公开(公告)号：CN118100907A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410289036.X

申请日：2024-03-14

申请人： 电子科技大学(深圳)高等研究院

发明人： 明鑫 ,  张永强 ,  吴之久 ,  王卓 ,  张波

IPC分类号： H03K19/094 ,  H03K19/20 ,  G06F30/36

摘要： 本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种适用于GaN半桥驱动芯片分地设计的电平位移电路。本发明主要是通过分地设计，设计驱动芯片逻辑部分的参考地为SGNG，驱动芯片功率回路部分的参考地为PGND，并且参照SGND的5V电源轨为VDD5，参照PGND的5V电源轨为VDDL，输入电源VCC为9～20V电源轨，通过设计的电流镜在各自稳固的电压域中，对IN信号和其产生的电流信息进行处理，避免SGND和PGND之间的压差对信号处理造成干扰。本发明能在高地弹的GaN半桥栅驱动芯片中稳定工作。

公开(公告)号：CN116127879A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310180326.6

申请日：2023-02-28

申请人： 电子科技大学 ,  电子科技大学(深圳)高等研究院

发明人： 王卓 ,  郭银 ,  江逸洵 ,  乔明 ,  张波

IPC分类号： G06F30/30 ,  G06F119/08

摘要： 本发明属于功率集成电路技术领域，具体地说是涉及一种横向高压器件等效电路模型的建立方法及仿真方法。本发明的电路模型包括：场效应管；漏端电阻，一端与场效应管漏极相连且第二端作高压器件的漏极；源极电阻，一端连接到场效应管的源极且第二端作高压晶体管的源极；体二极管，通过阴极电阻与电感的并联网络与二极管阴极串联，其阳极连接到高压晶体管源极，阴极电阻另一端连接到高压器件漏极。第一电流源，一端连接到高压器件的漏极，另一端连接到高压器件的源极；仿真模型采用电压控制电阻值关系式来修正外接电阻的阻值，相比传统模型，本发明提出的电阻表达式物理意义明显，有效的提高了横向高压器件模型的仿真精度，同时具有更好的收敛性。

公开(公告)号：CN118300398A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410276454.5

申请日：2024-03-12

申请人： 电子科技大学(深圳)高等研究院

发明人： 明鑫 ,  石鲁吉 ,  靳紫懿 ,  李馨如 ,  陈禹翰 ,  王卓 ,  张波

IPC分类号： H02M1/38 ,  H02M1/00

摘要： 本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种应用于半桥驱动的可编程死区电路。本发明包括片外控制信息读取模块、两个死区时间延时模块、两个第二与非门；片外控制信息读取模块的输入为片外引脚，输出端分别接死区时间延时模块的输入；死区时间延时模块接外部输入，输出接与非门，与非门输出信号；其中，当片外引脚接片外电阻到地时，为可编程的线性死区时间调控模式，输出不允许同时为高，死区时间与片外电阻的阻值程线性关系；当片外引脚悬空时为固定死区时间模式，输出不允许同时为高，死区时间为一个固定值；当片外引脚接到电源VCC时，为直通放行模式，输出允许同时为高，没有额外死区时间。本发明能满足宽范围的应用需求。