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公开(公告)号：CN115088059A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202180014261.7
申请日：2021-02-05
Applicant: 协立化学产业株式会社 , 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 加工对象物切割方法，其中，包括：第一工序，将可扩张薄片粘贴在加工对象物的表面或背面；第二工序，在上述第一工序之后，沿着切割预定线对上述加工对象物照射激光而形成改质区域，通过扩张上述可扩张薄片，将上述加工对象物的至少一部分分割成多个芯片，并且，形成存在于多个芯片之间且到达上述加工对象物的侧面的间隙中；第三工序，在上述第一工序之后，对上述可扩张薄片照射紫外线；第四工序，在上述第二工序及上述第三工序之后，从上述加工对象物中的包含上述侧面的外边缘部将树脂填充到上述间隙；第五工序，在上述第四工序之后，使上述树脂固化；以及，第六工序，在上述第五工序之后，从上述可扩张薄片取出上述芯片。
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公开(公告)号：CN112805811A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980065097.5
申请日：2019-10-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/53 , B24B7/00 , B24B49/12
Abstract: 检查装置包括：支承晶片的载置台，其中，晶片在半导体衬底的内部形成有多排改性区域；光源，其输出对于半导体衬底具有透射性的光；和物镜，其使在半导体衬底中传播后的光通过；光检测部，其检测通过了物镜后的光；和检查部，其检查在多排改性区域中的最靠近正面的第1改性区域与最靠近第1改性区域的第2改性区域之间的检查区域中是否存在从1改性区域向背面侧延伸的裂纹的前端。物镜使焦点从背面侧对焦到检查区域内。光检测部检测在半导体衬底中从正面侧向背面侧传播的光。
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公开(公告)号：CN112789136A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201980065098.X
申请日：2019-10-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/00 , B23K26/02 , B23K26/53 , H01L21/301
Abstract: 本发明的摄像装置，用于拍摄因照射激光而形成于对象物(11)的改性区域和/或从上述改性区域(12)延伸的裂纹(14)，其包括：利用透射上述对象物的光拍摄上述对象物的第1摄像单元；和控制上述第1摄像单元(4)的第1控制部，从与上述激光的入射面交叉的方向看时，上述对象物包含由第1线(15a)和与上述第1线交叉的第2线(15b)界定出的多个功能元件(22a)，上述第1控制部，在沿着上述第1线和上述第2线形成上述改性区域之后，执行第1摄像处理，该第1摄像处理为控制上述第1摄像单元以拍摄从上述方向看时上述功能元件的与上述第1线对应的边的区域，该区域包含上述改性区域和/或从该改性区域延伸的上述裂纹。
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公开(公告)号：CN112789135A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201980065074.4
申请日：2019-10-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/00 , B23K26/02 , B23K26/53 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种摄像装置，用于拍摄通过照射激光而形成于对象物(11)的改性区域(12)和/或从所述改性区域延伸的裂纹(14)，其包括：利用透射所述对象物的光来拍摄所述对象物的第1摄像单元(4)；和控制所述第1摄像单元的第1控制部，所述第1控制部，在切换沿着第1线(15a)形成所述改性区域与沿着交叉于所述第1线的第2线(15b)形成所述改性区域的时机，执行控制所述第1摄像单元的摄像处理，来拍摄沿着所述第1线形成的所述改性区域和/或包含从该改性区域延伸的所述裂纹的区域。
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公开(公告)号：CN117921171A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311391764.3
申请日：2023-10-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/06 , B23K26/08 , B23K26/352 , B23K26/70
Abstract: 本发明涉及激光加工装置及激光加工方法。一种激光加工装置，具备：支撑部，其用于支撑对象物；照射部，其用于将激光照射于支撑于所述支撑部的所述对象物；移动部，其用于使所述激光的聚光区域相对于所述对象物相对移动；以及控制部，其用于控制所述移动部和所述照射部，所述控制部实施通过控制所述照射部和所述移动部而使所述聚光区域相对移动，由此将所述激光照射于所述对象物而形成改质区域的加工处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112805811B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201980065097.5
申请日：2019-10-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/53 , B24B7/00 , B24B49/12
Abstract: 检查装置包括：支承晶片的载置台，其中，晶片在半导体衬底的内部形成有多排改性区域；光源，其输出对于半导体衬底具有透射性的光；和物镜，其使在半导体衬底中传播后的光通过；光检测部，其检测通过了物镜后的光；和检查部，其检查在多排改性区域中的最靠近正面的第1改性区域与最靠近第1改性区域的第2改性区域之间的检查区域中是否存在从1改性区域向背面侧延伸的裂纹的前端。物镜使焦点从背面侧对焦到检查区域内。光检测部检测在半导体衬底中从正面侧向背面侧传播的光。
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公开(公告)号：CN116242832A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211565370.0
申请日：2022-12-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明涉及检查装置及检查方法。本发明的检查装置具备：拍摄单元，其通过对晶圆输出具有透过性的光，并检测在晶圆中传播后的光，来拍摄晶圆的内部；驱动单元，其使拍摄单元沿着作为铅垂方向的Z方向移动；以及控制部，其中，控制部构成为执行如下操作：控制驱动单元，使得拍摄单元依次移动到晶圆的规定的拍摄范围内的沿着Z方向的各拍摄区域成为可拍摄的位置；控制拍摄单元，以拍摄各拍摄区域；基于各拍摄区域相关的从检测到光的拍摄单元输出的拍摄图像，对于拍摄范围的激光加工后的内部观察的适当性进行判断。
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公开(公告)号：CN115428125A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180026221.4
申请日：2021-03-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/53
Abstract: 本发明的检查装置，具备：激光照射单元、摄像单元、控制部；控制部，构成为执行：加工处理，以设定为通过对晶圆照射激光而在晶圆的内部形成多个改质区域，并且成为使从改质区域延伸的龟裂到达背面及表面的全切割状态的配方控制激光照射单元；确定处理，基于从摄像单元输出的信号，确定背面的从改质区域延伸的龟裂的状态，以及晶圆的内部的改质区域及龟裂中的至少一者的状态；以及判断处理，基于在确定处理中确定的信息，判断相应于配方对晶圆施加的分割力是否适当。
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公开(公告)号：CN115244653A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180019931.4
申请日：2021-03-03
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/53 , H01L21/02 , H01L21/66
Abstract: 检查装置具备激光照射单元、对晶圆进行摄像的摄像单元、接收输入的显示器、及控制部，显示器接收：包含晶圆的信息及对该晶圆的激光加工目标的晶圆加工信息的输入，控制部执行：基于通过显示器接收到的晶圆加工信息，决定包含通过激光照射单元的激光的照射条件的配方(加工条件)；以决定的配方对晶圆照射有激光的方式，控制激光照射单元；通过以对晶圆进行摄像的方式控制摄像单元，取得通过激光的照射的晶圆的激光加工结果；及基于激光加工结果，评价配方的方式构成。
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公开(公告)号：CN115210856A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202180019121.9
申请日：2021-03-03
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/66 , B23K26/00 , B23K26/53 , H01L21/02 , H01L21/301
Abstract: 检查装置具备：激光照射单元，其从具有背面及表面的晶圆的背面侧，朝该晶圆照射激光；摄像单元，其对晶圆输出具有透过性的光，检测在晶圆传播的光；及控制部，其构成为执行：第一处理，该第一处理是控制激光照射单元，以通过对晶圆照射激光，在晶圆的内部形成改性区域；及第二处理，该第二处理基于从检测到光的摄像单元输出的信号，导出改性区域的位置，基于导出的改性区域的位置及设定的配方，导出晶圆的厚度。
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