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公开(公告)号：CN101515531B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200910009415.4
申请日：2009-02-23
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明涉及一种以能够大批量生产的构造实现响应时间特性的大幅的改善的光电倍增器。第2级倍增电极单元(DY1)支撑接收来自光电阴极(200)的光电子的第1倍增电极，第1级倍增电极单元(DY2)支撑接收来自第1倍增电极的二次电子的第2倍增电极。另外，从光电阴极(200)测看时，倍增电极管脚(430)被保持在有助于二次电子倍增的电子倍增部(400)的有效区域(AR1)内。通过该构成，缩短了从光电阴极(200)至第1级倍增电极单元(DY2)的焦距(D)，扩大了有效区域(AR1)，有效地降低了从光电阴极(200)朝向第1级倍增电极单元(DY2)的光电子的运动时间的偏差。
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公开(公告)号：CN102468109A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010582903.7
申请日：2010-10-29
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光电倍增管(1)，具有：互相相对配置、各自的相对面(20a)、(40a)由绝缘材料构成的上侧框架(2)以及下侧框架(4)；与框架(2)、(4)一起构成框体的侧壁框架(3)；从下侧框架(4)的相对面(40a)上的一端侧朝向另一端侧依次隔开排列的多级的电子倍增部(33)；在一端侧与电子倍增部(33)隔开设置的、将来自外部的入射光转换为光电子的光电面；在另一端侧与电子倍增部(33)隔开设置的、将由电子倍增部(33)倍增的电子作为信号读取的阳极部(34)；以及壁状电极(32)，其从与相对面(401)正对的方向看被配置成包围光电面(41)，在与另一端侧的电子倍增部(33)相对的部位上形成切口部(35)，与光电面(41)电连接。
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公开(公告)号：CN101681822A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880017270.6
申请日：2008-05-23
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/40 , B23K101/40
CPC classification number: B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L21/67132 , H01L21/78
Abstract: 一种切断用加工方法，沿着切断预定线可靠地将加工对象物切断。通过向加工对象物(1)对准聚光点并照射激光，以沿着切断预定线(5)在加工对象物(1)中形成改质区域(M1)。对该形成有改质区域(M1)的加工对象物1，通过利用对改质区域的蚀刻速率比对非改质区域的蚀刻速率高的蚀刻液施以蚀刻处理，来蚀刻改质区域(M1)。因此，利用对改质区域(M1)的高蚀刻速率，沿着切断预定线(5)有选择且迅速地蚀刻加工对象物(1)。
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公开(公告)号：CN101405826A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009546.1
申请日：2007-02-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J40/02
Abstract: 本发明涉及一种光电变换装置的制造方法，该方法在不会使光电面的特性劣化的情况下，气密性地接合形成容纳上述光电面的外围器的两个部材。在具有光电面(7)的上侧框架(2)的接合部上，依次层叠铬金属膜(11a)和镍金属膜(12b)。下侧框架(5)由具备电子倍增管(8)和阳极(9)的平板状部材(4)以及硅制框部材(3)构成。在上述框部材的接合部上，依次层叠铬金属膜(10a)和镍金属膜(10b)。上述上侧框架和上述下侧框架夹持着含铟的接合材料(12)而重合。在减压至规定的真空度并被保持在铟的熔点以下的温度的真空空间内，在规定的压力下互相押接上述上侧框架和上述下侧框架，形成具有维持充分的气密性的容纳空间的外围器。
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公开(公告)号：CN101048844A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200580037147.7
申请日：2005-10-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01J43/28
CPC classification number: H01J43/28
Abstract: 在基底构件上，芯柱管脚通过该基底构件，并且保持构件接合到该基底构件的相应表面上，芯柱管脚和保持构件是通过基底构件的熔化造成的融合而接合在一起，这样就配置成具有至少三层或更多层的芯柱，这三层或更多层是由保持构件夹住基底构件形成的。与芯柱被配置为单层玻璃材料并且被熔化来融合芯柱管脚的传统配置相比，芯柱两个表面的位置精确度、平直度和水平度都被改善。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN105008085B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201380062649.X
申请日：2013-11-29
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/06 , B23K26/00 , B23K26/064 , B23K26/38 , B23K26/40
CPC classification number: H01L21/268 , B23K26/0006 , B23K26/0643 , B23K26/0648 , B23K26/38 , B23K26/53 , B23K26/55 , B23K2103/50 , H01L21/67115
Abstract: 激光加工装置(1)是通过对加工对象物(S)照射激光(L)而在加工对象物(S)形成改质区域(R)的装置。激光加工装置(1)具备：激光光源(2)，其出射激光(L)；载置台(8)，其支撑加工对象物(S)；以及光学系统(11)，其使从激光光源(2)出射的激光(L)中包围包含该激光(L)的光轴的中央部的环状部，聚光于被载置台(8)支撑的加工对象物(S)的规定部。光学系统(11)根据加工对象物(S)中规定部的位置，调整激光(L)的环状部的内缘和外缘中的至少一者的形状。
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公开(公告)号：CN102470551B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201080029910.2
申请日：2010-07-21
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B28D5/00 , C03B33/09 , H01L21/301 , B23K26/53 , B23K26/402 , B23K101/40
CPC classification number: B28D5/00 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , C03B33/0222 , C03B33/07 , H01L21/78 , Y10T225/12
Abstract: 由于加工对象物(1A)的背面(1b)与分断用加工对象物(10A)的表面(10a)通过阳极接合而接合，因而以熔融处理领域(13)作为起点而产生于分断用加工对象物(10A)的厚度方向的龟裂(17)，连续且几乎不改变其方向地，到达加工对象物(1A)的表面(1a)。然后，在加工对象物(1A、10A)被切断后，从加工对象物(1A)移除加工对象物(10A)，而得到芯片(19)。
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公开(公告)号：CN101814413B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201010123812.7
申请日：2010-02-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J43/243
Abstract: 一种光电倍增管，以防止电子向倍增极之间的绝缘部分入射从而改善耐受电压为课题。该光电倍增管具备：具有形成有由绝缘材料构成的主面的玻璃基板的箱体、从主面上的一端侧向另一端侧依次间隔地排列的第1级～第N级(N为2以上的整数)倍增极、从第1级倍增极向一端侧偏离而设置并释放光电子的光电面、以及从第N级倍增极向另一端侧偏离而设置并将被倍增了的电子作为信号取出的阳极部。在玻璃基板的主面上，在邻接的2个倍增极之间，形成有表面由绝缘材料构成的沟槽部，第1级～第N级倍增极被固定在与玻璃基板的沟槽部邻接的凸部上。
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公开(公告)号：CN101681822B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200880017270.6
申请日：2008-05-23
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/40 , B23K101/40
CPC classification number: B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L21/67132 , H01L21/78
Abstract: 一种切断用加工方法，沿着切断预定线可靠地将加工对象物切断。通过向加工对象物(1)对准聚光点并照射激光，以沿着切断预定线(5)在加工对象物(1)中形成改质区域(M1)。对该形成有改质区域(M1)的加工对象物1，通过利用对改质区域的蚀刻速率比对非改质区域的蚀刻速率高的蚀刻液施以蚀刻处理，来蚀刻改质区域(M1)。因此，利用对改质区域(M1)的高蚀刻速率，沿着切断预定线(5)有选择且迅速地蚀刻加工对象物(1)。
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