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公开(公告)号：CN103678974B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310684504.5
申请日：2013-12-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种化学机械抛光控制系统的远程访问客户端，用于工艺人员访问化学机械抛光控制系统的晶圆加工信息数据库，方便工艺人员浏览其权限内全部晶圆加工信息记录。其中，晶圆加工信息数据库由MySQL数据库管理系统构建，运行在独立的服务器上，客户端用于向服务器发送对晶圆加工信息数据库的访问请求，以通过服务器获取访问晶圆加工信息数据库的权限，从而读取本权限内的信息。本发明的实施例可实现工艺人员远程登录远端的晶圆加工信息数据库，并根据其权限对数据库中的晶圆加工信息数据进行相应的操作，另外，该客户端安全、可靠、高效且操作方便。
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公开(公告)号：CN104830235A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510213354.9
申请日：2015-04-29
Applicant: 清华大学
CPC classification number: C09G1/02 , C23F3/04 , C23F11/149 , H01L21/30625
Abstract: 本发明公开了一种用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液及其应用，包括：0.01～20wt％的研磨颗粒；0.01～10wt％的氧化剂；0.01～10wt％的金属络合剂；0.005～5wt％的金属缓蚀剂；0.001～1wt％的表面活性剂；以及余量的水。该抛光液可以在钴和铜表面形成一层具有保护作用的钝化膜，从而防止在抛光过程中出现过腐蚀，降低钴和铜材料去除速率，并且获得可调节的材料去除速率选择性。
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公开(公告)号：CN104167405A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410343650.6
申请日：2014-07-18
Applicant: 清华大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种集成电路，包括：一集成电路衬底、一低介电常数材料层、一阻挡层以及一铜层，所述低介电常数材料层设置于所述集成电路衬底的一个表面；所述低介电常数材料层远离所述集成电路衬底的表面具有至少一个凹槽，该至少一个凹槽的深度小于所述低介电常数材料层的厚度；所述铜层设置于所述至少一个凹槽内；所述阻挡层设置于所述至少一凹槽内，并位于所述铜层与所述凹槽内壁之间，所述阻挡层为一硅烷化自组装分子膜，该硅烷化自组装分子膜由3-(2-氨乙基)-氨丙基三甲氧基硅烷或(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷组成。本发明还提供一种所述集成电路的制备方法。
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公开(公告)号：CN104152906A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410351139.0
申请日：2014-07-22
Applicant: 清华大学
IPC: C23F3/04
Abstract: 本发明公开了一种用于加工超光滑不锈钢表面的抛光液及其应用，该抛光液包括：0.01～40wt％的研磨颗粒；0～10wt％的氧化剂；0～5wt％的金属缓蚀剂；以及余量的水，其中，研磨颗粒为选自单晶金刚石、聚晶金刚石、三氧化二铝、二氧化锆、二氧化铈、煅制氧化硅和胶体二氧化硅中的至少一种，氧化剂为选自高碘酸盐、碘酸盐、高氯酸盐、过硫酸盐、过氧化氢中的至少一种，金属缓蚀剂为选自含氮杂环衍生物、含硫杂环衍生物和同时含有氮、硫的杂环衍生物中的至少一种。该抛光液能够有效实现高不锈钢材料去除速率，并且在不锈钢表面形成一层致密的钝化膜，防止在抛光过程中出现过腐蚀，从而获得超光滑不锈钢表面。
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公开(公告)号：CN103677832A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310683081.5
申请日：2013-12-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出一种晶圆铜膜厚度的绘图方法及系统，其中方法包括以下步骤：获取晶圆铜膜厚度的测量数据；根据测量数据的测量模式确定测量点的坐标分布，并将测量数据和各个测量点坐标一一对应；根据测量点坐标分布和测量数据绘制晶圆铜膜厚度的视图。根据本发明实施例的绘图方法，通过测量模式确定多个测量点分布，并根据每个测量点的坐标和其铜膜厚度绘制晶圆铜膜厚度的视图，该方法满足了用户的绘图功能需求，降低了绘图功能的开发难度，同时使用方便灵活。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102172887B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201110039266.3
