-
公开(公告)号：CN115774026A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211654525.8
申请日：2022-12-22
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷芯片的缺陷检测装置及检测方法，包括：二维运动平台装置，陶瓷芯片固定在二维运动平台装置上；平台驱动装置，该平台驱动装置控制所述二维运动平台装置沿两个方向移动；工业相机装置，该工业相机装置设置于所述二维运动平台的上方；光源装置，该光源设置于所述工业相机装置上，且正对所述陶瓷芯片；数据处理装置，与所述工业相机装置连接；控制装置，所述控制装置与所述数据处理装置相连接；当所述陶瓷芯片与所述相机装置发生相对移动时，所述工业相机装置获取所述陶瓷芯片的图像并传输至所述数据处理装置，当所述数据处理装置判断出所述陶瓷芯片存在缺陷时，所述控制装置发出警示，并显示陶瓷芯片缺陷的类型、位置及大小。
-
公开(公告)号：CN114590790A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111472010.1
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C01B32/05
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂碳材料，所述氮掺杂碳材料的空间群为Fd‑3c，晶格参数a=b=c=1.10592nm±0.5%。本发明还公开了上述氮掺杂碳材料的制备方法。通过将三聚氯氰和NH2NH2设置为主要材料，因其材料成本较低，制备过程产生的废液较少，同时制备工艺简单，易于大批量生产。
-
公开(公告)号：CN114275745A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111472062.9
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C01B21/06
Abstract: 本发明公开了一种氮化铜粉体制备方法，包括：构建至少一层支撑层和设于所述支撑层上的至少一层牺牲层，牺牲层被配置为可通过外界条件改变而改性；在所述牺牲层上培育薄膜并使其生长；改变外界条件使所述牺牲层改性并得到单独薄膜；对得到的单独薄膜进行清洗并干燥处理，再通过研磨、过筛，得到氮化铜粉体。通过上述方法，得到独立的薄膜，并在薄膜的基础上进行研磨、过筛，从而得到氮化铜粉体，此方法相对现有方法，加热温度小、无需加压，从而耗能小，更具有环保性，且操作简便、实用性强、优产等诸多优点，具有很高的应用前景。
-
公开(公告)号：CN113764193A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111156891.6
申请日：2021-09-30
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Inventor： 邢孟江
Abstract: 本发明涉及一种固态电容器及其制造方法，属于电容器技术领域。本发明的电容器包括从上到下的的顶电极层、固态电解质层、阳极化氧化铝层和多孔铝电极层，多孔铝电极层为金属铝电极形成的单表面具有孔洞的电极结构，阳极化氧化铝层覆盖在孔洞内壁表面及所述多孔铝电极层的非光滑面，固态电解质层填充在所述孔洞内并向上延伸生长，本发明的电容具有容值大、性能稳定的特点，可适用于高性能集成电路设计制造以及各种电气自动化设备的应用制造。
-
公开(公告)号：CN118917220A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411407107.8
申请日：2024-10-10
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/27 , G06N7/01 , G06F119/02
Abstract: 本发明涉及轨道车辆技术领域，具体为基于动态贝叶斯网络的轨道车辆转向架可靠性分析方法，包括抽取训练样本集和初始样本点，训练自适应Kriging模型，采用学习函数UH更新自适应Kriging模型、通过TV‑Copula函数拟合最优状态值之间时变相关性、通过AIC准则构建两两最优状态值集合之间最优TV‑pair Copula函数、构建TV‑Vine Copula函数，作为贝叶斯网络DAG，构建各变量之间TV‑VC‑BN、构建TV‑VC‑DBN，得到失效概率、计算可靠度。本发明采用主动学习函数UH选择最优样本点对自适应Kriging代理模型进行优化，提高自适应Kriging代理模型精度；通过使用TV‑Copula函数最终建立TV‑VC‑DBN模型，将可靠性的分析与时变相关性相结合，提高可靠性分析准确性；通过使用K折交叉检验判断UH函数停止准则，提高主动学习函数UH选择最优样本点准确性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114590790B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202111472010.1
