公开(公告)号：CN106982494A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201710311700.6

申请日：2017-05-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李路 ,  宋旭 ,  朱旭晗 ,  于亮亮 ,  梁龙飞 ,  张波

IPC: H05B33/08

CPC classification number: H05B33/0809 ,  H05B33/0887

Abstract: 一种可调光LED恒流驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块、滤波模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变化，从而影响LED的亮度；由高反向耐压恒流器件组成的恒流整流模块简化了传统LED驱动电路的结构，使整流功能和恒流功能结合到一起，无需加其它分立恒流器件即可直接接市电来驱动LED灯串；使用高分子正温热敏电阻PPTC防止流过LED的电流过大，双向瞬态电压抑制器TVS保护了LED灯串不会因为瞬态高压而损坏。本发明将整流、恒流和调光功能结合在一起，简化了驱动电路的结构，可实现驱动系统的小型化，降低了成本。

公开(公告)号：CN106129125A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610602001.2

申请日：2016-07-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李成州 ,  卢璐 ,  于亮亮 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/77 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L21/77 ,  H01L27/06 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明提供一种三端自带防护功能的横向恒流器件及其制造方法，器件包括横向恒流二极管结构与瞬态电压抑制二极管结构，横向恒流二极管包括P型轻掺杂衬底、第一P型重掺杂区、第二金属阴极、扩散N型阱区、第二P型重掺杂区、第三P型轻掺杂区、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、氧化介质层、第一金属阴极；瞬态电压抑制二极管结构包括P型轻掺杂衬底、第一P型重掺杂区、第二金属阴极、扩散N型阱区、第二N型重掺杂区、氧化介质层、金属阳极；本发明在浪涌波动袭击恒流器件时率先击穿，泄放大电流，来保护恒流二极管以及其后驱动的LED灯串，提高了恒流器件及整个系统的可靠性，大大缩减了面积，降低了研发成本。

公开(公告)号：CN105392240A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510995850.4

申请日：2015-12-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  于亮亮 ,  方冬 ,  李成州 ,  何逸涛 ,  张波

IPC: H05B33/08

CPC classification number: H05B33/0809 ,  H05B33/0845

Abstract: 一种LED照明驱动系统，包括变压器和驱动芯片，变压器包括两个交流输入端和两个输出端；驱动芯片包括第一器件、第二器件、第三器件、第四器件，第一器件的阳极与第四器件的阴极连接形成第一节点，第一器件的阴极与第二器件的阴极相连接形成第二节点，第二器件的阳极与第三器件的阴极相连接形成第三节点，第三器件的阳极与第四器件的阳极相连接形成第四节点；变压器的第一交流输出端与第一节点相连接，变压器的第二交流输出端与第三节点相连接。本发明驱动系统将整流功能和恒流功能结合在一起，使得LED的驱动更简单可靠，可实现驱动系统的小型化；利用变压器将输入交流电转换到合适的电压，使系统功耗进一步降低，提高驱动系统的效率。

公开(公告)号：CN104779303A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510080466.1

申请日：2015-02-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  张康 ,  于亮亮 ,  何逸涛 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明提出了一种垂直型恒流二极管及其制造方法，属于半导体技术领域。本发明垂直型恒流二极管包括依次连接的元胞结构和终端结构，所述元胞结构由多个结构相同并依次连接的元胞组成，所述终端结构由截止环和多个依次连接的场限环组成。本发明恒流二极管采用与外延层掺杂类型相反的P型掺杂半导体材料作为衬底，P型轻掺杂衬底会向N型轻掺杂外延层注入空穴，使得恒流二极管为空穴电流和电子电流两种载流子电流，增大了器件的电流密度；且不同掺杂类型的衬底会辅助沟道的耗尽，加快JFET区沟道的夹断，使夹断电压在4V以下。

公开(公告)号：CN106098754B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201610725628.7

申请日：2016-08-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李路 ,  于亮亮 ,  方冬 ,  杨文 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N+接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P+接触区以及隔离介质，隔离介质包括相互分离的子介质；各子介质从P‑well区的外侧向N型漂移区的外侧延伸，环形漏极N+接触区包围环形N型漂移区，环形N型漂移区包围环形隔离介质，环形隔离介质隔离P‑well区，环形隔离介质处于P‑well区和N型漂移区之间，P‑well区与N型漂移区不相连且相互的间距为LP，本发明改善了直线结终端结构与曲率结终端结构相连部分电荷不平衡与电场曲率效应的问题，避免器件提前击穿，从而得到最优化的击穿电压。