申请日：2011-02-16
Applicant: 清华大学
IPC: B24B39/06
Abstract: 本发明公开了一种抛光头，所述抛光头包括盖板；主隔膜，所述主隔膜为环形且具有弹性，所述主隔膜固定在所述盖板的下表面上；基座，所述基座固定在所述主隔膜的下表面上；柔性膜，所述柔性膜固定在所述基座的下表面上，其中柔性膜与所述基座限定出与外界连通的下腔室；和保持环，所述保持环固定在所述基座的下表面上，所述保持环的径向截面的面积沿从下向上逐渐减小。根据本发明实施例的抛光头不仅可以防止晶圆在化学机械抛光过程中被甩出，而且可以获得均匀的、一致的抛光效果。此外，由于所述保持环的磨损不会降低抛光效果，因此所述保持环可以具有更长的使用寿命，从而降低了抛光成本。
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公开(公告)号：CN102768974A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210256981.7
申请日：2012-07-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种晶圆清洗设备。所述晶圆清洗设备包括：机架；晶圆清洗装置，所述晶圆清洗装置设在所述机架上；晶圆刷洗装置，所述晶圆刷洗装置设在所述机架上且位于所述晶圆清洗装置的下游侧；晶圆干燥装置，所述晶圆干燥装置设在所述机架上且位于所述晶圆刷洗装置的下游侧；和机械手，所述机械手可移动地设在所述机架上用于竖直地夹持晶圆和搬运晶圆。根据本发明实施例的晶圆清洗设备具有清洗效果好等优点。
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公开(公告)号：CN102519413A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110452330.0
申请日：2011-12-29
Applicant: 清华大学
IPC: G01B21/08
Abstract: 本发明公开一种用于晶圆台的晶圆膜厚度测量误差补偿的时空变换方法，包括如下步骤：测量系统误差并存入测量数据库；控制系统控制升降气缸升起以接收晶圆，控制电机旋转以检测电机的零位点，根据电机的零位点建立电机极坐标系，控制电机停止并退回至电机的零位点；吸盘对晶圆进行吸附并控制升降气缸下降；控制电机旋转360度以检测晶圆的缺口以及角度值，根据晶圆的缺口定位晶圆极坐标系，将晶圆的缺口处的角度值发送至测量数据库；晶圆测量系统对晶圆进行测量以获得晶圆的初始膜厚值并根据系统误差和晶圆的缺口处的角度值对初始膜厚值进行补偿，获得膜厚修正值。本发明可以实现对测量得到的晶圆的膜厚的误差补偿，得到更为精确的膜厚值。
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公开(公告)号：CN102446802A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110421591.6
申请日：2011-12-15
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种晶圆台，所述晶圆台包括：电机；金属盘，金属盘与电机相连由电机驱动旋转，金属盘设有沿上下方向贯通金属盘的通气孔，其中通气孔的中心线、金属盘的中心线和金属盘的旋转轴线重合；非金属盘，非金属盘设在金属盘的上表面上，非金属盘的上表面上设有凹槽，凹槽与通气孔连通；旋转接头，旋转接头设在金属盘的下表面上，其中旋转接头的旋转部分与通气孔相连且旋转接头的静止部分适于与真空产生器相连以便对通气孔和凹槽抽真空；和升降装置，所述升降装置绕所述金属盘设置用于升降所述晶圆。通过利用根据本发明实施例的晶圆台，可以使电涡流传感器更加准确地测量晶圆的膜厚度。
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公开(公告)号：CN102172887A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110039266.3
申请日：2011-02-16
Applicant: 清华大学
IPC: B24B39/06
Abstract: 本发明公开了一种抛光头，所述抛光头包括盖板；主隔膜，所述主隔膜为环形且具有弹性，所述主隔膜固定在所述盖板的下表面上；基座，所述基座固定在所述主隔膜的下表面上；柔性膜，所述柔性膜固定在所述基座的下表面上，其中柔性膜与所述基座限定出与外界连通的下腔室；和保持环，所述保持环固定在所述基座的下表面上，所述保持环的径向截面的面积沿从下向上逐渐减小。根据本发明实施例的抛光头不仅可以防止晶圆在化学机械抛光过程中被甩出，而且可以获得均匀的、一致的抛光效果。此外，由于所述保持环的磨损不会降低抛光效果，因此所述保持环可以具有更长的使用寿命，从而降低了抛光成本。
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