让

    公开(公告)号：CN101192615A

    公开(公告)日：2008-06-04

    申请号：CN200710196627.9

    申请日：2007-11-29

    Applicant: 精工爱普生株式会社

    Inventor： 石黑英人

    IPC: H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

    CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645

    Abstract: 本发明公开一种半导体装置、半导体装置的制造方法以及电光学装置，其中薄膜晶体管(10)将多晶硅膜(1a)作为有源层，具有将备有高浓度N型区域(1c)、低浓度N型区域(1d)、第1沟道区域(1e)和高浓度N型区域(1g)的第1薄膜晶体管部(10a)，以及备有高浓度N型区域(1g)、第2沟道区域(1i)、低浓度N型区域(1j)和高浓度N型区域(1k)的第2薄膜晶体管(10b)串联连接的多栅极结构。在漏极侧的第1薄膜晶体管部(10a)的沟道长度在0.5以上而不足1.5μm的范围内。从而即使在由于弯折(kink)效应，而在薄膜晶体管的饱和动作区域具有源极与漏极电流的变化的情况下，仍可获得稳定的输出。

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