公开(公告)号：CN104638021B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201510080605.0

申请日：2015-02-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  于亮亮 ,  何逸涛 ,  代刚 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提出了一种横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括P型轻掺杂衬底、扩散N型阱区、P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、氧化介质层、金属阴极、金属阳极、第二N型重掺杂区；P型重掺杂区位于第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区之间，第一N型重掺杂区部分包含于P型重掺杂区之中，第一N型重掺杂区与P型重掺杂区短接并与金属阴极形成欧姆接触，第二N型重掺杂区与金属阳极形成欧姆接触。本发明恒流二极管采用PN结短接结构，可减小芯片面积，降低成本；同时在P型衬底上采用N阱工艺，衬底可辅助耗尽沟道，加快导电沟道的耗尽，实现较低的夹断电压。

公开(公告)号：CN104779303B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201510080466.1

申请日：2015-02-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  张康 ,  于亮亮 ,  何逸涛 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提出了一种垂直型恒流二极管及其制造方法，属于半导体技术领域。本发明垂直型恒流二极管包括依次连接的元胞结构和终端结构，所述元胞结构由多个结构相同并依次连接的元胞组成，所述终端结构由截止环和多个依次连接的场限环组成。本发明恒流二极管采用与外延层掺杂类型相反的P型掺杂半导体材料作为衬底，P型轻掺杂衬底会向N型轻掺杂外延层注入空穴，使得恒流二极管为空穴电流和电子电流两种载流子电流，增大了器件的电流密度；且不同掺杂类型的衬底会辅助沟道的耗尽，加快JFET区沟道的夹断，使夹断电压在4V以下。

公开(公告)号：CN107027220A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710311574.4

申请日：2017-05-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李路 ,  宋旭 ,  朱旭晗 ,  于亮亮 ,  梁龙飞 ,  张波

IPC: H05B33/08

Abstract: 一种可调光LED驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块、滤波模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变化，从而影响LED的亮度；由高反向耐压恒流器件组成的恒流整流模块简化了传统LED驱动电路的结构，使整流功能和恒流功能结合到一起，无需加其它分立恒流器件即可直接接市电来驱动LED灯串；使用高分子正温热敏电阻PPTC防止流过LED的电流过大，压敏电阻Rv保护了LED灯串不会因为瞬态高压而损坏。本发明将整流、恒流和调光功能结合在一起，简化了驱动电路的结构，可实现驱动系统的小型化，降低了成本。

公开(公告)号：CN106206751A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610604715.7

申请日：2016-07-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  方冬 ,  于亮亮 ,  李成州 ,  李路 ,  张波

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/77 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L21/77 ,  H01L27/06 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明提供一种三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法，器件包括集成在同一硅基片上的恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构；恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构共用N型掺杂衬底、第三P型重掺杂区、阳极，恒流器件结构还包括：第一扩散P型阱区、N型重掺杂区、第一P型重掺杂区、N型沟道区、第一氧化层、第一金属阴极，双向瞬态电压抑制二极管结构还包括：第二P型重掺杂区、第二氧化层、第二金属阴极，本发明将双向瞬态电压抑制二极管和恒流器件集成在一起，使得恒流器件具备了一定的抗浪涌能力，增强了恒流器件以及由其组成的系统的可靠性，大大缩减了面积。

公开(公告)号：CN106129118A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610727532.4

申请日：2016-08-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  于亮亮 ,  李路 ,  方冬 ,  杨文 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7823 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649

Abstract: 本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N+接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P+接触区以及环形隔离介质；环形漏极N+接触区包围环形N型漂移区，环形N型漂移区包围环形隔离介质，环形隔离介质隔离P‑well区，环形隔离介质处于P‑well区和N型漂移区之间，P‑well区与N型漂移区不相连且相互的间距为LP，本发明改善了直线结终端结构与曲率结终端结构相连部分电荷不平衡与电场曲率效应的问题，避免器件提前击穿，从而得到最优化的击穿电压。