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公开(公告)号：CN118191922A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410438745.X
申请日：2024-04-12
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种空间结构正则化多道稀疏脉冲反褶积方法。首先，该方法假设反射系数在时间上满足柯西函数描述的稀疏分布，将其引入到稀疏脉冲反褶积的正则化条件。此外，该方法基于地震信号在空间上的连续性和可预测性，采用结构张量对地震信号的空间结构进行估算和表征，也将其引入到稀疏脉冲反褶积的正则化条件。本发明方法实现了稀疏结构和空间结构联合驱动的多道稀疏脉冲反褶积处理，抑制了随机噪声对反褶积结果的影响，增强了高频地震信号恢复精度。
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公开(公告)号：CN116903381A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310872194.3
申请日：2023-07-17
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/632 , C04B35/634 , B28C5/38 , B28C5/46 , B28B1/29 , B28B3/00 , B28B11/24
Abstract: 本发明提供一种高导热高强度氮化硅基板制备方法，涉及半导体陶瓷基板制造技术领域。该高导热高强度氮化硅基板制备方法是将羚基共聚物改性分散剂、甲苯、无水乙醇、氧化镁、氧化钇、β‑Si3N4晶种、α‑Si3N4粉体按一定比例混合加入球磨罐中球磨24h；在球磨后的混合物中加入丙烯酸树脂以及聚酯增塑剂继续球磨48h，得到氮化硅浆料；将得到氮化硅浆料经过真空脱泡、过滤、流延成型，得到氮化硅生坯；对得到氮化硅生坯进行切割处理，得到切割后的氮化硅生坯；对切割后的氮化硅生坯进行排胶处理，得到排胶后的氮化硅生坯；将排胶后的氮化硅生坯进行气压烧结，得到氮化硅基板。本发明得到的氮化硅基板产品热导率≥90W/m·k，抗弯强度≥750MPa。
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公开(公告)号：CN115551129A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211252132.4
申请日：2022-10-13
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开一种集成变压器的恒温发热器，包括变压器、通过层叠工艺与所述变压器集成在一起的发热组件、第一外电极和第二外电极，所述变压器采用LTCC技术加工，所用磁性介质材料的居里温度对应于恒温时的温度；所述发热组件采用层叠工艺与所述变压器集成形成一体，以充分利用了所述变压器逸散的热能；所述第一外电极和第二外电极与所述变压器连接。本发明将发热严重的变压器集成在磁性材料内部，利用变压器使用过程中产生的热量来进行发热，同时利用磁性材料本身到达居里温度时会失去磁性的特点来控制温度，从而实现自动恒温的功能。本发明将变压器与磁性材料相结合，将变压器发热严重的缺点利用起来，实现了不需要传感器的自动恒温。
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公开(公告)号：CN114409413A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111472033.2
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C04B35/583 , C04B35/622 , C04B38/08
Abstract: 本发明公开了一种氮化硅陶瓷基板，包括按质量分数占氮化硅陶瓷基板总体质量50%‑90%的氮化硅空心球体，剩余为添加剂和/或助剂以及无法去除的杂质。本发明氮化硅陶瓷基板，通过将氮化硅空心球体设置为主要材料，因其空心从而具备良好的导热率、密度较小和较低的相对介电常数，同时制备工艺简单，易于大批量生产。本发明还公开了上述氮化硅陶瓷基板的制造方法。
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公开(公告)号：CN114300175A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111472035.1
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种氮化铜基印刷电极，包括：25‑75%的致密铜、20‑70%的氮化铜以及5‑10%的辅助材料，其中，所述致密铜被配置为占电极横截面截面积的30%‑80%。通过上述方案得到的氮化铜基印刷电极具有可印刷、导电率高、性能稳定、成本低、方便大规模制造等特点，可用于高性能集成芯片制造。本发明还公开一种氮化铜基印刷电极制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114267472A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111472008.4
