公开(公告)号：CN118100907A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410289036.X

申请日：2024-03-14

申请人： 电子科技大学(深圳)高等研究院

发明人： 明鑫 ,  张永强 ,  吴之久 ,  王卓 ,  张波

IPC分类号： H03K19/094 ,  H03K19/20 ,  G06F30/36

摘要： 本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种适用于GaN半桥驱动芯片分地设计的电平位移电路。本发明主要是通过分地设计，设计驱动芯片逻辑部分的参考地为SGNG，驱动芯片功率回路部分的参考地为PGND，并且参照SGND的5V电源轨为VDD5，参照PGND的5V电源轨为VDDL，输入电源VCC为9～20V电源轨，通过设计的电流镜在各自稳固的电压域中，对IN信号和其产生的电流信息进行处理，避免SGND和PGND之间的压差对信号处理造成干扰。本发明能在高地弹的GaN半桥栅驱动芯片中稳定工作。

公开(公告)号：CN118300398A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410276454.5

申请日：2024-03-12

申请人： 电子科技大学(深圳)高等研究院

发明人： 明鑫 ,  石鲁吉 ,  靳紫懿 ,  李馨如 ,  陈禹翰 ,  王卓 ,  张波

IPC分类号： H02M1/38 ,  H02M1/00

摘要： 本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种应用于半桥驱动的可编程死区电路。本发明包括片外控制信息读取模块、两个死区时间延时模块、两个第二与非门；片外控制信息读取模块的输入为片外引脚，输出端分别接死区时间延时模块的输入；死区时间延时模块接外部输入，输出接与非门，与非门输出信号；其中，当片外引脚接片外电阻到地时，为可编程的线性死区时间调控模式，输出不允许同时为高，死区时间与片外电阻的阻值程线性关系；当片外引脚悬空时为固定死区时间模式，输出不允许同时为高，死区时间为一个固定值；当片外引脚接到电源VCC时，为直通放行模式，输出允许同时为高，没有额外死区时间。本发明能满足宽范围的应用需求。