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公开(公告)号：CN103560643A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310508532.1
申请日：2013-10-24
Applicant: 清华大学 , 北京华卓精科科技有限公司
Abstract: 一种印刷电路板绕组直线电动机，使得上位机控制系统有效地发挥了绝对光栅相比于增量光栅在位置控制中的优势该直线电动机使用印刷电路板制作线圈绕组阵列，准确地布置线圈绕组中的每个线圈的位置，通过多层印刷电路板相邻两层中的线圈沿电动机直线运动方向错位排布及特定的供电规律，提高线圈绕组阵列中电流形成的电场的正弦性，进而降低直线电动机的推力波动，提高直线电动机的控制精度。
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公开(公告)号：CN103454863A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310390448.4
申请日：2013-08-30
Applicant: 清华大学 , 北京华卓精科科技有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于光刻机工件台的具有柔性关节的线缆台，该线缆台所述的线缆台含有从平面电机引出的线缆束、一个柔性关节、一个Y方向直线气浮导轨滑块机构、一个X方向直线导轨滑块机构和一个X方向直线电机。所述的线缆台与平面电机动子没有硬连接，在X方向由大行程直线电机负责扫描方向驱动，另外在y方向则为一种直线电机加气浮轴承结构进行导向驱动。线缆台的沿X方向和沿Y方向的大行程测量采用线性光栅，精密测量采用两个光电位置探测器进行测量。该线缆台在沿X轴、沿Y轴和沿Z轴转动的三个自由度设置成自由的连接结构，避免了线缆束对平面电机动子运动的干扰，在满足了高运动精度和定位精度的要求同时，又简化了线缆台结构。
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公开(公告)号：CN103441708A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310406596.0
申请日：2013-09-09
Applicant: 清华大学 , 北京华卓精科科技有限公司
Abstract: 一种模块化动铁式六自由度磁浮运动平台，主要应用于半导体光刻设备中。该运动平台包括基座、至少一个磁浮平面电机模块和一个体感控制器；每个磁浮平面电机模块由一个磁浮平面电机动子和一个磁浮平面电机定子组成，可实现微动工作台在水平面内沿X方向、沿Y方向和绕Z轴旋转。本发明与现有技术相比，由于线圈经过优化，不同规格的线圈能够适应一定的推力区间，因此可根据不同的承载力要求进行组合，具有结构简单，高效集成，节约生产成本等特点。
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公开(公告)号：CN103383526A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310153408.8
申请日：2013-04-27
Applicant: 清华大学 , 北京华卓精科科技有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种粗精动叠层工作台，主要应用于半导体光刻设备中。本发明含有精动台在水平面内X方向、Y方向和绕Z轴旋转的第一种电磁力驱动模块和精动台沿Z方向、绕X轴旋转和绕Y轴旋转的第二种电磁力驱动模块；第一种电磁力驱动模块和第二种电磁力驱动模块均采用四组，四组第一种电磁力驱动模块和四组第二种电磁力驱动模块相间布置。第一种电磁力驱动模块的永磁体、轭铁和永磁体骨架及四组第二种电磁力驱动模块的永磁体、永磁体骨架共同组成精动台的动子部分；四组第一种电磁力驱动模块和四组第二种电磁力驱动模块的线圈和线圈骨架及微动台基座共同组成精动台的定子部分。本发明具有结构更加简单、紧凑、质心驱动和微动台动子惯量小等特点。
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公开(公告)号：CN103322927A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310243132.2
申请日：2013-06-19
Applicant: 清华大学
IPC: G01B11/02
CPC classification number: G01B9/02007 , G01B9/02003 , G01B9/02021 , G01B9/02022 , G01B9/02027 , G01B11/14 , G01B2290/70
Abstract: 一种三自由度外差光栅干涉仪位移测量系统，包括双频激光器、光栅干涉仪、测量光栅、接收器、电子信号处理部件；光栅干涉仪包括偏振分光镜、参考光栅、折光元件；该测量系统基于光栅衍射、光学多普勒效应和光学拍频原理实现位移测量。双频激光器出射的双频激光入射至光栅干涉仪、测量光栅后输出四路光信号至接收器，后至电子信号处理部件。当光栅干涉仪与测量光栅做三自由度线性相对运动时，系统可输出三个线性位移。该测量系统能够实现亚纳米甚至更高分辨率及精度，且能够同时测量三个线性位移。该测量系统具有对环境不敏感、测量精度高、体积小、质量轻等优点，作为光刻机超精密工件台位置测量系统可提升工件台综合性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103309177A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310243147.9