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种氮化铜浆料，包括：一种氮化铜浆料，包括按质量百分比的如下组分：氮化铜粉体75‑90%、黏结剂1‑15%、有机溶剂5‑30%、增稠剂1‑5%、助剂0.5‑5%。上述方案使得电子印刷后电极不会发生氧化反应，在电极、电子线路印刷成型后，通过高温加热的方式，氮化铜浆料将发生化学分解反应转换为致密的铜电极。其反应速度快，生成的铜致密度高，且在氮气环境中发生反应，能够极大的减小铜粉表面的氧化反应发生，进而实现高质量、高致密度铜导体线路的制造。本发明还公开了氮化铜浆料的制备方法以及应用。
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公开(公告)号：CN114212760A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111472052.5
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种超细氮化铜粉体的制备方法，包括：构建至少一层支撑层和设于所述支撑层上的至少一层牺牲层，牺牲层被配置为可通过外界条件改变而改性；在所述牺牲层上培育薄膜并使其生长；改变外界条件使所述牺牲层改性并得到单独薄膜。通过构建至少一层支撑层和至少一层牺牲层，并通过改变外界条件使得牺牲层失效，使得薄膜和支撑层脱离，得到独立的薄膜，此结构对于薄膜分离、转移具有很好的应用价值，能够为集成电路、芯片制造中难以剥离的薄膜提供了一种简单便捷的薄膜分离方式。可以广泛应用于集成电路、芯片制造以及薄膜产品制造的相关工艺。
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公开(公告)号：CN118409354A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410438746.4
申请日：2024-04-12
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G01V1/36
Abstract: 本发明公开了一种基于结构张量正则化的多道反演吸收补偿方法，包括以下步骤：(1)利用结构张量提取地震信号的空间倾角，沿倾角方向设计空间预测滤波器；(2)将空间预测滤波器引入到多道反演吸收补偿的正则化条件，在多道反演理论框架下实现地层吸收补偿。由于将地震信号的空间可预测性引入了吸收补偿反演的目标函数，因此，该反演系统具有一定的信号和噪声识别能力，能够实现信号和噪声的选择性补偿。该方法有效地抑制了噪声干扰在吸收补偿过程中的放大效应，在恢复高频信号的同时，较好地保持了地震记录的信噪比。
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公开(公告)号：CN115459530A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211252276.X
申请日：2022-10-13
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开一种用于机器人仿真关节的永磁球型步进电机，在空心转子球体上分布有依据近似等边球面划分原则分布的永磁体槽，槽内放置有永磁体。在位于转子球体外侧的定子内分布有按照一定空间规则分布的定子槽，槽内放置有铁磁线圈。输出轴与空心转子球壳固连，轴端带有法兰盘，法兰盘上固定有位置传感器。定子与转子之间通过轴承及轴承支架相连，上轴承上固定有三个位置传感器。本发明通过固定在法兰盘以及上轴承的位置传感器来对转子的位置进行检测，精确定位了转子的运动位置。通过对比定子线圈的输出电流和位置传感器的信息并反馈到控制端，实现精确控制。同时由于结构简化，转子运行角度增加，使得其更适用于机器人关节的仿真运动。
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公开(公告)号：CN114362707A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111495358.2
申请日：2021-12-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及一种LTCC小型化双工器，属于双工器技术领域。本发明包括LTCC基体层，LTCC基体层形成有双工器电路结构，双工器电路结构由低通滤波电路和高通滤波电路组成，低通滤波电路包括串联在共用输入端口和低频输出端口之间的电感，相邻两个电感之间连接有与接地端口连接的电容，高通滤波电路包括串联在共用输入端和高频输出端口之间的电容，相邻两个电容之间连接有与接地端口连接的电感，本发明通过合理三维布局，利用各元件的寄生参数，实现抑制低通双工器上的寄生通带和优化高通双工器带外抑制的效果。
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