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公开(公告)号：CN103368501A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310094990.5
申请日：2013-03-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H03B5/30
CPC classification number: H03L5/00 , H01L2224/16225 , H01L2924/16195 , H03L1/022
Abstract: 本发明提供电路装置、振荡装置以及电子设备，能够有效地利用电路装置所具有的电路元件来实现振荡器的过驱动。作为解决手段，电路装置包含：提供振荡用电流（IOS）的电流供给电路（20）；振荡电路（10），其具有振荡器（XTAL）的振荡用晶体管（BT），基于来自电流供给电路（20）的振荡用电流（IOS），通过振荡用晶体管（BT）来驱动振荡器（XTAL）；以及控制电流供给电路（20）的控制部（30）。在设定为过驱动模式的情况下，振荡电路（10）以比通常模式时的驱动能力大的驱动能力来驱动振荡器XTAL。
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公开(公告)号：CN108075731B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201711085102.8
申请日：2017-11-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 电路装置、振荡器、电子设备和移动体，能够降低温度补偿中使用的参数的测量误差，提高温度补偿精度。电路装置包含：振荡电路，其使振荡元件振荡；时钟信号输出电路，其输出基于振荡电路的振荡信号的时钟信号；温度补偿电路，其进行振荡信号的振荡频率的温度补偿；低电位侧电源焊盘，其被供给低电位侧电源；高电位侧电源焊盘，其被供给高电位侧电源；以及电源间电容器，其设置于与低电位侧电源焊盘导通的低电位侧电源线、和与高电位侧电源焊盘导通的高电位侧电源线之间。电源间电容器由在俯视时设置于温度补偿电路的配置区域的至少2层的金属层形成。
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公开(公告)号：CN103715987B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201310431925.7
申请日：2013-09-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H03B5/32
Abstract: 振荡电路、半导体集成电路装置、振动器件、电子设备，能够抑制电路规模和功耗的增加，扩大可变电容元件的可变幅度，得到合适的可变电容元件的灵敏度特性。振荡电路包含：第1可变电容部，与振荡电路的输入侧连接，包含电容根据第1控制电压与第1基准电压的电位差来控制的第1可变电容元件；第2可变电容部，与振荡电路的输出侧连接，包含电容根据第1控制电压与第2基准电压的电位差来控制的第2可变电容元件，将第1、第2可变电容部中除了第1、第2可变电容元件以外的合成电容作为第1、第2合成电容，在第2合成电容大于第1合成电容的情况下，利用基于基准电位差的电容进行比较，使用电容大于第1可变电容元件的第2可变电容元件。
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公开(公告)号：CN105322889A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510319627.8
申请日：2015-06-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H03B5/32
Abstract: 本发明提供振荡电路、振荡器、电子设备以及移动体，所述振荡电路能够实现振荡器的小型化。振荡电路具有：振荡用电路(30)、和与振荡用电路(30)连接的信号调整电路(50)，基于可改变电压值的直流电压的输入电压被输入到振荡用电路(30)和信号调整电路(50)，振荡用电路(30)使振动片(11)振荡，并输出第1振荡信号，所述第1振荡信号的频率根据从信号调整电路(50)输出的电压值进行调整。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104639089A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410608687.7
申请日：2014-11-03
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H03B5/32 , H01L23/528 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L2224/0401 , H01L2224/06135 , H01L2224/06164 , H01L2224/16225 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15313 , H01L2924/15323 , H01L2924/16195 , H03H9/02102 , H03H9/0552 , H03H9/1071
Abstract: 本发明提供半导体电路装置、振荡器、电子设备以及移动体，能够抑制连接布线与电路块之间的干扰。半导体电路装置(1)包含半导体基板(30)、配置在半导体基板(30)上的将模拟电路作为构成要素的第1电路块(10)、将数字电路作为构成要素的第2电路块(20)、连接焊盘(X1)以及将连接焊盘(X1)与第1电路块(10)电连接的连接布线(40)，连接布线(40)被设置成在俯视时不与第2电路块(20)重叠。
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公开(公告)号：CN104639082A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410642396.X
申请日：2014-11-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H03H9/0547 , G01R31/2824 , H03B5/32 , Y10T29/41
Abstract: 提供振荡器的制造方法、电路装置的制造方法以及电路装置，能够削减检查所需的时间以及工时并能够抑制设备投资。在振荡器(1000)的制造方法中，该振荡器具备振子(100)和半导体电路装置(1)，该半导体电路装置(1)具有：与振子(100)连接的振荡部(10)、以及控制部(20)，其切换振荡部(10)进行振荡动作的通常模式和检查振子(100)的特性的检查模式作为动作模式，该制造方法包含以下的工序：准备动作模式已被设定为检查模式的半导体电路装置(1)的工序(步骤(S200))、使振子(100)与半导体电路装置(1)电连接的连接工序(步骤(S202))以及检查与半导体电路装置(1)电连接的状态下的振子(100)的特性的检查工序(步骤(S204))。
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公开(公告)号：CN103715987A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310431925.7
申请日：2013-09-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H03B5/32
Abstract: 振荡电路、半导体集成电路装置、振动器件、电子设备，能够抑制电路规模和功耗的增加，扩大可变电容元件的可变幅度，得到合适的可变电容元件的灵敏度特性。振荡电路包含：第1可变电容部，与振荡电路的输入侧连接，包含电容根据第1控制电压与第1基准电压的电位差来控制的第1可变电容元件；第2可变电容部，与振荡电路的输出侧连接，包含电容根据第1控制电压与第2基准电压的电位差来控制的第2可变电容元件，将第1、第2可变电容部中除了第1、第2可变电容元件以外的合成电容作为第1、第2合成电容，在第2合成电容大于第1合成电容的情况下，利用基于基准电位差的电容进行比较，使用电容大于第1可变电容元件的第2可变电容元件。
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公开(公告)号：CN101436846B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810174802.9
申请日：2008-10-31
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 石川匡亨
CPC classification number: H03B5/366
Abstract: 本发明提供一种使用相同IC来应对频率范围较宽的压电振荡器。该压电振荡器构成为包括压电振子、振荡电路、恒流电路和存储器电路，所述振荡电路在晶体管的集电极和基极之间具有确定集电极电位的第1可变电阻电路，所述恒流电路由多个电流镜电路构成，向与输出电流相关的电流镜电路的晶体管元件连接第2可变电阻电路，所述存储器电路的输出部通过信号线与所述振荡电路的第1可变电阻电路和所述恒流电路的第2可变电阻电路连接，控制所述恒流电路的输出电流，并控制所述晶体管的集电极电位。
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公开(公告)号：CN102195562A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110049599.4
申请日：2011-03-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H03B5/04
CPC classification number: H03B28/00
Abstract: 本发明提供振荡电路以及频率校正型振荡电路，它们能够高精度地校正压电振荡器的频率变动(温度特性和老化)。该振荡电路(30)是将以下部件一体化在IC封装(15)内而形成的，即：振荡器(振荡单元)(2)，其包含石英振子(振动元件)(1)，输出振荡信号(8)；F/V转换器(F/V转换单元)(4)，其将振荡信号(8)的频率转换为与其对应的电压；以及存储器(存储单元)(6)，其存储用于对振荡信号(8)的频率进行校正的频率校正信息。并且，IC封装具有振荡输出端子(8)、频率偏差电压输出端子(F/V转换器输出端子)(12)、存储器输出端子(9、11)以及石英振子端子。
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