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公开(公告)号：CN116068626A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310207347.2
申请日：2023-02-28
申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC分类号： G01V1/28
摘要： 本发明公开了一种高阶谱驱动的同态滤波高分辨率地震数据处理方法，首先输入地震记录，采用谱模拟方法由地震记录估算地震子波的振幅谱，计算地震记录的三阶累积量并进行傅里叶变换得到其相位谱，计算分离点的混合相位子波的相位谱，采用粒子群算法从地震记录的复赛谱序列中确定地震子波与反射系数序列的最佳分离点，从地震记录中分离出混合相位地震子波，并对地震记录进行混合相位子波反褶积，得到混合相位子波反褶积的输出记录。本发明的方法通过同态滤波与高阶谱变换的联合应用，将复杂的高维泛函反演问题降维为单参数反演问题，提高混合相位子波估算的稳定性和计算精度及地震记录的分辨率，增强混合相位子波反褶积方法揭示地下薄层结构的能力。
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公开(公告)号：CN114374369A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111495363.3
申请日：2021-12-09
申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州)
摘要： 本发明涉及一种基于LTCC工艺的具有低频传输零点的双工器，属于双工器技术领域。本发明包括LTCC基体层，LTCC基体层形成有双工器电路结构，双工器电路结构由低通滤波电路和带通滤波电路组成，低通滤波电路包括串联在共用输入端口和低频输出口端口之间的第一电感和第一并联谐振器，第一电感和第一并联谐振器之间连接有接地的第一电容，带通滤波电路包括串联在共用输入端口和高频输出端口之间的第一串联谐振器和第二串联谐振器，第一串联谐振器和第二串联谐振器之间连接有第三串联谐振器，第三串联谐振器连接有接地的第二并联谐振器，本发明通过在低通滤波电路引入并联谐振器，在带外引入一个带外零点，增加低通支路的的带外抑制。
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公开(公告)号：CN114293259A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111472054.4
申请日：2021-12-06
申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州)
摘要： 本发明公开了一种氮化硼晶体，所述氮化硼晶体的空间群为IM‑3，晶格参数a=b=c=14.034（±0.5%），晶体结构是具有大直径纳米孔的拓扑结构。该氮化硼晶体物理特性较好。本发明还提供上述氮化硼晶体的制备方法，废液产生率低，过程中杂质少，且原料丰富，成本低。
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公开(公告)号：CN115551129A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211252132.4
申请日：2022-10-13
申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州)
摘要： 本发明公开一种集成变压器的恒温发热器，包括变压器、通过层叠工艺与所述变压器集成在一起的发热组件、第一外电极和第二外电极，所述变压器采用LTCC技术加工，所用磁性介质材料的居里温度对应于恒温时的温度；所述发热组件采用层叠工艺与所述变压器集成形成一体，以充分利用了所述变压器逸散的热能；所述第一外电极和第二外电极与所述变压器连接。本发明将发热严重的变压器集成在磁性材料内部，利用变压器使用过程中产生的热量来进行发热，同时利用磁性材料本身到达居里温度时会失去磁性的特点来控制温度，从而实现自动恒温的功能。本发明将变压器与磁性材料相结合，将变压器发热严重的缺点利用起来，实现了不需要传感器的自动恒温。
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公开(公告)号：CN114409413A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111472033.2
申请日：2021-12-06
申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC分类号： C04B35/583 , C04B35/622 , C04B38/08
摘要： 本发明公开了一种氮化硅陶瓷基板，包括按质量分数占氮化硅陶瓷基板总体质量50%‑90%的氮化硅空心球体，剩余为添加剂和/或助剂以及无法去除的杂质。本发明氮化硅陶瓷基板，通过将氮化硅空心球体设置为主要材料，因其空心从而具备良好的导热率、密度较小和较低的相对介电常数，同时制备工艺简单，易于大批量生产。本发明还公开了上述氮化硅陶瓷基板的制造方法。
