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公开(公告)号：CN102337253A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110309181.2
申请日：2011-10-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及生物工程领域，公开了一种分离的多肽、多核苷酸、载体及宿主细胞。多肽选自：（1）SEQIDNO:4、6、8、10、12、14、16、18、20或22所示氨基酸序列；和（2）在（1）所述的氨基酸序列中经过取代、缺失或添加一个或几个氨基酸，但至少保留以SEQIDNO：2的氨基酸序列编号记第48位氨基酸残基为Val，67位氨基酸残基为Ala，以及311位氨基酸残基为Ser，且具有脂肪酶活性的由（1）衍生的多肽。本发明得到的突变基因所编码的脂肪酶具有更高的水解活性以及对高温的耐受性。
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公开(公告)号：CN114580352B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202210223992.9
申请日：2022-03-09
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F40/126 , G06F40/284 , G06N3/0455 , G06N3/084 , G06N5/04
Abstract: 本发明公开了一种基于浅层特征预计算的神经网络推理加速方法，该方法首先获取预训练神经网络，根据输入文本，使用预训练神经网络将输入文本进行编码；然后根据所述预训练神经网络，构建浅层特征可预计算神经网络，根据输入文本，使用浅层特征可预计算神经网络将输入文本进行编码；再使用所述浅层特征可预计算神经网络拟合预训练神经网络的中间层特征，训练浅层特征可预计算神经网络；再根据所述浅层特征可预计算神经网络，构建浅层特征查询表；最后使用上述浅层特征查询表替换浅层特征可预计算神经网络的浅层神经网络。本发明可以用于新闻分类、情感分析、问答系统等人工智能领域任务。
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公开(公告)号：CN116153789B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310090322.9
申请日：2023-01-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/265 , H01L29/10 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种改善4H‑SiC MOSFET沟道载流子迁移率及栅极漏电的工艺方法，包括：采用N离子注入对MOSFET沟道进行注入；采用H2对SiC外延表面进行刻蚀；采用原子层淀积工艺在SiC外延表面形成Al2O3作为栅极氧化层；对栅极氧化层进行N2后氧化退火工艺。本发明的有益效果是：本发明形成的SiC/栅极氧化层界面粗糙度及界面态密度有所改善，同时避免了热氧化工艺引入的界面C团簇的问题，提高了沟道载流子的迁移率；此外，H2对SiC表面进行刻蚀，增强了SiC衬底对原子层淀积工艺中反应前驱物的化学吸附力，从而使得原子层淀积得到的栅极氧化物更加致密，改善了栅极漏电的情况。
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公开(公告)号：CN116153789A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310090322.9
申请日：2023-01-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/265 , H01L29/10 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种改善4H‑SiC MOSFET沟道载流子迁移率及栅极漏电的工艺方法，包括：采用N离子注入对MOSFET沟道进行注入；采用H2对SiC外延表面进行刻蚀；采用原子层淀积工艺在SiC外延表面形成Al2O3作为栅极氧化层；对栅极氧化层进行N2后氧化退火工艺。本发明的有益效果是：本发明形成的SiC/栅极氧化层界面粗糙度及界面态密度有所改善，同时避免了热氧化工艺引入的界面C团簇的问题，提高了沟道载流子的迁移率；此外，H2对SiC表面进行刻蚀，增强了SiC衬底对原子层淀积工艺中反应前驱物的化学吸附力，从而使得原子层淀积得到的栅极氧化物更加致密，改善了栅极漏电的情况。
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公开(公告)号：CN113035863A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110235396.8
申请日：2021-03-03
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/10
