公开(公告)号：CN116686067A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202180086706.2

申请日：2021-12-24

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 篠田智则 ,  根本拓 ,  田村樱子

IPC: H01L21/301

Abstract: 本发明涉及半导体芯片的制造方法，其依次包括工序(S1)、(S2)、(S3)、(S3α)及(S4)，并进一步在工序(S4)之后依次包括工序(S5)及工序(S6)(工序(S5)～(S6)如说明书中定义的那样)。

公开(公告)号：CN104838490B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201380063148.3

申请日：2013-11-29

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 高野健 ,  篠田智则 ,  吾妻佑一郎

IPC: H01L23/29 ,  B32B27/30 ,  C08J5/18 ,  C08L63/00 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用膜，其用于形成保护半导体芯片的保护膜，所述保护膜形成用膜含有(A)丙烯酸类聚合物、(B)环氧类固化性成分、(C)填充材料及(D1)硅烷偶联剂，构成(A)丙烯酸类聚合物的单体不含含有环氧基团的单体或者以全部单体的8质量％以下的比例包含含有环氧基团的单体，并且(A)丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度为‑3℃以上，(D1)硅烷偶联剂的分子量为300以上。

公开(公告)号：CN108155142A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201810059237.5

申请日：2012-09-27

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 篠田智则 ,  古馆正启 ,  高野健

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  C09J7/40

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/40 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24843 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是提供具有保护膜形成层的切割膜片，其可简便地制造具有厚度均匀性高、标记精度优良的保护膜的半导体芯片，并且可扩展，并且基材具有耐热性。本发明的解决方法是，本发明的具有保护膜形成层的切割膜片，其具有：基材膜、粘着剂层及保护膜形成层，并且，粘着剂层，以平面视至少形成于包围保护膜形成层的区域，并且，基材膜，包括如下(a)～(c)的特性：(a)熔点超过130℃，或者不具有熔点、(b)以130℃加热2小时时的热收缩率为-5～+5％、(c)MD方向及CD方向的断裂伸长率为100％以上，25％应力为100MPa以下。

公开(公告)号：CN103797567B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201280044503.8

申请日：2012-09-27

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 篠田智则 ,  古馆正启 ,  高野健

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  C09J7/40 ,  C09J201/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/40 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24843 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是提供具有保护膜形成层的切割膜片，其可简便地制造具有厚度均匀性高、标记精度优良的保护膜的半导体芯片，并且可扩展，并且基材具有耐热性。本发明的解决方法是，本发明的具有保护膜形成层的切割膜片，其具有：基材膜、粘着剂层及保护膜形成层，并且，粘着剂层，以平面视至少形成于包围保护膜形成层的区域，并且，基材膜，包括如下（a）～（c）的特性：（a）熔点超过130℃，或者不具有熔点、（b）以130℃加热2小时时的热收缩率为‑5～+5%、（c）MD方向及CD方向的断裂伸长率为100%以上，25%应力为100MPa以下。

公开(公告)号：CN104838490A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201380063148.3

申请日：2013-11-29

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 高野健 ,  篠田智则 ,  吾妻佑一郎

IPC: H01L23/29 ,  B32B27/30 ,  C08J5/18 ,  C08L63/00 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: C08L63/00 ,  B32B27/308 ,  B32B2457/14 ,  C08G59/4021 ,  C08K3/36 ,  C08K5/5435 ,  C08L33/068 ,  C08L83/04 ,  H01L23/296 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  C08L33/06 ,  C08F220/14 ,  C08F220/20 ,  C08F2220/325 ,  C08F2220/1825 ,  C09D133/068

Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用膜，其用于形成保护半导体芯片的保护膜，所述保护膜形成用膜含有(A)丙烯酸类聚合物、(B)环氧类固化性成分、(C)填充材料及(D1)硅烷偶联剂，构成(A)丙烯酸类聚合物的单体不含含有环氧基团的单体或者以全部单体的8质量％以下的比例包含含有环氧基团的单体，并且(A)丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度为-3℃以上，(D1)硅烷偶联剂的分子量为300以上。

公开(公告)号：CN100466213C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200580017069.4

申请日：2005-05-26

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 篠田智则 ,  山崎修

IPC: H01L21/56 ,  C08J7/04 ,  C08L101/00

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  Y10T428/31504 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了密封经倒装式接合的器件时不产生气穴，或者密封经引线接合的器件时不引起引线的变形或者断线的半导体密封用树脂片以及使用该树脂片的半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体密封用树脂片由支撑片以及在该支撑片上可剥离地层叠的密封树脂层形成，该密封树脂层具有热固化性，热固化前的密封树脂层的弹性模量为1.0×103～1.0×104Pa，热固化前的密封树脂层在120℃下的熔融粘度为100～200Pa·秒，将热固化前的密封树脂层维持在120℃时，熔融粘度到达最小值的时间在60秒以下。