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公开(公告)号：CN114300175A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111472035.1
申请日：2021-12-06
申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州)
摘要： 本发明公开了一种氮化铜基印刷电极，包括：25‑75%的致密铜、20‑70%的氮化铜以及5‑10%的辅助材料，其中，所述致密铜被配置为占电极横截面截面积的30%‑80%。通过上述方案得到的氮化铜基印刷电极具有可印刷、导电率高、性能稳定、成本低、方便大规模制造等特点，可用于高性能集成芯片制造。本发明还公开一种氮化铜基印刷电极制造方法。
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公开(公告)号：CN114267472A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111472008.4
申请日：2021-12-06
申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州)
摘要： 本发明公开了一种氮化铜浆料，包括：一种氮化铜浆料，包括按质量百分比的如下组分：氮化铜粉体75‑90%、黏结剂1‑15%、有机溶剂5‑30%、增稠剂1‑5%、助剂0.5‑5%。上述方案使得电子印刷后电极不会发生氧化反应，在电极、电子线路印刷成型后，通过高温加热的方式，氮化铜浆料将发生化学分解反应转换为致密的铜电极。其反应速度快，生成的铜致密度高，且在氮气环境中发生反应，能够极大的减小铜粉表面的氧化反应发生，进而实现高质量、高致密度铜导体线路的制造。本发明还公开了氮化铜浆料的制备方法以及应用。
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公开(公告)号：CN114212760A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111472052.5
申请日：2021-12-06
申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州)
摘要： 本发明公开了一种超细氮化铜粉体的制备方法，包括：构建至少一层支撑层和设于所述支撑层上的至少一层牺牲层，牺牲层被配置为可通过外界条件改变而改性；在所述牺牲层上培育薄膜并使其生长；改变外界条件使所述牺牲层改性并得到单独薄膜。通过构建至少一层支撑层和至少一层牺牲层，并通过改变外界条件使得牺牲层失效，使得薄膜和支撑层脱离，得到独立的薄膜，此结构对于薄膜分离、转移具有很好的应用价值，能够为集成电路、芯片制造中难以剥离的薄膜提供了一种简单便捷的薄膜分离方式。可以广泛应用于集成电路、芯片制造以及薄膜产品制造的相关工艺。
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公开(公告)号：CN116823705A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310086886.5
申请日：2023-02-09
申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州)
摘要： 本发明公开了一种基于深度学习的芯片缺陷数据集构建及检测方法，采用图像旋转、错切变换、镜像翻转数据增强处理方法对数据集进行扩充处理，将扩充后的数据集与原始图像数据集按照一定比例构成深度学习训练数据集；通过数据预处理方法实现图像信息的显著性提高；利用纹理方法和区域选择的缺陷提取方法，得到缺陷图像；利用轻量级卷积网络实现芯片缺陷图像的检测和识别。本发明在增加样本数量的同时保证了样本的多样性，解决了传统芯片缺陷检测中样本数量少的问题；引入了轻量级卷积网络，减少了网络参数，缩短了检测时间，实现了多尺度预测和准确的缺陷检测与识别。
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公开(公告)号：CN116184491A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310201074.0
申请日：2023-02-28
申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州)
摘要： 本发明公开了一种基于反射结构特征的机器学习高分辨率地震数据重建方法，通过输入地震数据，筛选声波测井曲线和密度测井曲线，将深度域测井数据转换成时间域数据，首先计算声波阻抗，进而计算反射系数，再建立神经网络训练集，并利用原始地震数据，计算构造算子，最后建立具有反射数据结构特征的机器学习高分辨率数据处理系统的目标函数并求解，完成基于反射结构特征的机器学习高分辨率地震数据处理。本发明的方法将地震数据的空间特征融入机器学习高分辨率重建过程中，使预测结果包含数据的横向空间信息，最终提高结果的稳定性以及准确性，同时提升了地震数据薄层结构的恢复效果，能更加精细的刻画薄层砂体的空间展布特征和储层特征。
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