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公开(公告)号：CN112951103A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110115072.0
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明涉及一种提升子像素发光均衡的Micro‑LED制造方法，该方法包括：在阵列基板的受光面涂覆光刻胶；调整掩膜版，使掩膜版的透光区对应至每个显示像素；维持掩膜版与阵列基板相对位置不变，采用入射方向不同的三组光源同时透过掩膜版的透光区对不同组别的子像素进行曝光；其中，每组光源对应一组相同颜色的子像素，每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定；使用显影液对阵列基板上的光刻胶进行第一时间的溶解；烘干阵列基板，并对子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。该方法有利于提高子像素的发光亮度均衡，提升显示效果。
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公开(公告)号：CN112947009A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110106838.9
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明涉及一种提升子像素发光均衡的Micro‑LED光刻系统，包括：光源模组，用于提供入射方向不同的三组光源；掩膜版模组，包括掩膜版，掩膜版包括透光区和非透光区；阵列基板，阵列基板包括阵列排布的显示像素，每个显示像素包括红、绿、蓝色子像素；装载平台，用于装载阵列基板；显影机，用于喷洒显影液对阵列基板上的光刻胶进行溶解；刻蚀机，用于对子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。在维持掩膜版与阵列基板相对位置不变的情况下，三组光源在同一时间透过透光区对不同颜色的子像素进行曝光，每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定。该系统有利于提高子像素的发光亮度均衡，提升显示效果。
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公开(公告)号：CN111834390A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535701.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括缓冲层、设置于缓冲层上的第一半导体层、以及设置于第一半导体层上的第一接触电极、用以显示红光的R单元、用以显示绿光的G单元和用于显示蓝光的B单元。在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，使得R单元、G单元和B单元发光。本发明可以实现用小功率输入信号驱动发光芯片发光而激发色彩转换层，从而实现全彩化显示。
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公开(公告)号：CN112904621B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202110108677.7
申请日：2021-01-27
IPC: G02F1/1337
Abstract: 本发明涉及一种液晶显示三畴配向层的光配向光路系统。包括：光源模组，用于提供入射方向不同的三组三畴配向光源；掩膜版模组，掩膜版模组包括掩膜版，掩膜版包括透光区、非透光区；装载平台，用于装载待配向基板；待配向基板包括三组不同配向角的配向区；配向角与三畴配向光源的入射方向相对应；掩膜版设置于装载平台与光源模组之间，且掩膜版的透光区在待配向基板的投影位于同一个显示像素中间的配向区；其中，在维持掩膜版与待配向基板相对位置保持不变的情况下，光源模组提供的三组三畴配向光源在同一时间透过掩膜版的透光区且投射到不同组别的配向区。本发明可以解决在三畴光配向过程中掩膜版的对位误差问题以及减少曝光次数增加产能。
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公开(公告)号：CN111834421B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010539826.0
申请日：2020-06-12
IPC: H10K59/35 , H01L27/15 , H01L33/06 , H01L33/46 , H10K50/11 , H10K50/805 , H10K71/00 , G09F9/33 , G09G3/32 , G09G3/3208
Abstract: 本发明涉及一种三极管调控型的混合结构全彩化显示器件及其制造方法，该发明第一接触电极和第二、第三接触电极SCE1和SCE2之间分别施加一个小功率可变输入信号，在第一接触电极和第四、第五接触电极TCE1和TCE2之间分别施加一个正向偏置电压，驱动B单元内蓝光发光芯片发出蓝光，R单元内的蓝光发光芯片发出蓝光进而激发红色转换层发出红光，在所述G单元内的阴极和透明阳极之间施加电压，激发出绿光，从而实现全彩化显示；本发明第一、第二三极管对所述输入信号的功率放大，实现用小功率输入信号驱动所述发光芯片发光，还可以有效降低发光器件的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113299228B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110388578.9
申请日：2021-04-12
Abstract: 本发明涉及一种基于GaN的多功能集成半导体显示器件，所述半导体显示器件包括从上至上依次设置的蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层和像素单元；所述半导体显示器件每个像素单元均包括LED发光结构、开关驱动元器件、多量子阱光电探测器件、光波导和信号感知传感器。本发明实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。
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公开(公告)号：CN113238306B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110420416.9
申请日：2021-04-19
Abstract: 本发明提出提高集成成像3D显示景深的多焦距微透镜阵列，所述多焦距微透镜阵列在光线入射方向上依次设有透光基板和微透镜阵列；当用于成像时，所述微透镜阵列与小孔光栅紧邻；小孔光栅处密布多个透光小孔；所述微透镜阵列由多种微透镜有序排列而成；微透镜阵列中的每个用于成像的微透镜均位于小孔光栅透光小孔的光路径处；本发明的多焦距微透镜阵列可以同时提高景深和空间分辨率，提高集成成像3D显示重构性能，该制备方法简单、效率快、成本低。
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公开(公告)号：CN112364944B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202011502665.4
申请日：2020-12-18
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06K9/62 , G06N3/04
Abstract: 本发明涉及一种基于深度学习的生活垃圾分类方法。包括：建立生活垃圾数据集，采用数据增强方法扩充数据集；建立神经网络分类模型，使用幻象模块替换ResNet18残差单元的普通卷积，得到G‑ResNet18网络；将扩充后的数据集经过预处理操作后输入到G‑ResNet18网络进行分类训练；将待分类的生活垃圾图片经过预处理操作后输入到训练后的G‑ResNet18模型，输出分类结果；实验结果表明：G‑ResNet18网络在本实验数据集上的识别精度达到91.6%，识别精度提高了1%，网络的参数量减少了46%。本发明能在不降低网络识别精度的同时大大减少网络的参数量，可以应用于垃圾的智能分类。
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公开(公告)号：CN113238306A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110420416.9
申请日：2021-04-19
Abstract: 本发明提出提高集成成像3D显示景深的多焦距微透镜阵列，所述多焦距微透镜阵列在光线入射方向上依次设有透光基板和微透镜阵列；当用于成像时，所述微透镜阵列与小孔光栅紧邻；小孔光栅处密布多个透光小孔；所述微透镜阵列由多种微透镜有序排列而成；微透镜阵列中的每个用于成像的微透镜均位于小孔光栅透光小孔的光路径处；本发明的多焦距微透镜阵列可以同时提高景深和空间分辨率，提高集成成像3D显示重构性能，该制备方法简单、效率快、成本低。
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公开(公告)号：CN112396061A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011342948.7
申请日：2020-11-25
IPC: G06K9/34
Abstract: 本发明涉及一种基于目标灰度倾向加权的Otsu目标检测法，包括以下步骤：步骤S1:对待测图像进行灰度化处理，获得待测图像的灰度直方图；步骤S2:根据得到的待测图像的灰度直方图，确定期望阈值；步骤S3:根据期望阈值，计算前景和背景像素点出现概率及其灰度均值；步骤S4:根据期望阈值选择要更改的灰度倾向系数，若期望阈值更接近高灰度区域就选择高倾向度系数α，反之若更接近低灰度区域就选择低倾向度系数β；步骤S5:采用改进的Otsu类间方差公式进行梯度谷值加权，获得使方差最大的阈值，实现目标与背景的分离。本发明当目标与背景的对比度很低时，能够更准确地剥离目标与背景图像。
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