Abstract: 本发明涉及一种引入纵向沟道结构的功率集成芯片，包括：P型衬底区、纵向耐压区、隔离区、MOSFET和二极管区域；所述二极管区域包括二极管、N‑横向漂移区和纵向沟道区；P型衬底区位于芯片底部，P型衬底区上方设置纵向耐压区，纵向耐压区上方一边设置MOSFET，纵向耐压区上方另一边设置二极管区域。本发明的有益效果是：通过加入纵向沟道区并适当调节其沟道长度，来增加纵向耗尽层在N型层的极限深度；当漏极/阳极对源极/参考地形成高压降时，避免了因耗尽层边界扩展到二极管阳极而出现的纵向穿通问题。纵向沟道区提升了功率集成芯片的纵向耐压能力和整体耐压水平，拓宽了芯片的应用范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102337253B
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201110309181.2
申请日：2011-10-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及生物工程领域，公开了一种分离的多肽、多核苷酸、载体及宿主细胞。多肽选自：（1）SEQ ID NO:4、6、8、10、12、14、16、18、20或22所示氨基酸序列；和（2）在（1）所述的氨基酸序列中经过取代、缺失或添加一个或几个氨基酸，但至少保留以SEQ ID NO：2的氨基酸序列编号记第48位氨基酸残基为Val，67位氨基酸残基为Ala，以及311位氨基酸残基为Ser，且具有脂肪酶活性的由（1）衍生的多肽。本发明得到的突变基因所编码的脂肪酶具有更高的水解活性以及对高温的耐受性。
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公开(公告)号：CN103264492A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310218171.7
申请日：2013-06-04
Applicant: 浙江大学 , 浙江申达机器制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种差动传动的微型注塑机的注射装置及方法。该装置主要包括注射伺服电机、螺纹套、主动螺母、从动螺杆、注射柱塞、计量调节装置、预塑装置等。主动螺母与机架固接在一起，注射伺服电机与螺纹套连接直接驱动螺纹套转动；螺纹套的外螺纹与主动螺母相配合，形成主螺纹副，螺纹套内螺纹与从动螺杆相配合，形成从螺纹副；主、从两副螺纹副串联叠加形成差动螺旋机构，两个螺纹副的螺旋差即为转动螺纹套一圈而产生的差动距离。本发明提供了一种差动传动的微型注塑机的注射装置及方法，解决了微注塑过程中难以控制微小注射量以及控制注射精度的问题。其结构简单，易于制造，控制简便高效，适用于精密的微型塑料制品的注射成型加工。
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公开(公告)号：CN101306573B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810061617.9
申请日：2008-05-23
Applicant: 浙江大学 , 浙江申达机器制造股份有限公司
CPC classification number: B29C45/5008 , B29C45/77 , B29C2045/1792 , B29C2045/5032 , B29C2945/76006 , B29C2945/76187 , B29C2945/76367 , B29C2945/76555 , B29C2945/76665 , B29C2945/76692 , B29C2945/76846
Abstract: 本发明公开了一种直接背压反馈控制的电动塑化驱动方法及装置。装置包括注射伺服电机、计量伺服电机、电动塑化传动机构、控制器，电动塑化传动机构包括螺杆、计量齿轮、轴承、压力传感器、丝杆、注射齿轮，螺杆上设有计量齿轮，螺杆端部设有轴承、压力传感器，丝杆一端设有轴承座空腔结构，丝杆上设有注射齿轮。方法是将丝杆设计成前端带有轴承座空腔结构，螺杆通过轴承顶在丝杆的前端，螺杆和丝杆连接处设置压力传感器；根据注塑成型工艺，输入背压设定值，通过压力在线测量，直接反馈控制伺服电机驱动，进行预塑、计量和注射的协调动作。本发明解决了电动注塑装置中伺服电机之间的动作配合问题，结构简单，易于制造，成本低。
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公开(公告)号：CN101781350B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201010106121.6
申请日：2010-02-02
Applicant: 浙江大学
IPC: C07J9/00
Abstract: 本发明提供一种用混合溶剂纯化熊去氧胆酸的方法，包含配制混合溶剂，洗涤胆酸混合物和干燥得到熊去氧胆酸三个步骤。本方法的特点是使用了一种由小分子醇1-80份和小分子酯99-20份按重量比配制成混合溶剂。该混合溶剂可以选择性地溶解胆酸混合物中鹅去氧胆酸等杂质而保留熊去氧胆酸。该混合溶剂既保留了醇类对鹅去氧胆酸较强的溶解能力，又保留了酯类选择性溶解鹅去氧胆酸的特点。使用本发明纯化熊去氧胆酸，可以在相同生产能力的前提下，明显减少有机溶剂的使用量，节省溶剂回收的能量消耗，适合用于制备高纯度的熊去氧胆酸。
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