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公开(公告)号：CN102516503B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201110305955.4
申请日：2007-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/091 , C08G61/02 , C08G61/10 , G03F7/11 , Y10S438/952
Abstract: 提供了芘主链聚合物和含有该芘主链聚合物的抗反射硬掩模组合物以及材料层的图案化方法。所述硬掩模组合物含有有机溶剂、引发剂、和由式C表示的芘主链聚合物，这些在说明书中有描述。本发明的硬掩模组合物可以用于提供以很高的纵横比图案化的多层薄膜，并且可以将良好的图像转移至下层。另外，通过旋转涂覆技术可以很容易地施覆组合物。
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公开(公告)号：CN102516503A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110305955.4
申请日：2007-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/091 , C08G61/02 , C08G61/10 , G03F7/11 , Y10S438/952
Abstract: 提供了芘主链聚合物和含有该芘主链聚合物的抗反射硬掩模组合物以及材料层的图案化方法。所述硬掩模组合物含有有机溶剂、引发剂、和由式C表示的芘主链聚合物，这些在说明书中有描述。本发明的硬掩模组合物可以用于提供以很高的纵横比图案化的多层薄膜，并且可以将良好的图像转移至下层。另外，通过旋转涂覆技术可以很容易地施覆组合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101370854B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200780002634.9
申请日：2007-01-15
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: H01L21/31144 , C08G77/20 , G03F7/0752 , G03F7/091 , H01L21/3121
Abstract: 根据本发明的一些实施方式，本发明提供了有机硅烷聚合物，该有机硅烷聚合物是通过使含有(a)至少一种式(I)的化合物Si(OR1)(OR2)(OR3)R4，其中R1、R2和R3可以各自独立地为烷基，且R4可以为-(CH2)nR5，其中R5为芳基或取代的芳基，且n可以为0或正整数；和(b)至少一种式(II)的化合物Si(OR6)(OR7)(OR8)R9，其中R6、R7和R8可以各自独立地为烷基或芳基，且R9可以为烷基的有机硅烷化合物反应而制备得到的。还提供了含有本发明实施方式的有机硅烷化合物或其水解产物的硬掩模组合物。还提供了使用本发明实施方式的硬掩模组合物制备半导体装置的方法，和由该硬掩模组合物制成的半导体装置。
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公开(公告)号：CN102060981A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010566229.3
申请日：2007-12-20
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 本发明提供了说明书中描述的式3的含芳环的聚合物。本发明还提供了一种具有增透特性的硬掩膜组合物，该组合物含有所述含芳环的聚合物。该硬掩膜组合物适用于平版印刷工艺并且具有优异的光学特性和机械特性。另外，该组合物易于通过旋转涂布技术施用。特别地，该组合物对干蚀刻有很高的抗蚀性。因此，该组合物可用于提供形成高纵横比图案的多层薄膜。
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公开(公告)号：CN101042533B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710007513.5
申请日：2007-01-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/075 , G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了硬掩模组合物，该组合物含有通过一种或多种式(I)化合物的反应所制备的有机硅烷聚合物，其中，R1、R2和R3可以各自独立地为烷基、乙酰氧基或肟；且R4可以是氢、烷基、芳基或芳烷基；并且其中有机硅烷聚合物具有大约1.1至大约2的多分散性。Si(OR1)(OR2)(OR3)R4 (I)
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