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公开(公告)号：CN106933288A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710284463.9
申请日：2017-04-25
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/56
Abstract: 一种低功耗无片外电容型低压差线性稳压器，属于电源管理技术领域。采用共栅极输入对和跨导增强的误差放大器电路通过对信号的两路放大，将跨导进行k1*k2倍的放大，没有引入低频的零级点，同步增大了增益和带宽，采用共栅极的输入对在保证低功耗的同时增强摆率，同时有利于将输出极点推到更高频，实现更高的带宽；高通检测网络提升瞬态响应，减小了瞬态变化时输出电压VOUT出现的下冲电压，进一步拓展带宽；瞬态增强电路提供一个更加快速的通路，在负载稳定的时候不工作，不影响主环路的调整，在瞬态的时候，用来提高更大的动态环路增益，增强低压差线性稳压器的瞬态响应速度。本发明具有瞬态响应速度快和低功耗的特点。
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公开(公告)号：CN118466674A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410645047.7
申请日：2024-05-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明属于模拟电路技术领域，具体涉及一种高压平滑自启动基准电流源电路。相比于常规的基于DSRD的亚纳秒高压脉冲电路，本发明采用LDMOS管降压，解决了传统结构无法耐受高电压的问题；采用NPN三极管产生一个PTAT电流，并在电阻上产生一个CTAT电压降，将该PTAT电流与电阻上的CTAT电流相叠加，通过调节两个电流的大小以及各自温度系数来产生基准电流源。本发明解决了普通MOS管构成的基准电流源结构在高压应用中存在的耐压问题；设计了自启动模块，在不需要额外的外部电源或启动信号的情况下实现高压自启动，优化了电路的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN118151709A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410289028.5
申请日：2024-03-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于电源管理技术领域，尤其涉及一种具有过流环结构的高PSR性能的大片外电容LDO。本发明利用大片外电容利于稳压以及高压功率管具有大rds的特点，从常见的低压降，小负载电流的LDO转变为了高压降，大负载电流的LDO，提高了LDO全频段的PSR性能。相比传统结构，本发明的方案低频时电源噪声可以通过较大的环路增益来抑制，而中高频时的电源噪声可以通过大片外电容来滤除。
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公开(公告)号：CN118100907A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410289036.X
申请日：2024-03-14
Applicant: 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: H03K19/094 , H03K19/20 , G06F30/36
Abstract: 本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种适用于GaN半桥驱动芯片分地设计的电平位移电路。本发明主要是通过分地设计，设计驱动芯片逻辑部分的参考地为SGNG，驱动芯片功率回路部分的参考地为PGND，并且参照SGND的5V电源轨为VDD5，参照PGND的5V电源轨为VDDL，输入电源VCC为9～20V电源轨，通过设计的电流镜在各自稳固的电压域中，对IN信号和其产生的电流信息进行处理，避免SGND和PGND之间的压差对信号处理造成干扰。本发明能在高地弹的GaN半桥栅驱动芯片中稳定工作。
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公开(公告)号：CN118100805A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410276775.5
申请日：2024-03-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于高频振荡器技术领域，尤其涉及一种片内集成的高频振荡器。本发明的高频振荡器主要由压控振荡器、电平位移、频率电压转换器、误差放大器四个模块组成，还包括第二电容、直流电源、参考地、参考电压；压控振荡器、电平位移、频率电压转换器、误差放大器、第二电容构成一个负反馈环路，误差放大器作为负反馈环路内的核心模块，将误差放大器正负输入端电压钳位至一样大，其输出则作为压控振荡器的电源电压；压控振荡器由反相器组成；电平位移的作用是实现电平转换；频率电压转换器的功能是实现频率信息至电压信息的转换。本发明使用开关电容和运算放大器等结构实现了一种片内集成的高频振荡器电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118100616A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410252371.2
申请日：2024-03-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于开关电源技术领域，具体涉及一种峰值电流限电路。本发明提出的峰值电流限电路能够精确检测上功率管电流，实现在不同占空比下稳定的峰值电流限，从而在上功率管电流达到设定的过流点时关断上功率管停止对输出充电，打开下功率管从而提供电流释放通路，保护内部电路和外部负载。为使过流时下功率管能充分释放过流电流，通过检测SW点的电压来控制下功率管的开关从而确保电流释放完成。
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公开(公告)号：CN117856405A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410143136.1
申请日：2024-01-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，具体涉及一种用于充电电池的辅助充电电路。针对锂电池充电应用中的辅助充电较难的问题，本发明设计了一种针对锂电池充电的辅助充电电路，利用跨导线性环以及差分比较电路、电压转电流等结构，精确实现BST欠压时，不依托芯片LDO对BST电容进行充电，而在BST摆脱欠压点后，停止辅助充电的功能。
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公开(公告)号：CN117833623A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410143223.7
申请日：2024-01-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/088 , H02M1/32 , H03K17/687 , H02M3/07 , H02J7/00
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，具体涉及一种防止反向放电的功率管的栅极驱动电路。针对相对于传统DC‑DC BUCK电路应用中并不存在的防止反向放电的功率管，本发明设计的栅极驱动电路包括电源轨模块、非交叠时钟产生模块、电荷泵模块、栅极供电模块，其中电源轨模块产生VIN‑5的电压，非交叠时钟产生模块根据VIN‑5的电压产生非交叠时钟，电荷泵模块利用非交叠时钟产生VIN+5V电压给栅极供电模块，栅极供电模块通过电流镜结构将几十微安量级的电流灌入功率管的栅极，从而实现该功率管的栅源电压在所有工艺角温度的条件下在很小的范围波动，以实现电池充电的正常工作。
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公开(公告)号：CN115189565B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202210847327.7
申请日：2022-07-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体涉及一种用于高压半桥栅驱动芯片的死区时间控制电路。本发明的死区控制电路包括片外电阻采样电路，模式判断与控制电路和死区时间调制电路三部分，片外电阻采样电路根据片外死区控制电阻RDT的值，将其转化为与阻值成比例的电压VDT并送到模式判断与控制电路中，根据VDT的值产生不同的输出信号以表征进入不同的死区控制模式，高低侧信号HIN和LIN经过死区时间调整电路后产生包含对应死区时间的输出信号。本发明提出的死区时间控制电路可根据不同的外部应用条件，选择不同的死区时间，使得在宽范围的应用场景下都能有合适的死区时间，从而有效降低半桥拓扑里上管与下管的穿通风险和死区时间内所带来的功耗损失。
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