公开(公告)号：CN118147759A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410113367.8

申请日：2024-01-26

Applicant: 燕山大学

Inventor： 翟昆 ,  王庆开 ,  岳栋栋 ,  高鑫 ,  柳忠元 ,  牟从普 ,  薛天宇 ,  聂安民

IPC: C30B29/46 ,  C30B1/02 ,  C30B1/10

Abstract: 一种Fe3GaTe2晶体、金属掺杂Fe3GaTe2晶体及其生长方法，属于晶体材料生长技术领域。本发明金属掺杂Fe3GaTe2晶体生长方法：1、称取还原Fe粉、金属粉、Ga块、Te粉；2、将Te粉、Ga块、金属粉和还原Fe粉依次送至高纯石英管底部，在氩气保护条件下进行真空密封；3、将真空密封的石英管倾斜一定角度并水平置于马弗炉中，石英管尖端靠近炉门位置，装有原料的石英管底端位于马弗炉热电偶下方；4、设置马弗炉烧结程序，最后自然冷却至室温，获得金属掺杂Fe3GaTe2晶体。本发明通过控制温度梯度调节可逆反应的平衡，为晶体形核生长提供驱动力，同时抑制二元相及其他杂相的提前析出，得到合适的单晶样品。