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公开(公告)号：CN112064114A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010969119.5
申请日：2020-09-15
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明提供了一种层状金属磷化物GePx(x＝1,3,5)单晶的制备方法，仅以红磷和锗粉为原料，无需任何其他添加剂或助熔剂，利用高温高压定向生长技术，通过调控压力与温度等关键条件来控制Ge与P之间的化合成键方式，从而制备出三种不同结构的层状金属磷化物GeP、GeP3、GeP5。该制备方法不仅简单、快速，而且合成的单晶样品纯度高、质量好、尺寸大，这为进一步深入研究GePx的晶体结构、物理化学性质打下了很好的基础。同时也为类黑磷新型磷基二维材料的开发开辟了新的途径，对二维材料的研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118147759A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410113367.8
申请日：2024-01-26
Applicant: 燕山大学
Abstract: 一种Fe3GaTe2晶体、金属掺杂Fe3GaTe2晶体及其生长方法，属于晶体材料生长技术领域。本发明金属掺杂Fe3GaTe2晶体生长方法：1、称取还原Fe粉、金属粉、Ga块、Te粉；2、将Te粉、Ga块、金属粉和还原Fe粉依次送至高纯石英管底部，在氩气保护条件下进行真空密封；3、将真空密封的石英管倾斜一定角度并水平置于马弗炉中，石英管尖端靠近炉门位置，装有原料的石英管底端位于马弗炉热电偶下方；4、设置马弗炉烧结程序，最后自然冷却至室温，获得金属掺杂Fe3GaTe2晶体。本发明通过控制温度梯度调节可逆反应的平衡，为晶体形核生长提供驱动力，同时抑制二元相及其他杂相的提前析出，得到合适的单晶样品。
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公开(公告)号：CN117761016A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311545586.5
申请日：2023-11-20
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N21/552 , C12Q1/6825 , C12Q1/6837 , G01N21/01 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本申请涉及二维材料生物传感技术领域，更具体地说，它涉及一种基于miRNA检测的二维材料生物传感器制备方法及其应用。所述二维材料生物传感器通过在富含缺陷的GeP二维纳米片表面修饰金纳米粒子，使用机械剥离的方法将GeP纳米片转移到金膜表面，然后通过等离子体刻蚀机精确控制GeP纳米片的厚度。要解决的技术问题包括如何有效地组装不同厚度的GeP纳米片到表面等离激元传感器芯片表面，并且使大量金纳米颗粒原位生长在GeP表面的缺陷位置，以实现对目标miRNA序列的高灵敏度检测和极低的检测极限。此外，还需要确保对目标miRNA序列的高精准选择性识别，并具备出色的抗干扰性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114755276B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210410920.5
申请日：2022-04-19
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N27/26
Abstract: 本申请属于生物检测技术领域，特别是涉及一种生物传感器及其制备方法和应用。现有的生物传感器操作复杂，灵敏度低且性能不稳定。本申请提供了一种生物传感器，包括在第一方向上依次层叠的载体薄膜、修饰薄膜和待观测DNA层，所述第一方向为载体薄膜指向待观测DNA层；所述载体薄膜包括在所述第一方向上依次层叠的金膜基底层和硫化钨层。有单层硫化钨晶体这种电荷敏感材料的的加入，使得在原有单纯的金膜表面等离激元共振角成像的基础上，通过加入不同电位振幅频率的调制，达到更清晰敏感地观察λDNA的效果。操作简单，灵敏度高，性能稳定。
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公开(公告)号：CN117071059A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311050546.3
申请日：2023-08-21
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明属于层状磁性纳米材料制备的技术领域,提供了一种二维FexGaTe(x＝2‑5)磁性晶体的制备方法，该方法包括以下步骤：Fe源置于第一刚玉舟内设置在多温区管式炉的第一温区，Ga源和Te源置于第二刚玉舟内设置在多温区管式炉的第二温区，在位于所述第二温区的基底上通过化学气相沉积法制备所述二维FexGaTe(x＝2‑5)磁性晶体，其中，反应过程中，所述第一温区的温度为400～700℃；所述第二温区的温度为500～900℃；所述多温区管式炉内的气体压强为10～100kPa。本发明开发了化学气相沉积方法一步法合成层数可控的居里温度在室温以上的二维FexGaTe2(x＝2‑5)磁性晶体，合成时间在2小时以内。此技术具有耗时短、操作简单、厚度可控等优点。
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公开(公告)号：CN114755276A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210410920.5
申请日：2022-04-19
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N27/26
Abstract: 本申请属于生物检测技术领域，特别是涉及一种生物传感器及其制备方法和应用。现有的生物传感器操作复杂，灵敏度低且性能不稳定。本申请提供了一种生物传感器，包括在第一方向上依次层叠的载体薄膜、修饰薄膜和待观测DNA层，所述第一方向为载体薄膜指向待观测DNA层；所述载体薄膜包括在所述第一方向上依次层叠的金膜基底层和硫化钨层。有单层硫化钨晶体这种电荷敏感材料的的加入，使得在原有单纯的金膜表面等离激元共振角成像的基础上，通过加入不同电位振幅频率的调制，达到更清晰敏感地观察λDNA的效果。操作简单，灵敏度高，性能稳定。
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公开(公告)号：CN113068390A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110348967.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明提供一种二维磁性Fe3GeTe2纳米片与石墨烯纳米片复合材料及其制备方法和应用。该制备方法包括：将Fe3GeTe2粉体与丙酮混合，在冰浴环境下超声液相剥离8～20小时，真空抽滤、洗涤后，得到Fe3GeTe2纳米片；将Fe3GeTe2纳米片与石墨、1‑甲基‑2‑吡咯烷酮混合，在冰浴环境下超声液相解离1～5小时，得到二维磁性Fe3GeTe2纳米片和石墨烯纳米片复合材料。由该方法制备得到的Fe3GeTe2纳米片和石墨烯纳米片复合材料，在厚度仅为1.45mm时，对频率为9.9GHz的微波的最大反射损耗为44.43dB。由此说明其具有很好的微波吸收性能，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN112279301A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011169934.X
申请日：2020-10-28
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种厘米级2H相CrS2‑WS2水平异质结的制备方法，属于无机半导体纳米材料制备领域，包括以下步骤：以Cr、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，在氩气保护下，进行加热硫化反应，通过一步化学气相沉积法制备得到厘米级2H相CrS2‑WS2水平异质结；本发明所述的方法步骤简单，操作方便，合成速度快而且成本低廉，制备得到的2H相CrS2‑WS2水平异质结结晶性良好。
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