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C01B32/05
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂碳材料，所述氮掺杂碳材料的空间群为Fd‑3c，晶格参数a=b=c=1.10592nm±0.5%。本发明还公开了上述氮掺杂碳材料的制备方法。通过将三聚氯氰和NH2NH2设置为主要材料，因其材料成本较低，制备过程产生的废液较少，同时制备工艺简单，易于大批量生产。
-
公开(公告)号：CN116299712A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310247121.5
申请日：2023-03-14
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G01V1/36
Abstract: 本发明公开一种非稳态地震规则噪声压制方法和系统，应用于油气地球物理勘探，针对现有技术的规则干扰压制技术往往表现为“视”规则的基本特征，这种“视”规则特征严重降低了基于稳态信号理论的规则噪声压制效果的问题；本发明考虑规则干扰在时间和空间上的非平稳特性，对噪声干扰的空间轨迹进行自动追踪，并对其能量与道间时差进行一致性调整；然后，在时间空间域对噪声干扰进行非稳态滤波，有效地恢复被噪声污染的地震信号，本发明的方法采用非稳态滤波技术对非稳态规则噪声进行压制和消除，提高地震数据的信噪比。
-
公开(公告)号：CN114300338A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111472034.7
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种薄膜制备方法，包括：构建至少一层支撑层和设于所述支撑层上的至少一层牺牲层，牺牲层被配置为可通过外界条件改变而改性；在所述牺牲层上培育薄膜并使其生长；改变外界条件使所述牺牲层改性并得到单独薄膜。通过构建至少一层支撑层和至少一层牺牲层，并通过改变外界条件使得牺牲层失效，使得薄膜和支撑层脱离，得到独立的薄膜，此结构对于薄膜分离、转移具有很好的应用价值，能够为集成电路、芯片制造中难以剥离的薄膜提供了一种简单便捷的薄膜分离方式。可以广泛应用于集成电路、芯片制造以及薄膜产品制造的相关工艺。
-
公开(公告)号：CN216873170U
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202123073741.7
申请日：2021-12-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H03H7/46
Abstract: 本实用新型涉及一种基于LTCC工艺的高性能双工器，属于双工器技术领域。本实用新型包括LTCC基体层，LTCC基体层形成有双工器电路结构，双工器电路结构由低通滤波电路和带通滤波电路组成，低通滤波电路包括串联在共用输入端口和低频输出口端口之间的第一电感和第一并联谐振器，第一电感和第一并联谐振器之间连接有接地的第一电容，带通滤波电路包括串联在共用输入端口和高频输出端口之间的第一串联谐振器和第二串联谐振器，第一串联谐振器和第二串联谐振器之间连接有第三串联谐振器，第三串联谐振器连接有接地的第二并联谐振器，本实用新型具有低通信号输出端和带通信号输出端的隔离度高，低通支路的的带外抑制高的效果。
-
公开(公告)号：CN216873167U
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202123073822.7
申请日：2021-12-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本实用新型涉及一种基于LTCC工艺的低通和带通双工器，属于双工器技术领域。本实用新型包括LTCC基体层，LTCC基体层形成有双工器电路结构，双工器电路结构由低通滤波电路和带通滤波电路组成，低通滤波电路包括串联在共用输入端口和低频输出口端口之间的第一电感和第二电感，第一电感和第二电感之间连接有接地的第一电容，带通滤波电路包括串联在共用输入端口和高频输出端口之间的第一串联谐振器和第二串联谐振器，第一串联谐振器和第二串联谐振器之间连接有第三串联谐振器，第三串联谐振器连接有接地的第一并联谐振器，本实用新型实现双工器在体积和性能上平衡的同时，具有很好的选频特性和隔离特性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.028 seconds)