申请日：2013-06-19
Applicant: 清华大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光刻机工件台系统，包含机架、基台、分别运行于曝光工位和预处理工位的两个硅片台，以及测量光栅、双频激光器、三自由度外差光栅干涉仪和信号接收与处理部件。在每个硅片台四角处各安装一个三自由外差光栅干涉仪，测量光栅安装于硅片台上方的机架上。双频激光器出射的双频正交偏振激光经光纤传输至三自由度外差光栅干涉仪后至测量光栅，测量光栅的四束衍射光回射至三自由度外差干涉仪，最终出射四束测量光信号至信号接收与处理部件。当硅片台相对于测量光栅运动时，利用信号接收与处理部件中的读数通过解算获取硅片台六自由位移。该光刻机工件台系统可提高硅片台的测量精度、动态性能等指标，进而提高光刻机工件台系统整体性能。
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公开(公告)号：CN103226296A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310152958.8
申请日：2013-04-27
Applicant: 清华大学 , 北京华卓精科科技有限公司
Inventor： 朱煜 , 张鸣 , 杨开明 , 成荣 , 刘召 , 刘昊 , 徐登峰 , 张利 , 田丽 , 叶伟楠 , 张金 , 胡金春 , 穆海华 , 尹文生 , 赵彦坡 , 秦慧超 , 胡清平
Abstract: 一种带激光干涉仪测量的粗精动叠层工作台，主要用于光刻机系统中。叠层工作台含有精动台、粗动台、平衡块、四个隔震器和测量机架；粗动台包括粗动台骨架、四个动铁式电磁力驱动模块和四个气浮轴承；精动台设置在粗动台骨架的中间位置；该系统还含有用于六自由度定位装置的承片台和基座之间位置反馈的激光干涉仪测量组件，激光干涉仪测量组件由激光光源、光路组件、激光干涉仪组成，可对该装置的运动部分进行实时的六自由度的测量。本发明具有结构简单、紧凑，运动部分质量轻；粗动台驱动电机采用加长矩形线圈组，在不影响运动精度的前提下，避开了大规模halbach磁钢阵列的制造困难，又增大了驱动电机行程；进而提高了运动的精度。
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公开(公告)号：CN101655384A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910092564.1
申请日：2009-09-11
Applicant: 清华大学
IPC: G01F1/66
Abstract: 本发明公开了一种测量超声回波飞行时间的方法，该方法采用时间分层内插的方法，第一层采用直接计数法扩大了时间测量范围，而在第二层采用延迟时间内插法，并在拓扑结构上采取全新的二维矩阵方式，将被测飞行时间的计时量化误差再进行两层细分，缩短了延迟线长度，从而提高了延迟线的线性，由于在2-2nd Level采用游标延迟线结构，因此突破了ps级分辨率限制。为了实现该方法，本发明还提供了一套测量设备，该设备由信号收发部分、数字信号处理部分和人机交互部分等组成，能够提供高精度的飞行时间测量结果。
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公开(公告)号：CN112786755B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN201911089309.1
申请日：2019-11-08
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 一种发光二极管，包括：一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极，所述第一半导体层具有相对的第一表面及第二表面，所述第一电极设置在所述第一半导体层的第一表面，并与该第一表面直接接触，所述第一半导体层的第二表面与所述活性层接触设置，所述第二半导体层具有相对的第三表面及第四表面，所述第二电极设置在所述第二半导体层的第三表面，并与该第三表面直接接触，所述第二半导体层的第四表面与所述活性层接触设置，所述第一电极为一单根的第一碳纳米管，所述第二电极为一单根的第二碳纳米管，且第一碳纳米管的延伸方向与所述第二碳纳米管的延伸方向交叉设置。
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公开(公告)号：CN112786715B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201911090236.8
申请日：2019-11-08
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/072
Abstract: 一种太阳能电池，包括一半导体结构、一背电极以及一上电极，该半导体结构包括一n型半导体层和一p型半导体层，且该n型半导体层和p型半导体层层叠设置，该半导体结构定义一第一表面以及与该第一表面相对设置的第二表面，该背电极设置在半导体结构的第一表面，该上电极设置在半导体结构的第二表面，该背电极为一单根的第一碳纳米管，该上电极为一单根的第二碳纳米管，且该第一碳纳米管的延伸方向与第二碳纳米管的延伸方向交叉设置，在该第一碳纳米管以及第二碳纳米管的交叉点处，在垂直于所述半导体结构的方向上，所述第一碳纳米管、半导体结构以及第二碳纳米管的重叠区域形成一多层结构。
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